Каталог товаров

Обратная связь
Получить информацию о наличии товара вы можете у наших менеджеров, позвонив по телефону
(812) 565-06-52
Также вы можете написать нам
Ответы на вопросы

Транзисторы, стр.38

1851-1900 из 3639 товаров
Сортировка:
Название Цена Дешевле Дороже Наличие: Больше Меньше Больше
IRF5210PBF JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), P-канал, -100 В, -40 А, 55 мОм, 180 нКл, TO-220
1000 шт 4 дня
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 879 — 69,38 ₽/шт
от 880 — 66,42 ₽/шт
от 1837 — 65,23 ₽/шт
в избранное
IRF3710STRPBF JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 100 В, 60 А, 17.5 мОм, 146 нКл, TO-263 (D2PAK)
1400 шт 4 дня
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 1381 — 44,16 ₽/шт
от 1382 — 42,29 ₽/шт
от 2886 — 41,53 ₽/шт
в избранное
IRF3415PBF, Полевой N-канальный транзистор Infineon Technologies, 150В, 43А, 200Вт, корпус TO-220-3
  • Производитель: Infineon Technologies AG, Germany
  • Артикул: A027063
  • Год выпуска: 2021
  • Краткое наименование: IRF3415PBF
980 шт 4 дня
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 735 — 82,90 ₽/шт
от 736 — 79,35 ₽/шт
от 1538 — 77,93 ₽/шт
в избранное
IRF3415PBF JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 200 В, 40 А, 60 мОм, TO-220
300 шт 4 дня
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 1016 — 60,02 ₽/шт
от 1017 — 57,46 ₽/шт
от 2124 — 56,43 ₽/шт
в избранное
IRF3205ZPBF JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 60 В, 85 А, 8.5 мОм, TO-220
1800 шт 4 дня
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 1237 — 49,29 ₽/шт
от 1238 — 47,19 ₽/шт
от 2586 — 46,35 ₽/шт
в избранное
IPW60R099C6FKSA1, Полевой N-канальный транзистор Infineon Technologies, 600В, 37.9A, 278Вт, корпус TO-247-3
10 шт 4 дня
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 132 — 460,84 ₽/шт
от 133 — 441,14 ₽/шт
от 277 — 433,27 ₽/шт
в избранное
IPW60R080P7XKSA1, Полевой N-канальный транзистор Infineon Technologies, 650В, 37A, 129Вт, корпус TO-247-3
8 шт 4 дня
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 110 — 550,43 ₽/шт
от 111 — 526,91 ₽/шт
от 232 — 517,50 ₽/шт
в избранное
IPW60R041C6FKSA1, Полевой N-канальный транзистор Infineon Technologies, 650В, 77.5A, 481Вт, корпус TO-247-3
78 шт 4 дня
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 102 — 597,31 ₽/шт
от 103 — 571,78 ₽/шт
от 214 — 561,57 ₽/шт
в избранное
IPT007N06NATMA1, Полевой N-канальный транзистор Infineon Technologies, 60В, 300A, корпус HSOF-8
185 шт 4 дня
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 235 — 258,76 ₽/шт
от 236 — 247,70 ₽/шт
от 493 — 243,28 ₽/шт
в избранное
IPP110N20N3GXKSA1, Полевой N-канальный транзистор Infineon Technologies, 200В, 88A, корпус TO-220-3
150 шт 4 дня
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 197 — 308,29 ₽/шт
от 198 — 295,12 ₽/шт
от 414 — 289,85 ₽/шт
в избранное
IPD65R400CEAUMA1, Транзистор полевой N-канальный Infineon Technologies, 700В, 15.1A, корпус TO-252-3(DPAK)
627 шт 4 дня
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 761 — 80,07 ₽/шт
от 762 — 76,64 ₽/шт
от 1592 — 75,27 ₽/шт
в избранное
IPD35N10S3L26ATMA1, Транзистор полевой N-канальный Infineon Technologies, 35A,100В, корпус TO-252-3(DPAK)
1980 шт 4 дня
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 1040 — 58,65 ₽/шт
от 1041 — 56,13 ₽/шт
от 2174 — 55,13 ₽/шт
в избранное
IKW50N60H3FKSA1, IGBT транзистор Infineon Technologies, 600 В, 100 А, 333 Вт, корпус TO-247-3
25 шт 4 дня
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 252 — 241,50 ₽/шт
от 253 — 231,18 ₽/шт
от 528 — 227,05 ₽/шт
в избранное
IKW50N60DTPXKSA1, Высокоскоростной IGBT транзистор Infineon Technologies, 600В, 80А, 319.2Вт корпус TO-247-3
180 шт 4 дня
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 214 — 283,74 ₽/шт
от 215 — 271,61 ₽/шт
от 450 — 266,77 ₽/шт
в избранное
IKW40N120T2FKSA1, IGBT транзистор Infineon Technologies, 1200 В, 75 А, 480 Вт, корпус TO-247-3
95 шт 4 дня
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 186 — 326,70 ₽/шт
от 187 — 312,73 ₽/шт
от 391 — 307,15 ₽/шт
в избранное
IKW40N120H3FKSA1, IGBT транзистор Infineon Technologies, 1200 В, 80 А, 483 Вт, корпус TO-247-3
30 шт 4 дня
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 250 — 243,56 ₽/шт
от 251 — 233,15 ₽/шт
от 524 — 228,98 ₽/шт
в избранное
IKW30N65H5XKSA1, IGBT транзистор Infineon Technologies, 55А,1.65В,188Вт, 650В, TO-247-3
85 шт 4 дня
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 255 — 238,91 ₽/шт
от 256 — 228,70 ₽/шт
от 534 — 224,61 ₽/шт
в избранное
IKW30N60DTPXKSA1, IGBT транзистор Infineon Technologies , 600В, 30А, 200Вт, корпус TO-247-3
256 шт 4 дня
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 170 — 358,42 ₽/шт
от 171 — 343,10 ₽/шт
от 356 — 336,98 ₽/шт
в избранное
IGW30N60H3FKSA1, IGBT транзистор Infineon Technologies, 600В, 60А, 187Вт, корпус TO-247-3
98 шт 4 дня
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 140 — 435,43 ₽/шт
от 141 — 416,83 ₽/шт
от 293 — 409,37 ₽/шт
в избранное
FQT7N10LTF HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 100 В, 4 А, 150 мОм, SOT-223
950 шт 4 дня
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 4269 — 14,29 ₽/шт
от 4270 — 13,68 ₽/шт
от 8921 — 13,43 ₽/шт
в избранное
FQD7N20LTM JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 200 В, 9 А, 300 мОм, TO-252 (DPAK)
2425 шт 4 дня
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 2448 — 24,91 ₽/шт
от 2449 — 23,84 ₽/шт
от 5118 — 23,42 ₽/шт
в избранное
FQD19N10TM JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 100 В, 19 А, 60 мОм, TO-252 (DPAK)
2350 шт 4 дня
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 2686 — 22,70 ₽/шт
от 2687 — 21,74 ₽/шт
от 5612 — 21,35 ₽/шт
в избранное
FF300R12KS4HOSA1, IGBT модуль Infineon Technologies, 1200 В, 370 А, 1950 Вт, корпус Screw Mount Module 62 mm
1 шт 4 дня
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 4 — 13 382,00 ₽/шт
от 5 — 12 810,11 ₽/шт
от 10 — 12 581,36 ₽/шт
в избранное
FF200R12KT4HOSA1, IGBT модуль Infineon Technologies, 1200 В, 320 А, 1100 Вт, корпус Screw Mount Module 62 mm
Под заказ
4 дня
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 9 — 6 617,56 ₽/шт
от 10 — 6 334,75 ₽/шт
от 20 — 6 221,63 ₽/шт
в избранное
FDV303N Elecsuper полевой транзистор (MOSFET) N-канал, 20 В, 1.25 А, 0.3 Ом, 0.8 нКл, SOT-23
1500 шт 4 дня
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 51020 — 1,20 ₽/шт
от 51021 — 1,15 ₽/шт
от 106383 — 1,12 ₽/шт
в избранное
FDV301N Elecsuper полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 20 В, 1.25 А, 300 мОм, SOT-23
12500 шт 4 дня
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 35971 — 1,70 ₽/шт
от 35972 — 1,62 ₽/шт
от 75188 — 1,60 ₽/шт
в избранное
FDS4435BZ HXY полевой транзистор (MOSFET), P-канал, -30 В, -9.7 А, 28 мОм, 33.8 нКл, SOP-8
2300 шт 4 дня
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 6045 — 10,09 ₽/шт
от 6046 — 9,65 ₽/шт
от 12643 — 9,48 ₽/шт
в избранное
FDN86246 JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 150 В, 1.8 А, 280 мОм, 18 нКл, SOT-23
1750 шт 4 дня
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 5988 — 10,19 ₽/шт
от 5989 — 9,76 ₽/шт
от 12500 — 9,58 ₽/шт
в избранное
FDD6637, Полевой P-канальный транзистор ON Semiconductor, 35В, 55А, 3.1Вт, корпус DPAK (TO-252AA)
3000 шт 4 дня
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 1005 — 60,68 ₽/шт
от 1006 — 58,10 ₽/шт
от 2100 — 57,06 ₽/шт
в избранное
ES50N06 Elecsuper полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 60 В, 20 А, TO-252 (DPAK)
1700 шт 4 дня
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 14245 — 4,28 ₽/шт
от 14246 — 4,10 ₽/шт
от 29762 — 4,03 ₽/шт
в избранное
BSS84PH6327XTSA2, Полевой P-канальный транзистор Infineon Technologies, 60В, 0.17А, 0.36Вт, 8.0 Ом, корпус SOT-23-3
28750 шт 4 дня
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 13623 — 4,48 ₽/шт
от 13624 — 4,29 ₽/шт
от 28410 — 4,21 ₽/шт
в избранное
BSS83PH6327XTSA1, Полевой P-канальный транзистор Infineon Technologies, 60В, 0.33А, 0.36Вт, 2.0 Ом, корпус SOT-23-3
  • Производитель: Infineon Technologies AG, Germany
  • Артикул: A027033
  • Год выпуска: 0118
  • Краткое наименование: BSS83PH6327XTSA1
5250 шт 4 дня
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 7309 — 8,34 ₽/шт
от 7310 — 7,99 ₽/шт
от 15268 — 7,84 ₽/шт
в избранное
BSS308PEH6327 Elecsuper полевой транзистор (MOSFET), P-канал, -30 В, -3.8 А, 60 Ом, 6.5 нКл, SOT-23
8200 шт 4 дня
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 26737 — 2,28 ₽/шт
от 26738 — 2,18 ₽/шт
от 55866 — 2,15 ₽/шт
в избранное
BSS138W Elecsuper полевой транзистор (MOSFET) N-канал, 60 В, 0.36 А, 1.9 Ом, 1 нКл, SOT-323
58000 шт 4 дня
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 60240 — 1,01 ₽/шт
от 60241 — 0,98 ₽/шт
от 125000 — 0,95 ₽/шт
в избранное
BSS138PW Elecsuper полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 60 В, 0.3 А, 2.2 Ом, SOT-323
264 шт 4 дня
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 56179 — 1,09 ₽/шт
от 56180 — 1,04 ₽/шт
от 117648 — 1,02 ₽/шт
в избранное
BSS138LT1G,Транзистор полевой ON Semiconductor, N-канальный, 50В, 0.2А, 0.36Вт, 3.5 Ом, корпус SOT-23-3
  • Производитель: ON Semiconductor Corporation, USA
  • Артикул: A027029
  • Год выпуска: 2017
  • Краткое наименование: BSS138LT1G
23500 шт 4 дня
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 16393 — 3,72 ₽/шт
от 16394 — 3,56 ₽/шт
от 34247 — 3,50 ₽/шт
в избранное
BSS138BKW Elecsuper полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 60 В, 0.36 А, 1.9 Ом, SOT-323
21500 шт 4 дня
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 45045 — 1,35 ₽/шт
от 45046 — 1,29 ₽/шт
от 94340 — 1,28 ₽/шт
в избранное
AOD536 Elecsuper полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 30 В, 39 А, 15 нКл, TO-252 (DPAK)
2300 шт 4 дня
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 7132 — 8,55 ₽/шт
от 7133 — 8,19 ₽/шт
от 14904 — 8,04 ₽/шт
в избранное
AO4822 JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N+N канал, 30 В, 8 А, SOP-8
2400 шт 4 дня
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 6605 — 9,24 ₽/шт
от 6606 — 8,83 ₽/шт
от 13813 — 8,67 ₽/шт
в избранное
AO4430 Elecsuper полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 30 В, 13 А, 12 мОм, 11 нКл, SOP-8
2600 шт 4 дня
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 14245 — 4,28 ₽/шт
от 14246 — 4,10 ₽/шт
от 29762 — 4,03 ₽/шт
в избранное
AO4410 JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 30 В, 18 А, 5.5 мОм, 81.6 нКл, SOP-8
1700 шт 4 дня
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 5446 — 11,20 ₽/шт
от 5447 — 10,72 ₽/шт
от 11377 — 10,53 ₽/шт
в избранное
2N7002ET1G, полевой транзистор (MOSFET) Elecsuper, N-канал, 60 В, 0.38 А, 3 Ом, корпус SOT-23
14500 шт 4 дня
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 45045 — 1,35 ₽/шт
от 45046 — 1,29 ₽/шт
от 94340 — 1,28 ₽/шт
в избранное
2N7002DWH6327, полевой транзистор (MOSFET) Elecsuper, N+N-канал, 60 В, 0.38 А, 3 Ом, 2 нКл, корпус SOT-363
11250 шт 4 дня
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 20325 — 3,00 ₽/шт
от 20326 — 2,87 ₽/шт
от 42554 — 2,82 ₽/шт
в избранное
TIP36C JSMSEMI биполярный транзистор PNP, -100 В, -25 А, TO-3P
5 шт 4 дня
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 999 — 61,01 ₽/шт
от 1000 — 58,41 ₽/шт
от 2089 — 57,36 ₽/шт
в избранное
TIP127 JSMSEMI биполярный составной транзистор (Дарлингтона) PNP -100 В, -5 А, TO-220
1000 шт 4 дня
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 3382 — 18,03 ₽/шт
от 3383 — 17,26 ₽/шт
от 7068 — 16,95 ₽/шт
в избранное
STGP19NC60HD, IGBT транзистор ST Microelectronics, 21А, 600В,130Вт, корпус TO-220-3
  • Производитель: ST Microelectronics, Geneva
  • Артикул: A027003
  • Краткое наименование: STGP19NC60HD
450 шт 4 дня
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 288 — 211,11 ₽/шт
от 289 — 202,09 ₽/шт
от 604 — 198,48 ₽/шт
в избранное
SS8050 JSMSEMI Биполярный транзистор NPN, 25 В, 1.5 А, SOT-23
20000 шт 4 дня
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 119047 — 0,51 ₽/шт
от 119048 — 0,49 ₽/шт
от 250000 — 0,49 ₽/шт
в избранное
PZTA42 JSMSEMI Биполярный транзистор NPN, 300 В, 0.2 А, SOT-223
  • Производитель: Hottech Co. Ltd., China
  • Артикул: A027001
  • Год выпуска: 2014
  • Краткое наименование: PZTA42
650 шт 4 дня
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 12254 — 4,98 ₽/шт
от 12255 — 4,76 ₽/шт
от 25642 — 4,67 ₽/шт
в избранное
PZT2222A JSMSEMI Биполярный транзистор NPN, 40 В, 0.6 А, SOT-223
3900 шт 4 дня
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 13333 — 4,58 ₽/шт
от 13334 — 4,38 ₽/шт
от 27856 — 4,31 ₽/шт
в избранное
PDTC143ET,215 , Цифровой биполярный транзистор NEXPERIA, NPN, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 230 МГц, 4.7 кОм+4.7 кОм, корпус SOT-23-3
  • Производитель: Nexperia, Netherlands
  • Артикул: A026999
  • Год выпуска: 2025
  • Краткое наименование: PDTC143ET,215
Под заказ
4 дня
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 37878 — 1,61 ₽/шт
от 37879 — 1,55 ₽/шт
от 78741 — 1,51 ₽/шт
в избранное

Смотрите также:

Силовые приборы Резисторы Конденсаторы Микросхемы Диоды Стабилитроны Транзисторы Тиристоры Импортные радиодетали Источники питания
X
Заказать обратный звонок Ваше имя: Телефон: Дата: Время звонка: Комментарий:
Ваша заявка отправлена!