Каталог товаров

Обратная связь
Получить информацию о наличии товара вы можете у наших менеджеров, позвонив по телефону
(812) 565-06-52
Также вы можете написать нам
Ответы на вопросы

Транзисторы, стр.44

2151-2200 из 4091 товаров
Сортировка:
Название Цена Дешевле Дороже Наличие: Больше Меньше Больше
IRFL4310TRPBF JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 100 В, 5 А, 120 мОм, 18 нКл, SOT-223
IRFL4310TRPBF JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 100 В, 5 А, 120 мОм, 18 нКл, SOT-223
2550 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 4835 — 12,61 ₽/шт
от 4836 — 12,08 ₽/шт
от 10102 — 11,86 ₽/шт
в избранное
IRFB7537PBF JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 60 В, 180 А, 5 мОм, TO-220
IRFB7537PBF JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 60 В, 180 А, 5 мОм, TO-220
620 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 1059 — 57,57 ₽/шт
от 1060 — 55,12 ₽/шт
от 2214 — 54,13 ₽/шт
в избранное
IRFB5615PBF JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 150 В, 40 А, 40 мОм, TO-220
IRFB5615PBF JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 150 В, 40 А, 40 мОм, TO-220
1900 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 1386 — 43,99 ₽/шт
от 1387 — 42,11 ₽/шт
от 2897 — 41,36 ₽/шт
в избранное
IRFB4321PBF JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 200 В, 50 А, 50 мОм, TO-220
IRFB4321PBF JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 200 В, 50 А, 50 мОм, TO-220
925 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 525 — 116,03 ₽/шт
от 526 — 111,07 ₽/шт
от 1099 — 109,09 ₽/шт
в избранное
IRFB4115PBF, Полевой N-канальный транзистор Infineon Technologies, 150В, 104А, 380Вт, корпус TO- 220-3
IRFB4115PBF, Полевой N-канальный транзистор Infineon Technologies, 150В, 104А, 380Вт, корпус TO- 220-3
388 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 810 — 75,26 ₽/шт
от 811 — 72,05 ₽/шт
от 1694 — 70,76 ₽/шт
в избранное
IRFB3607PBF JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 80 В, 100 А, 8.2 мОм, TO-220
IRFB3607PBF JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 80 В, 100 А, 8.2 мОм, TO-220
1280 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 2393 — 25,49 ₽/шт
от 2394 — 24,39 ₽/шт
от 5003 — 23,96 ₽/шт
в избранное
IRFB3307ZPBF, Полевой N-канальный транзистор Infineon Technologies, 75В,120A, 230Вт, корпус TO-220-3
IRFB3307ZPBF, Полевой N-канальный транзистор Infineon Technologies, 75В,120A, 230Вт, корпус TO-220-3
656 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 861 — 70,82 ₽/шт
от 862 — 67,80 ₽/шт
от 1800 — 66,59 ₽/шт
в избранное
IRFB3206NPBF JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 60 В, 120 А, 5 мОм, 115 нКл, TO- 220
IRFB3206NPBF JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 60 В, 120 А, 5 мОм, 115 нКл, TO- 220
650 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 1034 — 58,95 ₽/шт
от 1035 — 56,44 ₽/шт
от 2162 — 55,42 ₽/шт
в избранное
IRFB260NPBF
IRFB260NPBF
990 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 532 — 114,66 ₽/шт
от 533 — 109,76 ₽/шт
от 1112 — 107,80 ₽/шт
в избранное
IRF9Z34NSTRLPBF JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), P-канал, -55 В, -35 А, 55 мОм, 40 нКл, TO-263 (D2PAK)
IRF9Z34NSTRLPBF JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), P-канал, -55 В, -35 А, 55 мОм, 40 нКл, TO-263 (D2PAK)
1060 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 1640 — 37,19 ₽/шт
от 1641 — 35,60 ₽/шт
от 3428 — 34,95 ₽/шт
в избранное
IRF9640PBF JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), P-канал, -200 В, -15 А, 0.42 Ом, 68 нКл, TO- 220
IRF9640PBF JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), P-канал, -200 В, -15 А, 0.42 Ом, 68 нКл, TO- 220
900 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 1640 — 37,19 ₽/шт
от 1641 — 35,60 ₽/шт
от 3428 — 34,95 ₽/шт
в избранное
IRF9630PBF JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), P-канал, -200 В, -10 А, 0.42 Ом, 68 нКл, TO- 220
IRF9630PBF JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), P-канал, -200 В, -10 А, 0.42 Ом, 68 нКл, TO- 220
850 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 1640 — 37,19 ₽/шт
от 1641 — 35,60 ₽/шт
от 3428 — 34,95 ₽/шт
в избранное
IRF840PBF, Полевой N-канальный транзистор, 500В, 8А, 125Вт, корпус TO-220AB
IRF840PBF, Полевой N-канальный транзистор, 500В, 8А, 125Вт, корпус TO-220AB
2400 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 1249 — 48,84 ₽/шт
от 1250 — 46,75 ₽/шт
от 2610 — 45,91 ₽/шт
в избранное
IRF7828 JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 30 В, 15 А, 11 мОм, 20.8 нКл, SOP-8
IRF7828 JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 30 В, 15 А, 11 мОм, 20.8 нКл, SOP-8
3850 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 4038 — 15,10 ₽/шт
от 4039 — 14,46 ₽/шт
от 8439 — 14,20 ₽/шт
в избранное
IRF7820TRPBF, Полевой N-канальный транзистор Infineon Technologies, 200В, 3.7A, корпус SOIC-8
IRF7820TRPBF, Полевой N-канальный транзистор Infineon Technologies, 200В, 3.7A, корпус SOIC-8
3850 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 802 — 76,04 ₽/шт
от 803 — 72,79 ₽/шт
от 1677 — 71,49 ₽/шт
в избранное
IRF7425TRPBF, Полевой P-канальный транзистор Infineon Technologies, 20В,15A, корпус SOIC-8
IRF7425TRPBF, Полевой P-канальный транзистор Infineon Technologies, 20В,15A, корпус SOIC-8
780 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 835 — 73,00 ₽/шт
от 836 — 69,89 ₽/шт
от 1746 — 68,64 ₽/шт
в избранное
IRF7413ZTRPBF, Полевой N-канальный транзистор Infineon Technologies, 30В,13A, 2.5Вт, корпус SOIC-8
IRF7413ZTRPBF, Полевой N-канальный транзистор Infineon Technologies, 30В,13A, 2.5Вт, корпус SOIC-8
350 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 1591 — 38,32 ₽/шт
от 1592 — 36,69 ₽/шт
от 3326 — 36,03 ₽/шт
в избранное
IRF740ASTRLPBF JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 400 В, 10 А, 28 нКл, TO-263 (D2PAK)
IRF740ASTRLPBF JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 400 В, 10 А, 28 нКл, TO-263 (D2PAK)
1250 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 1230 — 49,59 ₽/шт
от 1231 — 47,48 ₽/шт
от 2570 — 46,63 ₽/шт
в избранное
IRF7351TRPBF, Сборка из двух полевых N-канальных транзисторов Infineon Technologies, 60В, 8А, 2.0Вт, корпус SOIC-8
IRF7351TRPBF, Сборка из двух полевых N-канальных транзисторов Infineon Technologies, 60В, 8А, 2.0Вт, корпус SOIC-8
1950 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 1275 — 47,82 ₽/шт
от 1276 — 45,79 ₽/шт
от 2665 — 44,97 ₽/шт
в избранное
IRF7241TRPBF, Полевой P-канальный транзистор Infineon Technologies, 40В, 6.2А, 2.5Вт, корпус SOIC-8
IRF7241TRPBF, Полевой P-канальный транзистор Infineon Technologies, 40В, 6.2А, 2.5Вт, корпус SOIC-8
940 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 1096 — 55,64 ₽/шт
от 1097 — 53,27 ₽/шт
от 2291 — 52,31 ₽/шт
в избранное
IRF7104TRPBF, Сборка полевых P-канальных транзисторов Infineon Technologies, 20В, 2.3А, 2Вт, корпус SOIC-8
IRF7104TRPBF, Сборка полевых P-канальных транзисторов Infineon Technologies, 20В, 2.3А, 2Вт, корпус SOIC-8
3925 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 1638 — 37,22 ₽/шт
от 1639 — 35,62 ₽/шт
от 3425 — 34,99 ₽/шт
в избранное
IRF640NSTRLPBF, Полевой N-канальный транзистор Infineon Technologies, 200В, 18А, 150Вт, корпус D2Pak (TO-263)
IRF640NSTRLPBF, Полевой N-канальный транзистор Infineon Technologies, 200В, 18А, 150Вт, корпус D2Pak (TO-263)
1113 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 1591 — 38,32 ₽/шт
от 1592 — 36,69 ₽/шт
от 3326 — 36,03 ₽/шт
в избранное
IRF640NPBF JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 200 В, 18 А, 0.15 Ом, 38 нКл, TO- 220
IRF640NPBF JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 200 В, 18 А, 0.15 Ом, 38 нКл, TO- 220
1279 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 2379 — 25,63 ₽/шт
от 2380 — 24,53 ₽/шт
от 4973 — 24,10 ₽/шт
в избранное
IRF6216TRPBF, Полевой P-канальный транзистор Infineon Technologies, 150В, 2.2A, корпус SOIC-8
IRF6216TRPBF, Полевой P-канальный транзистор Infineon Technologies, 150В, 2.2A, корпус SOIC-8
3875 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 1429 — 42,68 ₽/шт
от 1430 — 40,85 ₽/шт
от 2987 — 40,11 ₽/шт
в избранное
IRF530NS HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 100 В, 33 А, 38 мОм, 53 нКл, TO-263 (D2PAK)
IRF530NS HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 100 В, 33 А, 38 мОм, 53 нКл, TO-263 (D2PAK)
1500 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 1689 — 36,11 ₽/шт
от 1690 — 34,57 ₽/шт
от 3529 — 33,95 ₽/шт
в избранное
IRF530N JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 100 В, 33 А, 38 мОм, TO-220
IRF530N JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 100 В, 33 А, 38 мОм, TO-220
1870 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 2925 — 20,85 ₽/шт
от 2926 — 19,96 ₽/шт
от 6113 — 19,61 ₽/шт
в избранное
IRF5305PBF JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), P-канал, -60 В, -35 А, 55 мОм, 40 нКл, TO-220
IRF5305PBF JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), P-канал, -60 В, -35 А, 55 мОм, 40 нКл, TO-220
250 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 1871 — 32,59 ₽/шт
от 1872 — 31,20 ₽/шт
от 3911 — 30,63 ₽/шт
в избранное
IRF5210PBF JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), P-канал, -100 В, -40 А, 55 мОм, 180 нКл, TO-220
IRF5210PBF JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), P-канал, -100 В, -40 А, 55 мОм, 180 нКл, TO-220
550 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 1058 — 57,61 ₽/шт
от 1059 — 55,14 ₽/шт
от 2213 — 54,17 ₽/шт
в избранное
IRF3415PBF, Полевой N-канальный транзистор Infineon Technologies, 150В, 43А, 200Вт, корпус TO-220-3
IRF3415PBF, Полевой N-канальный транзистор Infineon Technologies, 150В, 43А, 200Вт, корпус TO-220-3
690 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 634 — 96,10 ₽/шт
от 635 — 92,00 ₽/шт
от 1327 — 90,35 ₽/шт
в избранное
IRF3415PBF JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 200 В, 40 А, 60 мОм, TO-220
IRF3415PBF JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 200 В, 40 А, 60 мОм, TO-220
600 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 823 — 74,10 ₽/шт
от 824 — 70,94 ₽/шт
от 1720 — 69,67 ₽/шт
в избранное
IRF3205ZPBF JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 60 В, 85 А, 8.5 мОм, TO-220
IRF3205ZPBF JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 60 В, 85 А, 8.5 мОм, TO-220
1900 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 1237 — 49,29 ₽/шт
от 1238 — 47,19 ₽/шт
от 2586 — 46,35 ₽/шт
в избранное
IPW60R099C6FKSA1, Полевой N-канальный транзистор Infineon Technologies, 600В, 37.9A, 278Вт, корпус TO-247-3
IPW60R099C6FKSA1, Полевой N-канальный транзистор Infineon Technologies, 600В, 37.9A, 278Вт, корпус TO-247-3
46 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 140 — 433,15 ₽/шт
от 141 — 414,63 ₽/шт
от 295 — 407,24 ₽/шт
в избранное
IPW60R080P7XKSA1, Полевой N-канальный транзистор Infineon Technologies, 650В, 37A, 129Вт, корпус TO-247-3
IPW60R080P7XKSA1, Полевой N-канальный транзистор Infineon Technologies, 650В, 37A, 129Вт, корпус TO-247-3
60 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 99 — 615,75 ₽/шт
от 100 — 589,43 ₽/шт
от 207 — 578,90 ₽/шт
в избранное
IPW60R060P7XKSA1, Полевой N-канальный транзистор Infineon Technologies, 600В, 48A, 164Вт, корпус TO-247-3
IPW60R060P7XKSA1, Полевой N-канальный транзистор Infineon Technologies, 600В, 48A, 164Вт, корпус TO-247-3
150 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 297 — 204,84 ₽/шт
от 298 — 196,09 ₽/шт
от 623 — 192,59 ₽/шт
в избранное
IPW60R041C6FKSA1, Полевой N-канальный транзистор Infineon Technologies, 650В, 77.5A, 481Вт, корпус TO-247-3
IPW60R041C6FKSA1, Полевой N-канальный транзистор Infineon Technologies, 650В, 77.5A, 481Вт, корпус TO-247-3
66 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 101 — 602,61 ₽/шт
от 102 — 576,85 ₽/шт
от 212 — 566,56 ₽/шт
в избранное
IPT007N06NATMA1, Полевой N-канальный транзистор Infineon Technologies, 60В, 300A, корпус HSOF-8
IPT007N06NATMA1, Полевой N-канальный транзистор Infineon Technologies, 60В, 300A, корпус HSOF-8
240 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 327 — 186,03 ₽/шт
от 328 — 178,08 ₽/шт
от 686 — 174,90 ₽/шт
в избранное
IPP110N20N3GXKSA1, Полевой N-канальный транзистор Infineon Technologies, 200В, 88A, корпус TO-220-3
IPP110N20N3GXKSA1, Полевой N-канальный транзистор Infineon Technologies, 200В, 88A, корпус TO-220-3
95 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 190 — 319,84 ₽/шт
от 191 — 306,16 ₽/шт
от 399 — 300,69 ₽/шт
в избранное
IPD65R400CEAUMA1, Транзистор полевой N-канальный Infineon Technologies, 700В, 15.1A, корпус TO-252-3(DPAK)
IPD65R400CEAUMA1, Транзистор полевой N-канальный Infineon Technologies, 700В, 15.1A, корпус TO-252-3(DPAK)
787 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 915 — 66,64 ₽/шт
от 916 — 63,78 ₽/шт
от 1913 — 62,65 ₽/шт
в избранное
IPD35N10S3L26ATMA1, Транзистор полевой N-канальный Infineon Technologies, 35A,100В, корпус TO-252-3(DPAK)
IPD35N10S3L26ATMA1, Транзистор полевой N-канальный Infineon Technologies, 35A,100В, корпус TO-252-3(DPAK)
1000 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 999 — 61,05 ₽/шт
от 1000 — 58,44 ₽/шт
от 2088 — 57,40 ₽/шт
в избранное
IKW50N60H3FKSA1, IGBT транзистор Infineon Technologies, 600 В, 100 А, 333 Вт, корпус TO-247-3
IKW50N60H3FKSA1, IGBT транзистор Infineon Technologies, 600 В, 100 А, 333 Вт, корпус TO-247-3
255 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 288 — 211,47 ₽/шт
от 289 — 202,43 ₽/шт
от 603 — 198,82 ₽/шт
в избранное
IKW50N60DTPXKSA1, Высокоскоростной IGBT транзистор Infineon Technologies, 600В, 80А, 319.2Вт корпус TO-247-3
IKW50N60DTPXKSA1, Высокоскоростной IGBT транзистор Infineon Technologies, 600В, 80А, 319.2Вт корпус TO-247-3
200 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 243 — 250,71 ₽/шт
от 244 — 240,00 ₽/шт
от 509 — 235,70 ₽/шт
в избранное
IKW40N120T2FKSA1, IGBT транзистор Infineon Technologies, 1200 В, 75 А, 480 Вт, корпус TO-247-3
IKW40N120T2FKSA1, IGBT транзистор Infineon Technologies, 1200 В, 75 А, 480 Вт, корпус TO-247-3
120 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 189 — 322,31 ₽/шт
от 190 — 308,54 ₽/шт
от 396 — 303,02 ₽/шт
в избранное
IKW40N120H3FKSA1, IGBT транзистор Infineon Technologies, 1200 В, 80 А, 483 Вт, корпус TO-247-3
IKW40N120H3FKSA1, IGBT транзистор Infineon Technologies, 1200 В, 80 А, 483 Вт, корпус TO-247-3
Под заказ
1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 296 — 206,02 ₽/шт
от 297 — 197,23 ₽/шт
от 619 — 193,70 ₽/шт
в избранное
IKW30N65H5XKSA1, IGBT транзистор Infineon Technologies, 55А,1.65В,188Вт, 650В, TO-247-3
IKW30N65H5XKSA1, IGBT транзистор Infineon Technologies, 55А,1.65В,188Вт, 650В, TO-247-3
165 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 288 — 211,11 ₽/шт
от 289 — 202,09 ₽/шт
от 604 — 198,48 ₽/шт
в избранное
IKW30N60DTPXKSA1, IGBT транзистор Infineon Technologies , 600В, 30А, 200Вт, корпус TO-247-3
IKW30N60DTPXKSA1, IGBT транзистор Infineon Technologies , 600В, 30А, 200Вт, корпус TO-247-3
266 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 203 — 299,38 ₽/шт
от 204 — 286,59 ₽/шт
от 426 — 281,47 ₽/шт
в избранное
IGW30N60H3FKSA1, IGBT транзистор Infineon Technologies, 600В, 60А, 187Вт, корпус TO-247-3
IGW30N60H3FKSA1, IGBT транзистор Infineon Technologies, 600В, 60А, 187Вт, корпус TO-247-3
122 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 140 — 435,43 ₽/шт
от 141 — 416,83 ₽/шт
от 293 — 409,37 ₽/шт
в избранное
FQT7N10LTF HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 100 В, 4 А, 150 мОм, SOT-223
FQT7N10LTF HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 100 В, 4 А, 150 мОм, SOT-223
950 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 4269 — 14,29 ₽/шт
от 4270 — 13,68 ₽/шт
от 8921 — 13,43 ₽/шт
в избранное
FQD7N20LTM JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 200 В, 9 А, 300 мОм, TO-252 (DPAK)
FQD7N20LTM JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 200 В, 9 А, 300 мОм, TO-252 (DPAK)
2425 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 2107 — 28,95 ₽/шт
от 2108 — 27,71 ₽/шт
от 4404 — 27,22 ₽/шт
в избранное
FQD19N10TM JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 100 В, 19 А, 60 мОм, TO-252 (DPAK)
FQD19N10TM JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 100 В, 19 А, 60 мОм, TO-252 (DPAK)
2350 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 2686 — 22,70 ₽/шт
от 2687 — 21,74 ₽/шт
от 5612 — 21,35 ₽/шт
в избранное
FF300R12KS4HOSA1, IGBT модуль Infineon Technologies, 1200 В, 370 А, 1950 Вт, корпус Screw Mount Module 62 mm
FF300R12KS4HOSA1, IGBT модуль Infineon Technologies, 1200 В, 370 А, 1950 Вт, корпус Screw Mount Module 62 mm
8 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 4 — 14 256,82 ₽/шт
от 5 — 13 647,55 ₽/шт
от 9 — 13 403,85 ₽/шт
в избранное

Смотрите также:

Силовые приборы Резисторы Конденсаторы Микросхемы Диоды Стабилитроны Транзисторы Тиристоры Реле Каталог Разъемы, соединители
X
Заказать обратный звонок Ваше имя: Телефон: Дата: Время звонка: Комментарий:
Ваша заявка отправлена!