Стабилитроны

Интеграл Оптрон Орбита СЗТП ВНИИТФА PanJit Semiconductors Wuxi Xuyang Galaxy ME LGE Yangjie Electronic KLS Keisum DC Components НЭВЗ НЗПП MIC Vishay Suntan Kingtronics Hottech Diotec Diodes Semtech Fairchild Nexperia ON Semiconductor NXP ST Microelectronics PROAN Electronics

стабилитрон SMD типа (корпус SOD-80 mini MELF) стабилитрон (корпус DO-35)

0,5 Вт рассеяния: 0,3 Вт рассеиваемая: 5 Вт рассеиваемая макс.: 0,4 Вт рассеиваемая макс.: 0,5 Вт рассеиваемая: 0,15 Вт рассеиваемая макс.: 0,15 Вт рассеиваемая макс.: 0,3 Вт рассеиваемая макс.: 0,125 Вт рассеяния макс.: 0,1 Вт рассеяния макс.: 0,3 Вт рассеиваемая макс.: 125 мВт рассеяния макс.: 5 Вт рассеяния: 0,34 Вт рассеиваемая макс.: 0,34 Вт рассеиваемая макс.: 1 Вт рассеиваемая макс.: 20 мВт рассеиваемая макс.: 150 мВт рассеиваемая макс.: 300 мВт рассеиваемая макс.: 100 мВт рассеиваемая макс.: 200 мВт рассеиваемая макс.: 280 мВт

0,7 В стабилизации: 3,6 В стабилизации: 6,8 В стабилизации: 7 В стабилизации: 12 В стабилизации: 20 В стабилизации: 22 В стабилизации: 24 В стабилизации: 10 В стабилизации: 5,1 В стабилизации: 5,6 В стабилизации: 8,5 В стабилизации: 2,4 В стабилизации: 3,3 В стабилизации: 4,7 В стабилизации: 8,2 В стабилизации: 47 В стабилизации: 15 В стабилизации: 27 В стабилизации: 31 В стабилизации: 100 В 4,7 В стабилизации: 8,4 В 1,3 В от 8 В до 9,5 В 3,3 В 3,9 В 5.6 В 6.8 В 8,2 В 9,1 В 11 В 13 В 22 В 3,9 В при Iст 51 мА стабилизации: 8,3 В 5,6 В при Iст 36 мА 6,8 В при Iст 29 мА 9.7 В при токе стабилизации 5 мА 27 В при Iст 5 мА 30 В при Iст 5 мА стабилизации: 9 В стабилизации: 9,5 В стабилизации: 11 В стабилизации: 13 В стабилизации: 7,5 В

1993 1997 2013 2004 2014 1981 1989-1992 2006 1995 1989-1990 1988-1990 2009 2010 2021 1992-1994 1992-1995 1990-1992 2018 2019 1978-1979 1995(2001) 1990-1994 2017 2005 1994 1990 2015 1989 1991 1988 1992 2002 1987 1986 2007 2012 1996 2001 2008 1982 1989-1991 1988-1991 2020 2003 1983 1980 1978 2000 2022

9