IGBT-транзисторы – биполярные устройства с изолированным затвором, используемые в качестве электронного ключа в системах руководства приводами различных машин и механизмов, импульсных источниках электропитания, инверторных аппаратах.
Принцип работы и основные характеристики
IGBT-транзисторы являются гибридом биполярного и полевого транзисторов, благодаря чему это устройство сочетает положительные характеристики обоих компонентов. Принцип его действия заключается в том, что полевой транзистор управляет биполярным. Такая конструкция обеспечивает возможность переключения мощных нагрузок с помощью маломощных управляющих сигналов.
Основные характеристики IGBT-транзисторов:
- управляющее напряжение;
- максимально возможная сила тока;
- напряжение пробоя и насыщения эмиттер-коллектор;
- ток отсечки эмиттер-коллектор;
- емкости на входе и выходе;
- временные промежутки задержки включения и выключения.
Такие транзисторы чаще всего применяют в высоковольтных сетях напряжением до 6,5 кВ для обеспечения безопасности электрооборудования при КЗ, в инверторах, частотно-управляемых приводах, сварочных аппаратах, высокомощных приводах городского электротранспорта.
Ассортимент
В компании «РадиоЭлемент» вы можете купить силовые IGBT-транзисторы с требуемыми параметрами и выбрать наиболее удобный способ получения товара. В ассортименте представлены транзисторы производства:
- Infineon Technologies AG, Germany – модели на 600 В и 1200 В, рассчитанные на различные токи и частоты сети;
- ST Microelectronics, Geneva – STGW40NC69WD;
- Fuji Electric Systems Co. Ltd., FGW50N60HD (600 В, 50 А).