Каталог товаров

Обратная связь
Получить информацию о наличии товара вы можете у наших менеджеров, позвонив по телефону
(812) 565-06-52
Также вы можете написать нам
Ответы на вопросы

Транзисторы, стр.45

2201-2250 из 4158 товаров
Сортировка:
Название Цена Дешевле Дороже Наличие: Больше Меньше Больше
IRF7413ZTRPBF, Полевой N-канальный транзистор Infineon Technologies, 30В,13A, 2.5Вт, корпус SOIC-8
IRF7413ZTRPBF, Полевой N-канальный транзистор Infineon Technologies, 30В,13A, 2.5Вт, корпус SOIC-8
350 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 1591 — 37,69 ₽/шт
от 1592 — 36,08 ₽/шт
от 3326 — 35,45 ₽/шт
в избранное
IRF740ASTRLPBF JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 400 В, 10 А, 28 нКл, TO-263 (D2PAK)
IRF740ASTRLPBF JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 400 В, 10 А, 28 нКл, TO-263 (D2PAK)
1280 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 1229 — 48,79 ₽/шт
от 1230 — 46,70 ₽/шт
от 2570 — 45,88 ₽/шт
в избранное
IRF7351TRPBF, Сборка из двух полевых N-канальных транзисторов Infineon Technologies, 60В, 8А, 2.0Вт, корпус SOIC-8
IRF7351TRPBF, Сборка из двух полевых N-канальных транзисторов Infineon Technologies, 60В, 8А, 2.0Вт, корпус SOIC-8
1975 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 1275 — 47,04 ₽/шт
от 1276 — 45,04 ₽/шт
от 2665 — 44,23 ₽/шт
в избранное
IRF7241TRPBF, Полевой P-канальный транзистор Infineon Technologies, 40В, 6.2А, 2.5Вт, корпус SOIC-8
IRF7241TRPBF, Полевой P-канальный транзистор Infineon Technologies, 40В, 6.2А, 2.5Вт, корпус SOIC-8
940 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 1096 — 54,73 ₽/шт
от 1097 — 52,39 ₽/шт
от 2291 — 51,46 ₽/шт
в избранное
IRF7104TRPBF, Сборка полевых P-канальных транзисторов Infineon Technologies, 20В, 2.3А, 2Вт, корпус SOIC-8
IRF7104TRPBF, Сборка полевых P-канальных транзисторов Infineon Technologies, 20В, 2.3А, 2Вт, корпус SOIC-8
3925 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 1639 — 36,60 ₽/шт
от 1640 — 35,03 ₽/шт
от 3426 — 34,40 ₽/шт
в избранное
IRF640NSTRLPBF, Полевой N-канальный транзистор Infineon Technologies, 200В, 18А, 150Вт, корпус D2Pak (TO-263)
IRF640NSTRLPBF, Полевой N-канальный транзистор Infineon Technologies, 200В, 18А, 150Вт, корпус D2Pak (TO-263)
1163 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 1591 — 37,69 ₽/шт
от 1592 — 36,08 ₽/шт
от 3326 — 35,45 ₽/шт
в избранное
IRF640NPBF JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 200 В, 18 А, 0.15 Ом, 38 нКл, TO- 220
IRF640NPBF JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 200 В, 18 А, 0.15 Ом, 38 нКл, TO- 220
1365 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 2378 — 25,22 ₽/шт
от 2379 — 24,14 ₽/шт
от 4971 — 23,71 ₽/шт
в избранное
IRF6216TRPBF, Полевой P-канальный транзистор Infineon Technologies, 150В, 2.2A, корпус SOIC-8
IRF6216TRPBF, Полевой P-канальный транзистор Infineon Technologies, 150В, 2.2A, корпус SOIC-8
3875 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 1429 — 41,96 ₽/шт
от 1430 — 40,18 ₽/шт
от 2987 — 39,46 ₽/шт
в избранное
IRF530NS HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 100 В, 33 А, 38 мОм, 53 нКл, TO-263 (D2PAK)
IRF530NS HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 100 В, 33 А, 38 мОм, 53 нКл, TO-263 (D2PAK)
1500 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 1589 — 37,75 ₽/шт
от 1590 — 36,14 ₽/шт
от 3321 — 35,50 ₽/шт
в избранное
IRF530N JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 100 В, 33 А, 38 мОм, TO-220
IRF530N JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 100 В, 33 А, 38 мОм, TO-220
1970 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 2925 — 20,51 ₽/шт
от 2926 — 19,63 ₽/шт
от 6113 — 19,28 ₽/шт
в избранное
IRF5305PBF JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), P-канал, -60 В, -35 А, 55 мОм, 40 нКл, TO-220
IRF5305PBF JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), P-канал, -60 В, -35 А, 55 мОм, 40 нКл, TO-220
250 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 1871 — 32,06 ₽/шт
от 1872 — 30,68 ₽/шт
от 3911 — 30,14 ₽/шт
в избранное
IRF5210PBF JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), P-канал, -100 В, -40 А, 55 мОм, 180 нКл, TO-220
IRF5210PBF JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), P-канал, -100 В, -40 А, 55 мОм, 180 нКл, TO-220
600 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 1058 — 56,66 ₽/шт
от 1059 — 54,24 ₽/шт
от 2213 — 53,27 ₽/шт
в избранное
IRF3710STRPBF JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 100 В, 60 А, 17.5 мОм, 146 нКл, TO-263 (D2PAK)
IRF3710STRPBF JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 100 В, 60 А, 17.5 мОм, 146 нКл, TO-263 (D2PAK)
1460 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 1118 — 53,63 ₽/шт
от 1119 — 51,34 ₽/шт
от 2338 — 50,42 ₽/шт
в избранное
IRF3415PBF, Полевой N-канальный транзистор Infineon Technologies, 150В, 43А, 200Вт, корпус TO-220-3
IRF3415PBF, Полевой N-канальный транзистор Infineon Technologies, 150В, 43А, 200Вт, корпус TO-220-3
690 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 634 — 94,52 ₽/шт
от 635 — 90,48 ₽/шт
от 1327 — 88,87 ₽/шт
в избранное
IRF3415PBF JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 200 В, 40 А, 60 мОм, TO-220
IRF3415PBF JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 200 В, 40 А, 60 мОм, TO-220
600 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 823 — 72,90 ₽/шт
от 824 — 69,79 ₽/шт
от 1720 — 68,54 ₽/шт
в избранное
IRF3205ZPBF JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 60 В, 85 А, 8.5 мОм, TO-220
IRF3205ZPBF JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 60 В, 85 А, 8.5 мОм, TO-220
1900 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 1237 — 48,49 ₽/шт
от 1238 — 46,43 ₽/шт
от 2585 — 45,60 ₽/шт
в избранное
IPW60R099C6FKSA1, Полевой N-канальный транзистор Infineon Technologies, 600В, 37.9A, 278Вт, корпус TO-247-3
IPW60R099C6FKSA1, Полевой N-канальный транзистор Infineon Technologies, 600В, 37.9A, 278Вт, корпус TO-247-3
80 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 140 — 426,05 ₽/шт
от 141 — 407,83 ₽/шт
от 295 — 400,56 ₽/шт
в избранное
IPW60R080P7XKSA1, Полевой N-канальный транзистор Infineon Technologies, 650В, 37A, 129Вт, корпус TO-247-3
IPW60R080P7XKSA1, Полевой N-канальный транзистор Infineon Technologies, 650В, 37A, 129Вт, корпус TO-247-3
62 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 115 — 519,13 ₽/шт
от 116 — 496,94 ₽/шт
от 242 — 488,08 ₽/шт
в избранное
IPW60R060P7XKSA1, Полевой N-канальный транзистор Infineon Technologies, 600В, 48A, 164Вт, корпус TO-247-3
IPW60R060P7XKSA1, Полевой N-канальный транзистор Infineon Technologies, 600В, 48A, 164Вт, корпус TO-247-3
280 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 297 — 201,49 ₽/шт
от 298 — 192,89 ₽/шт
от 623 — 189,44 ₽/шт
в избранное
IPW60R041C6FKSA1, Полевой N-канальный транзистор Infineon Technologies, 650В, 77.5A, 481Вт, корпус TO-247-3
IPW60R041C6FKSA1, Полевой N-канальный транзистор Infineon Technologies, 650В, 77.5A, 481Вт, корпус TO-247-3
106 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 101 — 592,73 ₽/шт
от 102 — 567,40 ₽/шт
от 212 — 557,26 ₽/шт
в избранное
IPT007N06NATMA1, Полевой N-канальный транзистор Infineon Technologies, 60В, 300A, корпус HSOF-8
IPT007N06NATMA1, Полевой N-канальный транзистор Infineon Technologies, 60В, 300A, корпус HSOF-8
465 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 327 — 182,99 ₽/шт
от 328 — 175,16 ₽/шт
от 686 — 172,04 ₽/шт
в избранное
IPP110N20N3GXKSA1, Полевой N-канальный транзистор Infineon Technologies, 200В, 88A, корпус TO-220-3
IPP110N20N3GXKSA1, Полевой N-канальный транзистор Infineon Technologies, 200В, 88A, корпус TO-220-3
95 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 190 — 314,59 ₽/шт
от 191 — 301,14 ₽/шт
от 399 — 295,76 ₽/шт
в избранное
IPD65R400CEAUMA1, Транзистор полевой N-канальный Infineon Technologies, 700В, 15.1A, корпус TO-252-3(DPAK)
IPD65R400CEAUMA1, Транзистор полевой N-канальный Infineon Technologies, 700В, 15.1A, корпус TO-252-3(DPAK)
827 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 915 — 65,54 ₽/шт
от 916 — 62,75 ₽/шт
от 1913 — 61,62 ₽/шт
в избранное
IPD35N10S3L26ATMA1, Транзистор полевой N-канальный Infineon Technologies, 35A,100В, корпус TO-252-3(DPAK)
IPD35N10S3L26ATMA1, Транзистор полевой N-канальный Infineon Technologies, 35A,100В, корпус TO-252-3(DPAK)
1000 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 999 — 60,05 ₽/шт
от 1000 — 57,48 ₽/шт
от 2088 — 56,45 ₽/шт
в избранное
IKW50N60H3FKSA1, IGBT транзистор Infineon Technologies, 600 В, 100 А, 333 Вт, корпус TO-247-3
IKW50N60H3FKSA1, IGBT транзистор Infineon Technologies, 600 В, 100 А, 333 Вт, корпус TO-247-3
255 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 288 — 208,02 ₽/шт
от 289 — 199,13 ₽/шт
от 603 — 195,56 ₽/шт
в избранное
IKW50N60DTPXKSA1, Высокоскоростной IGBT транзистор Infineon Technologies, 600В, 80А, 319.2Вт корпус TO-247-3
IKW50N60DTPXKSA1, Высокоскоростной IGBT транзистор Infineon Technologies, 600В, 80А, 319.2Вт корпус TO-247-3
210 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 243 — 246,60 ₽/шт
от 244 — 236,06 ₽/шт
от 509 — 231,85 ₽/шт
в избранное
IKW40N120T2FKSA1, IGBT транзистор Infineon Technologies, 1200 В, 75 А, 480 Вт, корпус TO-247-3
IKW40N120T2FKSA1, IGBT транзистор Infineon Technologies, 1200 В, 75 А, 480 Вт, корпус TO-247-3
180 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 189 — 317,03 ₽/шт
от 190 — 303,48 ₽/шт
от 396 — 298,06 ₽/шт
в избранное
IKW40N120H3FKSA1, IGBT транзистор Infineon Technologies, 1200 В, 80 А, 483 Вт, корпус TO-247-3
IKW40N120H3FKSA1, IGBT транзистор Infineon Technologies, 1200 В, 80 А, 483 Вт, корпус TO-247-3
125 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 246 — 243,10 ₽/шт
от 247 — 232,70 ₽/шт
от 516 — 228,55 ₽/шт
в избранное
IKW30N65H5XKSA1, IGBT транзистор Infineon Technologies, 55А,1.65В,188Вт, 650В, TO-247-3
IKW30N65H5XKSA1, IGBT транзистор Infineon Technologies, 55А,1.65В,188Вт, 650В, TO-247-3
165 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 288 — 207,65 ₽/шт
от 289 — 198,78 ₽/шт
от 604 — 195,23 ₽/шт
в избранное
IKW30N60DTPXKSA1, IGBT транзистор Infineon Technologies , 600В, 30А, 200Вт, корпус TO-247-3
IKW30N60DTPXKSA1, IGBT транзистор Infineon Technologies , 600В, 30А, 200Вт, корпус TO-247-3
266 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 203 — 294,48 ₽/шт
от 204 — 281,89 ₽/шт
от 426 — 276,86 ₽/шт
в избранное
IGW30N60H3FKSA1, IGBT транзистор Infineon Technologies, 600В, 60А, 187Вт, корпус TO-247-3
IGW30N60H3FKSA1, IGBT транзистор Infineon Technologies, 600В, 60А, 187Вт, корпус TO-247-3
122 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 140 — 428,29 ₽/шт
от 141 — 409,99 ₽/шт
от 293 — 402,67 ₽/шт
в избранное
FQT7N10LTF HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 100 В, 4 А, 150 мОм, SOT-223
FQT7N10LTF HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 100 В, 4 А, 150 мОм, SOT-223
950 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 4273 — 14,04 ₽/шт
от 4274 — 13,44 ₽/шт
от 8929 — 13,20 ₽/шт
в избранное
FQD7N20LTM JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 200 В, 9 А, 300 мОм, TO-252 (DPAK)
FQD7N20LTM JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 200 В, 9 А, 300 мОм, TO-252 (DPAK)
2425 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 1983 — 30,25 ₽/шт
от 1984 — 28,97 ₽/шт
от 4143 — 28,45 ₽/шт
в избранное
FQD19N10TM JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 100 В, 19 А, 60 мОм, TO-252 (DPAK)
FQD19N10TM JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 100 В, 19 А, 60 мОм, TO-252 (DPAK)
2400 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 2688 — 22,32 ₽/шт
от 2689 — 21,37 ₽/шт
от 5615 — 20,99 ₽/шт
в избранное
FF300R12KS4HOSA1, IGBT модуль Infineon Technologies, 1200 В, 370 А, 1950 Вт, корпус Screw Mount Module 62 mm
FF300R12KS4HOSA1, IGBT модуль Infineon Technologies, 1200 В, 370 А, 1950 Вт, корпус Screw Mount Module 62 mm
8 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 4 — 14 023,10 ₽/шт
от 5 — 13 423,82 ₽/шт
от 9 — 13 184,11 ₽/шт
в избранное
FF200R12KT4HOSA1, IGBT модуль Infineon Technologies, 1200 В, 320 А, 1100 Вт, корпус Screw Mount Module 62 mm
FF200R12KT4HOSA1, IGBT модуль Infineon Technologies, 1200 В, 320 А, 1100 Вт, корпус Screw Mount Module 62 mm
Под заказ
1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 10 — 5 608,28 ₽/шт
от 11 — 5 368,61 ₽/шт
от 23 — 5 272,74 ₽/шт
в избранное
FDV303N Elecsuper полевой транзистор (MOSFET) N-канал, 20 В, 1.25 А, 0.3 Ом, 0.8 нКл, SOT-23
FDV303N Elecsuper полевой транзистор (MOSFET) N-канал, 20 В, 1.25 А, 0.3 Ом, 0.8 нКл, SOT-23
8000 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 41666 — 1,44 ₽/шт
от 41667 — 1,38 ₽/шт
от 86957 — 1,36 ₽/шт
в избранное
FDV301N Elecsuper полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 20 В, 1.25 А, 300 мОм, SOT-23
FDV301N Elecsuper полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 20 В, 1.25 А, 300 мОм, SOT-23
12500 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 29069 — 2,06 ₽/шт
от 29070 — 1,97 ₽/шт
от 60976 — 1,93 ₽/шт
в избранное
FDS4435BZ HXY полевой транзистор (MOSFET), P-канал, -30 В, -9.7 А, 28 мОм, 33.8 нКл, SOP-8
FDS4435BZ HXY полевой транзистор (MOSFET), P-канал, -30 В, -9.7 А, 28 мОм, 33.8 нКл, SOP-8
2500 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 6053 — 9,91 ₽/шт
от 6054 — 9,49 ₽/шт
от 12643 — 9,31 ₽/шт
в избранное
FDN86246 JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 150 В, 1.8 А, 280 мОм, 18 нКл, SOT-23
FDN86246 JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 150 В, 1.8 А, 280 мОм, 18 нКл, SOT-23
1850 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 4840 — 12,40 ₽/шт
от 4841 — 11,86 ₽/шт
от 10122 — 11,65 ₽/шт
в избранное
FDD6637, Полевой P-канальный транзистор ON Semiconductor, 35В, 55А, 3.1Вт, корпус DPAK (TO-252AA)
FDD6637, Полевой P-канальный транзистор ON Semiconductor, 35В, 55А, 3.1Вт, корпус DPAK (TO-252AA)
2500 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 1040 — 57,65 ₽/шт
от 1041 — 55,19 ₽/шт
от 2175 — 54,19 ₽/шт
в избранное
ES50N06 Elecsuper полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 60 В, 20 А, TO-252 (DPAK)
ES50N06 Elecsuper полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 60 В, 20 А, TO-252 (DPAK)
2300 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 14245 — 4,21 ₽/шт
от 14246 — 4,03 ₽/шт
от 29762 — 3,96 ₽/шт
в избранное
BSS84PH6327XTSA2, Полевой P-канальный транзистор Infineon Technologies, 60В, 0.17А, 0.36Вт, 8.0 Ом, корпус SOT-23-3
BSS84PH6327XTSA2, Полевой P-канальный транзистор Infineon Technologies, 60В, 0.17А, 0.36Вт, 8.0 Ом, корпус SOT-23-3
29250 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 13477 — 4,45 ₽/шт
от 13478 — 4,27 ₽/шт
от 28090 — 4,19 ₽/шт
в избранное
BSS83PH6327XTSA1, Полевой P-канальный транзистор Infineon Technologies, 60В, 0.33А, 0.36Вт, 2.0 Ом, корпус SOT-23-3
BSS83PH6327XTSA1, Полевой P-канальный транзистор Infineon Technologies, 60В, 0.33А, 0.36Вт, 2.0 Ом, корпус SOT-23-3
5550 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 7309 — 8,21 ₽/шт
от 7310 — 7,86 ₽/шт
от 15268 — 7,73 ₽/шт
в избранное
BSS308PEH6327 Elecsuper полевой транзистор (MOSFET), P-канал, -30 В, -3.8 А, 60 Ом, 6.5 нКл, SOT-23
BSS308PEH6327 Elecsuper полевой транзистор (MOSFET), P-канал, -30 В, -3.8 А, 60 Ом, 6.5 нКл, SOT-23
8700 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 26737 — 2,24 ₽/шт
от 26738 — 2,15 ₽/шт
от 55866 — 2,11 ₽/шт
в избранное
BSS138W Elecsuper полевой транзистор (MOSFET) N-канал, 60 В, 0.36 А, 1.9 Ом, 1 нКл, SOT-323
BSS138W Elecsuper полевой транзистор (MOSFET) N-канал, 60 В, 0.36 А, 1.9 Ом, 1 нКл, SOT-323
58500 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 49019 — 1,22 ₽/шт
от 49020 — 1,18 ₽/шт
от 102041 — 1,15 ₽/шт
в избранное
BSS138PW Elecsuper полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 60 В, 0.3 А, 2.2 Ом, SOT-323
BSS138PW Elecsuper полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 60 В, 0.3 А, 2.2 Ом, SOT-323
5000 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 56179 — 1,07 ₽/шт
от 56180 — 1,02 ₽/шт
от 117648 — 1,00 ₽/шт
в избранное
BSS138LT1G,Транзистор полевой ON Semiconductor, N-канальный, 50В, 0.2А, 0.36Вт, 3.5 Ом, корпус SOT-23-3
BSS138LT1G,Транзистор полевой ON Semiconductor, N-канальный, 50В, 0.2А, 0.36Вт, 3.5 Ом, корпус SOT-23-3
24500 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 17605 — 3,41 ₽/шт
от 17606 — 3,26 ₽/шт
от 36765 — 3,20 ₽/шт
в избранное
BSS138BKW Elecsuper полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 60 В, 0.36 А, 1.9 Ом, SOT-323
BSS138BKW Elecsuper полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 60 В, 0.36 А, 1.9 Ом, SOT-323
22500 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 38461 — 1,56 ₽/шт
от 38462 — 1,49 ₽/шт
от 80646 — 1,46 ₽/шт
в избранное
AOD536 Elecsuper полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 30 В, 39 А, 15 нКл, TO-252 (DPAK)
AOD536 Elecsuper полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 30 В, 39 А, 15 нКл, TO-252 (DPAK)
2400 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 7132 — 8,41 ₽/шт
от 7133 — 8,05 ₽/шт
от 14904 — 7,91 ₽/шт
в избранное

Смотрите также:

Силовые приборы Резисторы Конденсаторы Микросхемы Диоды Стабилитроны Транзисторы Тиристоры Реле Каталог Разъемы, соединители
X
Заказать обратный звонок Ваше имя: Телефон: Дата: Время звонка: Комментарий:
Ваша заявка отправлена!