4N35 арт. L4N35 купить за 11.93 руб. в СПб | Радиоэлемент

4N35

Производитель: EVERLIGHT Electronics Corp. , Ltd., Taiwan
Артикул: L3342323
Краткое наименование: 4N35

{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}} {{exploded.vat.fractional}} ₽/шт

Цена без НДС - {{exploded.novat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.novat.fractional}} ₽/шт

375 шт
5 дней

В корзину

Минимальная партия:

304 шт

до 7077 шт — 12,07 ₽/шт

от 7078 шт — 11,68 ₽/шт

от 10450 шт — 11,10 ₽/шт

в избранное

Купить в 1 клик Заказать больше

Описание

Характеристики

Доп. характеристики

Аналоги

Документация

Доставка, оплата, гарантии

Ответы на вопросы

Корпус DIP6300

Тип	High Speed CAN Transceiver
Номинал	Fuse 5*20 10А 250В
Мощность	0,2Вт
Тип упаковки	Tube (туба)
Приемка	ОТК
Примечание	Шоттки 40В 1А
Корпус	DIP-6
Нормоупаковка	65 шт
Описание Eng	Опто транзистор x1 3.55kV 30V 0.1A Кус=100% 0.35W -55...+100C
Максимальный входной ток Iвх.макс.,мА	60
Выходной каскад	дарлингтон
Диапазон рабочих температур, оС	-55...100
Количество каналов	1
Максимальное входное обратное напряжение Uвх.обр.макс.,В	3
Максимальное напряжение изоляции,В	5300
Максимальное выходное коммутируемое напряжение Uвых.ком.макс.,В	30
Максимальный выходной ток Iвых.макс.мА	125
Постоянное прямое входное напряжение Uвх.,В	1.5
Вес	0,64
Описание	4N35(37).pdf
Упаковка	Tube (туба)
Номинальное напряжение	250В
Полярность	NPN
Hfe при токе коллектора, А	0.002
Hfe при напряжении к-э, В	5
Cопротивление (значение)	1
Hfe min	220
Hfe max	475
C вх. (входная ёмкость)	75 пФ
C ном. (ёмкость номинальная)	82 пФ
Data code	2
Iимп. Коллектора, мА	500
P ном. (мощность номинальная)	2 Вт
R ном. (сопротивление номинальное)	150 кОм
R (сопротивление)	400 мОм
Rds(on) (сопротивление канала)	600 мОм
Q g (заряд затвора)	5.1 нКл
I d (ток стока при 25°C)	0.28 А
If (прямой ток)	1 А
I макс. (максимальный постоянный ток)	50 мА
L (Индуктивность)	1 мкГн
R ном. (Номинальное сопротивление)	5 кОм
P рас. (Мощность рассеяния)	0.125 Вт
MSL(Уровень чувствительности к влажности)	1
I max DC (максимальный постоянный ток)	50 мА
Uк-э, В	50
V(br)dss (напряжение сток-исток)	60 В
Vrrm (максимальное обратное напряжение)	1000 В
Vf (прямое падение напряжения)	1,1 В
trr (время обратного восстановления)	1500 нс
U раб. (рабочее напряжение)	50 В
Архитектура	Sigma-Delta
Активное сопротивление,Ом	120
Вес брутто	0.22
Быстродействие	Не более 500нс при токе более 200мА
Внешние размеры	19,5 x 6 x 9,35мм
Время задержки, нС	1300
Внутреннее АЦП	10 B
Время восстановления	12нс
Время	260 нс
Время обратного восстановления (trr), нс	150
Время сигнала сброса	140 ms Minimum
Входное напряжение	0,8…5,5 (max) В
Выходное напряжение	1.176 V ~ 33 V
Высота	15 мм
Входной ток смещения, мкА	0.25
Высота корпуса, мм	0.8
Высота, мм	18
Входная емкость	1400pF
Входной ток	3 пА
Выходное напряж. Фикс. или Мин.	5 В
Входы - Side 1/Side 2	1/0
Выходной ток	высокого/ низкого уровня - 50 мА
Глубина	L - 81 мм
Выходное напряжение, В (фикс)	5
Выходное напряжение, В	5
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр,МГц	100
Диаметр	заглушки/отверстия: 12 мм
Гистерезис приемника	500mV
Гальваническая развязка	нет
Глубина, мм	18
Граничная частота ft, МГц	100
Выходной интерфейс данных	IВІC
Диапазон рабочих температур	-55…+150 °С
Диапазон рабочих температур, гр.С	-40.00....+85.00
Диаметр, мм	19
Диаметр корпуса, мм	5
Диапазон рабочих температур, °C	-40…+85
Диаметр установочного отверстия, мм	12
Диапазон частот, Гц	400-10000
Диаметр магнита , мм	19
Диаметр отверстия, мм	5
Длина кабеля	150 мм
Допуск	±30%
Дуплекс	Full
Длина	18 мм
Длина корпуса L,мм	2
Допуск номинала,%	10
Диэлектрик	C0G/NP0
Длина корпуса, мм	20
Допуск номинальной индуктивности,%	20
Длина, мм	12.8
Диэлектрическая прочность	500 (50 Гц, 1 мин.) В
Допустимое отклонение	±10%
Допускаемое отклонение характеристик, %	15
Динамическое сопротивление	15Ом
Защита	от электростатических разрядов (ESD до ±12 кВ)
Емкость	10мкФ
Емкость ПЗУ, слов	128 kB
Емкость ОЗУ, Байт	4 kB
Изоляция наконечника	изолированный
Единица измерения	мкФ
Емкость (значение)	10
Заряд	затвора (Qg) - 15 нКл
Емкость - пФ	15
Заряд затвора, нКл	1,5
Интерфейс	CAN
Индуктивность	2.2µH
Исполнение	однофазный
Импеданс ,Ом	8
Интерфейсы	CAN, DCMI, EBI/EMI, Ethernet, I2C, IrDA
Исполнение разъема	блочный
Количество входов-выходов	53 вх./вых.
Количество контактов	40
Кол-во, транзисторов	7
Кол-во диодов	1
Количество контактов в ряду	2
Количество в упаковке	5000
Количество защищаемых линий	1
Количество	драйвер - 1; ресивер - 1
Количество приемо/передатчиков	1Dr/1Re
Конденсаторные составляющие	3,3 нФ
Количество рядов	1
Количество элементов питания	3 шт
Количество ОУ в корпусе	2
КПД	79%
Контакты	цилиндрические
Конфигурация	кол-во каналов - 1
Макс. входное напряжение, В	30
Крутизна характеристики S,А/В	2.7
Конструктивное исполнение	SMD
Коэффициент	температурный - 10 ppm/ с
Контактное сопротивление, не более	20 мОм
Коэффициент усиления hFE мин.	220
Кратность (продажи)	50
Коэффициент усиления hFE макс.	475
Коэффициент усиления hFE	220 - 475
Максимальная мощность	540 мВт
Максимальное напряжение питания, В	15
Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А)	0.1
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В	65
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В	80
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт	0.225
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс.,Вт	2.5
Максимальное время обратного восстановления,мкс	0.075
Максимальное импульсное обратное напряжение,В	1200
Максимально допустимый прямой импульсный ток,А	30
Максимальное напряжение стабилизации,В	9,555
Макс.рабочее напряжение, В	75
Макс.частота сигнала, МГц	20
Максимальное входное напряжение	35 V
Максимальное напряжение сток-исток	100V
Максимально допустимое напряжение	затвор-исток (Vgs) ± 8 В
Максимально допустимый ударный прямой ток	(Ifsm) - 800 А
Максимальная мощность (Вт)	1
Максимальное напряжение ограничения, В	10
Максимальное напряжение КБ (Vcbo), В	-80
Максимальное напряжение КЭ (Vceo), В	-65
Макс. рассеиваемая мощность	350мВт
Максимальная рассеиваемая мощность	2 Вт
Материал	медь луженая
Максимальный ток	Id - максимальный продолжительный, непрерывный ток стока - 4,3 A
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	-150
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А	-2.2
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В	-5
Максимальное постоянное обратное напряжение,В	1000
Максимальный прямой (выпрямленный за полупериод) ток,А	1
Максимальный обратный ток,мкА 25гр	5
Максимальное прямое напряжение,В при 25гр.	1.1
Максимальное сечение провода, кв.мм.	6
Максимальный постоянный ток,мА	2500
Максимальный прямой ток	(If) - 3 А
Материал (Рабочей поверхности)	металлокерамика
Максимальное обратное напряжение (Vrrm), В	1000
Максимальный прямой ток, А	1
Максимальный импульсный ток (Ipp), А	8
Максимальный постоянный ток коллектора, А	-0,1
Максимальное напряжение сток-исток, В	60
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А	0,115
Максимальное напряжение ЭБ (Vebo), В	-5
Максимальное обратное напряжение (Vr)	1000В
Максимальное прямое напряжение (Vf) при токе If	1.1В при 1A
Монтаж	THT
Минимальное напряжение питания, В	5.1
Мин. входное напряжение, В	7
Минимальное напряжение стабилизации,В	8,645
Материал резистивного элемента	толстопленочные
Материал контактов	фосфористая бронза
Материал изолятора	полимер усиленный стекловолокном
Минимальное сечение провода, кв.мм	2.5
Минимальное входное напряжение	3 V
Материал уплотнителя	EPDM
Минимальное напряжение срабатывания, В	5,8
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм	1000
Материал изделия	медь
Напряжение	пороговое затвора (Vgs th) - 4 В
Мощность (Вт)	0.35 Вт
Назначение	General Purpose
Налич. внеш. конденсаторов	есть
Мощность рассеяния,Вт	0.35
Мощность рассеивания	150Вт
Мощность Макс.	2.5Вт
Напряжение входа, В	3…3.6 В
Напряжение выхода 1,В	5
Напряжение изоляции	2,5 кВ (rms)
Напряжение питания	3,135...3,465 В
Напряжение коллектор-эмиттер	65В
Напряжение питания, В	1.65 V ~ 5.5 V
Напряжение питания - макс, В	36
Напряжение питания - мин., В	18
Напряжение смещения - макс. мВ	7
Напряжение пробоя ,В	36.7V
Напряжение стабилизации	9.1В
Напряжение эмиттер-база	-5В
Напряжение коллектор-база	-80В
Напряжение несрабатывания, В	5
Напряжение стабилизации, В	9,1
Напряжение насыщения КЭ Vce(sat), В	-0,5
Напряжение КЭ Макс.	65 В
Напряжение фиксации, В	69.7V
Напряжение смещения	7mV @ 30V
Напряжение сток-исток макс.	150В
Номинальный ток	15 А
Номин. выходной ток, А	0.1
Номинальное напряжение, В.	250
Номинальное напряжение стабилизации,В	4.7
Номинальная мощность, Вт	0.1
Номинальное сопротивление, Ом	0.22
Номинальная индуктивность ,мкГн	47
Начальная точность, %	0.1
Нестабильность	выходного напряжения или тока - 0,0005%/ В; выходной нагрузки - 0,03 %/ мА
Особенности	Логическое управление
Область применения	оконцевание опрессовкой медных кабелей и проводов под крепежный болт
Объем памяти RAM	4 kB
Объём	RAM: 384x8
Номинальный ток стабилизации,мА	5
Номинальный ток, А	10
Обьем памяти, FLASH, кБайт	128 kB
Обьем памяти, EEPROM, кБайт	4 kB
Обратное напряжение	40В
Обратный ток утечки	500нА при 6В
Обратный ток коллектор-база	-0.015uA
Общий заряд затвора	61nC
Отклонение	±6%
Обороты	1
Основные размеры	D - 17; B - 34; L - 81; d - 22; d1 - 17 мм
Отклонение (допустимое)	M (±20%)
НУЛЛ 0	1.0
Объем RAM	128K x 8
Объем EEPROM	4K x 8
Объем и организация памяти	1M (128K x 8)
Падение напряжения	(max) при Iнаг.: 0А-0,003В; 1мА-0,01В; 10мА-0,06В; 50мА-0,15В; 150мА-0,35В (Uотп.typ=280 мВ)
Погрешность	установки выходного напряжения: 5%
Периферия	Brown-out Detect/Reset, DMA, I2S, LCD,
Падение напряжения вх/вых, В	2
Покрытие контактов	гальваническое золото 0.5 мкм
Повторяющееся импульсное обратное напряжение	(Vrrm) - 100 (max) В
Память	программная (Flash) - 1 мБ; ОЗУ (RAM) - 192 кБ
Поддержка	протокол RS-485
Плотность	тока шума на входе - 0.0006 пA/sqrt Гц мВт
Пиковая мощность рассеивания, Вт	80
Падение напряжения, В	выход - 1
Пиковый ток перегрузки, А	143A (8/20 µs)
Память программ	128KB (64K x 16)
Полоса пропускания	55 МГц
Полярность включения	положительная
Порты в/в	53 вх./вых.
при Iпр.,А	1
Предельное напряжение не менее,В	1500 В перем.тока в течение 1 мин.
Пороговое напряжение затвора max	4V
Потребляемый ток	35 мА
Приёмка	2020
Рабочая температура	-40…+85 °С
Размер	1206
Протокол	RS232
Рабочая температура, С	-65...150
Рабочее напряжение, В	500
Рабочий ток,А	1
Рабочая температура,оС	-25...105
Размер (DxL)	5.2x20mm
Рабочий цикл	100%
Прямое падение напряжения (Vf), В	1,1
Прямое напряжение (макс.)	500мВ при 1А
Разрядность	16
Разрешение	16 бит
Размеры крепежного элемента	M6
Резьба	М16x1; М16x0,75
Распиновка	BEC
Режим работы	полудуплекс
Резонансная частота, Гц	400
Серия	YJ
Скорость нарастания	180V/µS
Скорость передачи	1Мбит/с
Скорость передачи данных	1 Mбит/ c
Сертификаты	AECQ200
Сечение провода	120 мм
Серия каталога	PLS
Серия микроконтроллера	ATMEGA128
Скорость	передачи данных: 2 кбит/с
Скорость передачи, кБс	5000 кБод
Сигнал сброса (High/Low)	Active Low
Скорость преобразования (в секунду)	15 ~ 240
Сечение жилы, мм2	2.5
Способ монтажа	в отверстие
Средний прямой ток	1А
Сопротивление	сток-исток открытого транзистора (Rds) - 50 мОм
Статический коэффициент передачи тока hfe мин	125
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм	240
Статическое сопротивление Rст.,Ом	80
Сопротивление (значение)	330
Степень подавления помех	высокая
Сопротивление изолятора не менее,МОм	500
Сопротивление контактов не более,Ом	0.01
Степень защиты	IP55
Сопротивление изоляции, не менее	5000 МОм
Стандарт	AEC-Q100
Сопротивление изоляции, МОм, не менее	5000
Соответствие ROHS	да
Средний прямой ток (Io)	1А
Сопротивление открытого канала	240 мОм
Тактовая частота	168МГц
Технология	тип логики - True
Температура	-40…+125
Таймер	4
Структура	P-канал
Температура, С	-55...+150
Температурный коэффициент емкости	X5R
Тактовая частота, МГц	16
Температурный дрейф, ppm/°C	5
Тестовая частота	10 МГц
Температурный диапазон, °C	-40…+125
Схема включения диодов	Одиночный
Технология развязки	Magnetic Coupling
Тип корпуса	DO-41 (DO-204AL)
Тип преобразователя	DC/DC
Тип диода	общего применения
Тип выхода	Adjustable
Тип монтажа	Сквозной
Тип памяти	EEPROM
Тип входа	Differential/Single-Ended
Тип канала	P
Тип компаратора	Differential
Тип интерфейса	CAN
Тип изделия	Наконечник кабельный
Тип диэлектрика	X7R
Тип контактов	Без выводов
Тип предохранителя	Быстродействующие
Тип клемм (наконечников) для обжатия	Наконечник кабельный серии ТМЛ
Тип клемм (наконечников) для обжима	Наконечник кабельный серии ТМЛ
Тип источника	Последовательный
Тип усилителя	С обратной связью по напряжению
Типоразмер	12.8x12.8
Тип транзистора	P-канал
Ток коллектора	-0,1А
Ток	собственного потребления: 65 мкА
Типоразмер корпуса	2512
Тип разъёма	вилка
Типовое сопротивление канала в проводящем состоянии	0.2Ohm
ТКС (температурный коэффициент сопротивления)	±100 ppm/°C
ТКС	±100 ppm/°C
Тип проводимости	PNP
Тип устройства:	Transceiver
Ток коллектора Макс.	0.1 А
Ток выхода, A	0.2
Ток выхода	20mA
Тип супервизора	Simple Reset/Power-On Reset
Тип стабилизатора	Positive Adjustable
Тип/функционал	Translator, Bidirectional, Open Drain
Точность, %	J (±5%)
Ток покоя	6.6 mA
Ток питания, мА	1
Толщина	0.5 мм
Ток через шунт - макс, мА	30
Ток постоянный	обратный (Ir) - 5 мА
Ток покоя, не более	1 мкА
Транспортная упаковка: размер/кол-во	605050/4000
Ток утечки, мкА	5
Ток срабатывания	10А
Ток стока макс.	2.2A
Усиление	по напряжению - 100 дБ
Форма	кольцевая под болт М16
Функциональное назначение	вилка на плату
Форма контактов	угол 90о
Уровень звукового давления (SPL), дБ	87
Ударный прямой ток, А	30
Уровень защиты по ESD (IEC61000-4-2)	±25 кВ возд. /± 25 кВ касание
Упаковка (стандартная)	Лента
Частота	тактовая (max) - 72 МГц
Цвет	черный
Частота, МГц	тактовая (max) - 168
Цвет изоляции	желтый
Характеристика	подавление пульсаций - 45 dB (typ) дБ
Частота преобразования	500 кГц
Чувствительность	к влажности
Число компараторов	2
Электростатическая защита	нет
Число регуляторов в корпусе	1
Ширина корпуса W,мм	1.25
Ширина (диаметр) корпуса W(D),мм	0.8
Ширина, мм	12.8
Ширина корпуса, мм	0.8
Чувствительность, дБ	87
Шаг контактов,мм	2.54
Ширина	57,7 мм
Шаг	2,29 х 1,98 (гор. х верт.) мм
Экранирование	Экранированный
Элементы питания	батарея типа AA
Шаг/дискретность	шины данных: 8-бит
Число каналов	1
Число приемников/передатчиков	2/2
Число контролируемых напряжений	1
Число усилителей	1
Число входов	4
Ядро	RISK ARM® Cortex®-M4

Тип устройства	Ethernet Switch PHY
Поддерживаемые стандарты	IEEE 802.3
Минимальное напряжение питания	2 В
Максимальное напряжение питания	2,3 В
Корпус микросхемы	PQFP
Количество контактов	208 контактов
Монтаж микросхемы	Поверхностное крепление
Минимальная рабочая температура	-40 °C
Максимальная рабочая температура	85 °C
MSL	MSL 3 - 168 часов
SVHC	Нет SVHC (17 января 2022 г.)

Оптопара 4N35

Производитель: Lite-On, Inc., China
Артикул: Ц0069290
Краткое наименование: 4N35

В наличии
261 шт.

{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽

В корзину

в избранное

4N35 LITEON

Производитель: Lite-On, Inc., China
Артикул: M3147311
Краткое наименование: 4N35

3730 шт. 7 дней

{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽

В корзину

1466 — 24,95 ₽/шт.

от 1467 — 23,91 ₽/шт.

от 3572 — 23,29 ₽/шт.

в избранное

4N35, PDIP6

Производитель: EVERLIGHT Electronics Corp. , Ltd., Taiwan
Артикул: W900604220
Краткое наименование: 4N35

2900 шт. 1 неделя

{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽

В корзину

445 — 13,70 ₽/шт.

от 446 — 13,20 ₽/шт.

от 4622 — 12,18 ₽/шт.

в избранное

4N35, PDIP6

Производитель: EVERLIGHT Electronics Corp. , Ltd., Taiwan
Артикул: W2016021540
Краткое наименование: 4N35

11 шт. 1 неделя

{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽

В корзину

460 — 13,25 ₽/шт.

от 461 — 12,75 ₽/шт.

от 4785 — 11,77 ₽/шт.

в избранное

4N35M ONS

Производитель: ON Semiconductor Corporation, USA
Артикул: M3151756
Краткое наименование: 4N35

1201 шт. 7 дней

{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽

В корзину

882 — 41,49 ₽/шт.

от 883 — 39,77 ₽/шт.

от 2148 — 38,74 ₽/шт.

в избранное

Оптопары с транзисторным выходом 4N35 LIT

Артикул: DC3097903
Краткое наименование: 4N35

10457 шт. 7 дней

{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽

В корзину

1978 — 21,58 ₽/шт.

от 1979 — 20,68 ₽/шт.

от 5900 — 19,79 ₽/шт.

в избранное

Оптопары с транзисторным выходом 4N35 YOUTAI

Артикул: DC3097904
Краткое наименование: 4N35

12618 шт. 7 дней

{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽

В корзину

1924 — 22,19 ₽/шт.

от 1925 — 21,26 ₽/шт.

от 5738 — 20,35 ₽/шт.

в избранное

4N33-XXX

[716.52 КБ, pdf]

4N35_37

[291.96 КБ, pdf]

Документация на сайте производителя

Доставка

Для Санкт-Петербурга: самовывоз с нашего склада, расположенного по адресу: Железнодорожный проспект, дом 36. Работает в будние дни с 10:00 до 18:00.

Доставка в другие регионы России осуществляется транспортной компанией «Деловые линии» – мы бесплатно доставим ваш заказ до ее терминала в Санкт-Петербурге.

Подробнее

Оплата

Наша компания работает только с юридическими лицами. Все оплаты производятся только через безналичный расчет. Счет на оплату будет сформирован и выслан вам на почту после оформления заказа на сайте.

Для крупных заказчиков и постоянных клиентов предусмотрены скидки и отсрочки платежей.

Подробнее

Гарантии

Предоставляем все необходимые сертификаты на продукцию. Гарантия 12 месяцев на товар, подлежащий гарантийному обслуживанию.

Может ли физическое лицо сделать покупку в вашем магазине?

Нет, мы работаем только с юридическими лицами.

Какая минимальная сумма покупки?

Мы выставляем счет от 1000 руб.

Как у вас организована доставка заказа к месту назначения? И сколько примерно она стоит?

До терминала в Санкт-Петербурге товар доставляется транспортной компанией «Деловые линии». Для заказчика такая доставка бесплатна. Перевозку между терминалами оплачивает сам заказчик. Сумма доставки зависит от расстояния между терминалом в Санкт-Петербурге и местом назначения, а также от транспортной компании, которая осуществляет перевозку.

Заказывать доставку товара можно только в компании «Деловые линии»?

Нет, заказчик может самостоятельно выбирать транспортную компанию, которая доставит товар из терминала в Санкт-Петербурге к месту назначения.

Другие товары в разделе Everlight

EL3H7(E)(TA)-VG Оптрон, SMD, Ch: 1, OUT: транзисторный, Uизол: 3,75кВ, Uce: 80В, SSOP4 EVERLIGHT

Производитель: EVERLIGHT Electronics Corp. , Ltd., Taiwan
Краткое наименование: EL3H7(E)(TA)-VG
Артикул: H3063268

Под заказ

{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽

В корзину

до 1681 — 21,76 ₽/шт

от 1682 — 21,25 ₽/шт

от 5741 — 20,74 ₽/шт

в избранное

EL357NC-TA-G Оптопары с транзисторным выходом SOP4 EVERLIGHT

Производитель: EVERLIGHT Electronics Corp. , Ltd., Taiwan
Краткое наименование: EL357NC-TA-G
Артикул: H3063265

Под заказ

{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽

В корзину

до 4926 — 7,43 ₽/шт

от 4927 — 7,25 ₽/шт

от 16836 — 7,08 ₽/шт

в избранное

18-038BT/BDGAR6S1-CC01/10T EVERLIGHT

Производитель: EVERLIGHT Electronics Corp. , Ltd., Taiwan
Краткое наименование: 18-038BT/BDGAR6S1-CC01/10T
Артикул: IA3032747

Под заказ

{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽

В корзину

до 1519 — 28,11 ₽/шт

от 1520 — 27,45 ₽/шт

от 4445 — 26,35 ₽/шт

в избранное

Светодиоды дискретные EAST1616RGBA3 EVL

Производитель: EVERLIGHT Electronics Corp. , Ltd., Taiwan
Краткое наименование: EAST1616RGBA3
Артикул: DC3110497

Под заказ

{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽

В корзину

до 442 — 96,43 ₽/шт

от 443 — 92,42 ₽/шт

от 1321 — 88,39 ₽/шт

в избранное

EL817 Оптрон, THT, Каналы: 1, Вых: транзисторный, Uизол: 5кВ, Uce: 35В, DIP4 EVERLIGHT

Производитель: EVERLIGHT Electronics Corp. , Ltd., Taiwan
Краткое наименование: EL817
Артикул: H3063275

Под заказ

{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽

В корзину

до 2599 — 14,08 ₽/шт

от 2600 — 13,75 ₽/шт

от 8874 — 13,42 ₽/шт

в избранное