Каталог товаров

Обратная связь
Получить информацию о наличии товара вы можете у наших менеджеров, позвонив по телефону
(812) 565-06-52
Также вы можете написать нам
Ответы на вопросы

Транзисторы, стр.43

2101-2150 из 3945 товаров
Сортировка:
Название Цена Дешевле Дороже Наличие: Больше Меньше Больше
IRF3415PBF JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 200 В, 40 А, 60 мОм, TO-220
408 шт 4 дня
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 889 — 68,60 ₽/шт
от 890 — 65,66 ₽/шт
от 1859 — 64,49 ₽/шт
в избранное
IRF3205ZPBF JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 60 В, 85 А, 8.5 мОм, TO-220
1860 шт 4 дня
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 1237 — 49,29 ₽/шт
от 1238 — 47,19 ₽/шт
от 2586 — 46,35 ₽/шт
в избранное
IPW60R080P7XKSA1, Полевой N-канальный транзистор Infineon Technologies, 650В, 37A, 129Вт, корпус TO-247-3
110 шт 4 дня
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 110 — 550,43 ₽/шт
от 111 — 526,91 ₽/шт
от 232 — 517,50 ₽/шт
в избранное
IPW60R041C6FKSA1, Полевой N-канальный транзистор Infineon Technologies, 650В, 77.5A, 481Вт, корпус TO-247-3
Под заказ
4 дня
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 102 — 597,30 ₽/шт
от 103 — 571,77 ₽/шт
от 214 — 561,57 ₽/шт
в избранное
IPT007N06NATMA1, Полевой N-канальный транзистор Infineon Technologies, 60В, 300A, корпус HSOF-8
212 шт 4 дня
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 286 — 213,02 ₽/шт
от 287 — 203,92 ₽/шт
от 599 — 200,28 ₽/шт
в избранное
IPP110N20N3GXKSA1, Полевой N-канальный транзистор Infineon Technologies, 200В, 88A, корпус TO-220-3
15 шт 4 дня
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 170 — 357,23 ₽/шт
от 171 — 341,95 ₽/шт
от 357 — 335,85 ₽/шт
в избранное
IPD65R400CEAUMA1, Транзистор полевой N-канальный Infineon Technologies, 700В, 15.1A, корпус TO-252-3(DPAK)
647 шт 4 дня
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 915 — 66,64 ₽/шт
от 916 — 63,78 ₽/шт
от 1913 — 62,65 ₽/шт
в избранное
IPD35N10S3L26ATMA1, Транзистор полевой N-канальный Infineon Technologies, 35A,100В, корпус TO-252-3(DPAK)
1980 шт 4 дня
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 1040 — 58,65 ₽/шт
от 1041 — 56,13 ₽/шт
от 2174 — 55,13 ₽/шт
в избранное
IKW50N60H3FKSA1, IGBT транзистор Infineon Technologies, 600 В, 100 А, 333 Вт, корпус TO-247-3
175 шт 4 дня
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 288 — 211,47 ₽/шт
от 289 — 202,43 ₽/шт
от 603 — 198,82 ₽/шт
в избранное
IKW50N60DTPXKSA1, Высокоскоростной IGBT транзистор Infineon Technologies, 600В, 80А, 319.2Вт корпус TO-247-3
195 шт 4 дня
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 243 — 250,71 ₽/шт
от 244 — 240,00 ₽/шт
от 509 — 235,70 ₽/шт
в избранное
IKW40N120T2FKSA1, IGBT транзистор Infineon Technologies, 1200 В, 75 А, 480 Вт, корпус TO-247-3
105 шт 4 дня
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 189 — 322,31 ₽/шт
от 190 — 308,54 ₽/шт
от 396 — 303,02 ₽/шт
в избранное
IKW40N120H3FKSA1, IGBT транзистор Infineon Technologies, 1200 В, 80 А, 483 Вт, корпус TO-247-3
320 шт 4 дня
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 283 — 215,38 ₽/шт
от 284 — 206,17 ₽/шт
от 592 — 202,48 ₽/шт
в избранное
IKW30N65H5XKSA1, IGBT транзистор Infineon Technologies, 55А,1.65В,188Вт, 650В, TO-247-3
165 шт 4 дня
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 288 — 211,11 ₽/шт
от 289 — 202,09 ₽/шт
от 604 — 198,48 ₽/шт
в избранное
IKW30N60DTPXKSA1, IGBT транзистор Infineon Technologies , 600В, 30А, 200Вт, корпус TO-247-3
256 шт 4 дня
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 203 — 299,38 ₽/шт
от 204 — 286,59 ₽/шт
от 426 — 281,47 ₽/шт
в избранное
IGW30N60H3FKSA1, IGBT транзистор Infineon Technologies, 600В, 60А, 187Вт, корпус TO-247-3
110 шт 4 дня
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 140 — 435,43 ₽/шт
от 141 — 416,83 ₽/шт
от 293 — 409,37 ₽/шт
в избранное
FQT7N10LTF HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 100 В, 4 А, 150 мОм, SOT-223
950 шт 4 дня
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 4269 — 14,29 ₽/шт
от 4270 — 13,68 ₽/шт
от 8921 — 13,43 ₽/шт
в избранное
FQD7N20LTM JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 200 В, 9 А, 300 мОм, TO-252 (DPAK)
2425 шт 4 дня
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 2142 — 28,47 ₽/шт
от 2143 — 27,25 ₽/шт
от 4477 — 26,78 ₽/шт
в избранное
FQD19N10TM JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 100 В, 19 А, 60 мОм, TO-252 (DPAK)
2350 шт 4 дня
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 2686 — 22,70 ₽/шт
от 2687 — 21,74 ₽/шт
от 5612 — 21,35 ₽/шт
в избранное
FF300R12KS4HOSA1, IGBT модуль Infineon Technologies, 1200 В, 370 А, 1950 Вт, корпус Screw Mount Module 62 mm
Под заказ
4 дня
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 4 — 12 673,24 ₽/шт
от 5 — 12 131,66 ₽/шт
от 11 — 11 915,01 ₽/шт
в избранное
FF200R12KT4HOSA1, IGBT модуль Infineon Technologies, 1200 В, 320 А, 1100 Вт, корпус Screw Mount Module 62 mm
30 шт 4 дня
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 10 — 5 863,21 ₽/шт
от 11 — 5 612,65 ₽/шт
от 22 — 5 512,42 ₽/шт
в избранное
FDV303N Elecsuper полевой транзистор (MOSFET) N-канал, 20 В, 1.25 А, 0.3 Ом, 0.8 нКл, SOT-23
2500 шт 4 дня
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 45045 — 1,35 ₽/шт
от 45046 — 1,29 ₽/шт
от 94340 — 1,28 ₽/шт
в избранное
FDV301N Elecsuper полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 20 В, 1.25 А, 300 мОм, SOT-23
12500 шт 4 дня
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 31446 — 1,94 ₽/шт
от 31447 — 1,85 ₽/шт
от 65790 — 1,83 ₽/шт
в избранное
FDS4435BZ HXY полевой транзистор (MOSFET), P-канал, -30 В, -9.7 А, 28 мОм, 33.8 нКл, SOP-8
2400 шт 4 дня
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 6045 — 10,09 ₽/шт
от 6046 — 9,65 ₽/шт
от 12643 — 9,48 ₽/шт
в избранное
FDN86246 JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 150 В, 1.8 А, 280 мОм, 18 нКл, SOT-23
1850 шт 4 дня
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 5235 — 11,65 ₽/шт
от 5236 — 11,15 ₽/шт
от 10941 — 10,96 ₽/шт
в избранное
FDD6637, Полевой P-канальный транзистор ON Semiconductor, 35В, 55А, 3.1Вт, корпус DPAK (TO-252AA)
3000 шт 4 дня
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 1019 — 59,83 ₽/шт
от 1020 — 57,28 ₽/шт
от 2130 — 56,25 ₽/шт
в избранное
ES50N06 Elecsuper полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 60 В, 20 А, TO-252 (DPAK)
1900 шт 4 дня
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 14245 — 4,28 ₽/шт
от 14246 — 4,10 ₽/шт
от 29762 — 4,03 ₽/шт
в избранное
BSS84PH6327XTSA2, Полевой P-канальный транзистор Infineon Technologies, 60В, 0.17А, 0.36Вт, 8.0 Ом, корпус SOT-23-3
29000 шт 4 дня
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 13623 — 4,48 ₽/шт
от 13624 — 4,29 ₽/шт
от 28410 — 4,21 ₽/шт
в избранное
BSS83PH6327XTSA1, Полевой P-канальный транзистор Infineon Technologies, 60В, 0.33А, 0.36Вт, 2.0 Ом, корпус SOT-23-3
  • Производитель: Infineon Technologies AG, Germany
  • Артикул: A027033
  • Год выпуска: 0118
  • Краткое наименование: BSS83PH6327XTSA1
5250 шт 4 дня
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 7309 — 8,34 ₽/шт
от 7310 — 7,99 ₽/шт
от 15268 — 7,84 ₽/шт
в избранное
BSS308PEH6327 Elecsuper полевой транзистор (MOSFET), P-канал, -30 В, -3.8 А, 60 Ом, 6.5 нКл, SOT-23
8200 шт 4 дня
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 26737 — 2,28 ₽/шт
от 26738 — 2,18 ₽/шт
от 55866 — 2,15 ₽/шт
в избранное
BSS138W Elecsuper полевой транзистор (MOSFET) N-канал, 60 В, 0.36 А, 1.9 Ом, 1 нКл, SOT-323
58500 шт 4 дня
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 52631 — 1,16 ₽/шт
от 52632 — 1,11 ₽/шт
от 109891 — 1,09 ₽/шт
в избранное
BSS138PW Elecsuper полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 60 В, 0.3 А, 2.2 Ом, SOT-323
264 шт 4 дня
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 56179 — 1,09 ₽/шт
от 56180 — 1,04 ₽/шт
от 117648 — 1,02 ₽/шт
в избранное
BSS138LT1G,Транзистор полевой ON Semiconductor, N-канальный, 50В, 0.2А, 0.36Вт, 3.5 Ом, корпус SOT-23-3
  • Производитель: ON Semiconductor Corporation, USA
  • Артикул: A027029
  • Год выпуска: 2017
  • Краткое наименование: BSS138LT1G
24500 шт 4 дня
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 17605 — 3,46 ₽/шт
от 17606 — 3,32 ₽/шт
от 36765 — 3,26 ₽/шт
в избранное
BSS138BKW Elecsuper полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 60 В, 0.36 А, 1.9 Ом, SOT-323
22000 шт 4 дня
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 41666 — 1,46 ₽/шт
от 41667 — 1,40 ₽/шт
от 86957 — 1,38 ₽/шт
в избранное
AOD536 Elecsuper полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 30 В, 39 А, 15 нКл, TO-252 (DPAK)
2300 шт 4 дня
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 7132 — 8,55 ₽/шт
от 7133 — 8,19 ₽/шт
от 14904 — 8,04 ₽/шт
в избранное
AO4822 JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N+N канал, 30 В, 8 А, SOP-8
2400 шт 4 дня
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 5780 — 10,55 ₽/шт
от 5781 — 10,10 ₽/шт
от 12078 — 9,92 ₽/шт
в избранное
AO4430 Elecsuper полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 30 В, 13 А, 12 мОм, 11 нКл, SOP-8
2600 шт 4 дня
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 14245 — 4,28 ₽/шт
от 14246 — 4,10 ₽/шт
от 29762 — 4,03 ₽/шт
в избранное
AO4410 JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 30 В, 18 А, 5.5 мОм, 81.6 нКл, SOP-8
1740 шт 4 дня
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 4770 — 12,79 ₽/шт
от 4771 — 12,24 ₽/шт
от 9971 — 12,02 ₽/шт
в избранное
AO4409 JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), P-канал, -30 В, -14 А, 11 мОм, 37 нКл, SOP-8
1150 шт 4 дня
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 4233 — 14,41 ₽/шт
от 4234 — 13,79 ₽/шт
от 8850 — 13,54 ₽/шт
в избранное
2N7002ET1G, полевой транзистор (MOSFET) Elecsuper, N-канал, 60 В, 0.38 А, 3 Ом, корпус SOT-23
20000 шт 4 дня
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 39062 — 1,56 ₽/шт
от 39063 — 1,49 ₽/шт
от 81968 — 1,46 ₽/шт
в избранное
2N7002DWH6327, полевой транзистор (MOSFET) Elecsuper, N+N-канал, 60 В, 0.38 А, 3 Ом, 2 нКл, корпус SOT-363
11250 шт 4 дня
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 17793 — 3,43 ₽/шт
от 17794 — 3,28 ₽/шт
от 37175 — 3,22 ₽/шт
в избранное
2N7002BK, полевой транзистор (MOSFET) Elecsuper, N-канал, 60 В, 0.38 А, 3 Ом, корпус SOT-23
29000 шт 4 дня
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 73529 — 0,83 ₽/шт
от 73530 — 0,79 ₽/шт
от 153847 — 0,78 ₽/шт
в избранное
TIP36C JSMSEMI биполярный транзистор PNP, -100 В, -25 А, TO-3P
265 шт 4 дня
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 999 — 61,01 ₽/шт
от 1000 — 58,41 ₽/шт
от 2089 — 57,36 ₽/шт
в избранное
TIP127 JSMSEMI биполярный составной транзистор (Дарлингтона) PNP -100 В, -5 А, TO-220
Под заказ
4 дня
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 4378 — 13,93 ₽/шт
от 4379 — 13,33 ₽/шт
от 9150 — 13,10 ₽/шт
в избранное
STGP19NC60HD, IGBT транзистор ST Microelectronics, 21А, 600В,130Вт, корпус TO-220-3
  • Производитель: ST Microelectronics, Geneva
  • Артикул: A027003
  • Краткое наименование: STGP19NC60HD
515 шт 4 дня
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 288 — 211,11 ₽/шт
от 289 — 202,09 ₽/шт
от 604 — 198,48 ₽/шт
в избранное
SS8050 JSMSEMI Биполярный транзистор NPN, 25 В, 1.5 А, SOT-23
30000 шт 4 дня
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 119047 — 0,51 ₽/шт
от 119048 — 0,49 ₽/шт
от 250000 — 0,49 ₽/шт
в избранное
PZTA42 JSMSEMI Биполярный транзистор NPN, 300 В, 0.2 А, SOT-223
750 шт 4 дня
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 12048 — 5,06 ₽/шт
от 12049 — 4,86 ₽/шт
от 25126 — 4,76 ₽/шт
в избранное
PZT2222A JSMSEMI Биполярный транзистор NPN, 40 В, 0.6 А, SOT-223
3900 шт 4 дня
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 13333 — 4,58 ₽/шт
от 13334 — 4,38 ₽/шт
от 27856 — 4,31 ₽/шт
в избранное
PDTC143ET,215 , Цифровой биполярный транзистор NEXPERIA, NPN, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 230 МГц, 4.7 кОм+4.7 кОм, корпус SOT-23-3
  • Производитель: Nexperia, Netherlands
  • Артикул: A026999
  • Год выпуска: 2025
  • Краткое наименование: PDTC143ET,215
9780 шт 4 дня
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 42016 — 1,45 ₽/шт
от 42017 — 1,39 ₽/шт
от 87720 — 1,37 ₽/шт
в избранное
PDTC123ET,215 , Цифровой биполярный транзистор NEXPERIA, NPN, 50В, 0.1А, 0.25Вт, 2.2кОм +2.2кОм, корпус SOT-23-3
  • Производитель: Nexperia, Netherlands
  • Артикул: A026998
  • Краткое наименование: PDTC123ET,215
2500 шт 4 дня
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 29239 — 2,09 ₽/шт
от 29240 — 1,99 ₽/шт
от 61350 — 1,95 ₽/шт
в избранное
PBSS5350T,215 , Биполярный PNP транзистор NEXPERIA, 50 В, 2 А, 0.54 Вт, корпус SOT-23-3
  • Производитель: Nexperia, Netherlands
  • Артикул: A026996
  • Краткое наименование: PBSS5350T,215
3600 шт 4 дня
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 8896 — 6,86 ₽/шт
от 8897 — 6,56 ₽/шт
от 18588 — 6,44 ₽/шт
в избранное

Смотрите также:

Силовые приборы Резисторы Конденсаторы Микросхемы Диоды Стабилитроны Транзисторы Тиристоры Прочие радиодетали Реле
X
Заказать обратный звонок Ваше имя: Телефон: Дата: Время звонка: Комментарий:
Ваша заявка отправлена!