4N35M ONS арт. M120422 купить за 35.94 руб. в СПб | Радиоэлемент

4N35M ONS

Производитель: ON Semiconductor Corporation, USA
Артикул: M3151756
Краткое наименование: 4N35

{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}} {{exploded.vat.fractional}} ₽/шт

Цена без НДС - {{exploded.novat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.novat.fractional}} ₽/шт

1201 шт
7 дней

В корзину

Кратность товара:

50 шт

Минимальная партия:

153 шт

до 916 шт — 39,93 ₽/шт

от 917 шт — 38,27 ₽/шт

от 2232 шт — 37,27 ₽/шт

в избранное

Купить в 1 клик Заказать больше

Описание

Характеристики

Доп. характеристики

Аналоги

Документация

Доставка, оплата, гарантии

Ответы на вопросы

Оптопара транзисторная, x1 7.5кВ 30В 100мА 0.2Вт Кус=100% -55...+110C

Тип	High Speed CAN Transceiver
Номинал	Fuse 5*20 10А 250В
Мощность	0,2Вт
Тип упаковки	Tube (туба)
Приемка	ОТК
Примечание	Шоттки 40В 1А
Вес	1,06
Корпус	DIP-6
Описание	4N25M.pdf
Нормоупаковка	65 шт
Описание Eng	Опто транзистор x1 3.55kV 30V 0.1A Кус=100% 0.35W -55...+100C
Максимальный входной ток Iвх.макс.,мА	60
Выходной каскад	дарлингтон
Диапазон рабочих температур, оС	-55...100
Количество каналов	1
Максимальное входное обратное напряжение Uвх.обр.макс.,В	3
Максимальное напряжение изоляции,В	5300
Максимальное выходное коммутируемое напряжение Uвых.ком.макс.,В	30
Максимальный выходной ток Iвых.макс.мА	125
Постоянное прямое входное напряжение Uвх.,В	1.5
Номинальное напряжение	250В
Полярность	NPN
Hfe при токе коллектора, А	0.002
Hfe при напряжении к-э, В	5
Cопротивление (значение)	1
Hfe min	220
Hfe max	475
C вх. (входная ёмкость)	75 пФ
C ном. (ёмкость номинальная)	82 пФ
Data code	2
Iимп. Коллектора, мА	500
P ном. (мощность номинальная)	2 Вт
R ном. (сопротивление номинальное)	150 кОм
R (сопротивление)	400 мОм
Rds(on) (сопротивление канала)	600 мОм
Q g (заряд затвора)	5.1 нКл
I d (ток стока при 25°C)	0.28 А
If (прямой ток)	1 А
I макс. (максимальный постоянный ток)	50 мА
L (Индуктивность)	1 мкГн
R ном. (Номинальное сопротивление)	5 кОм
P рас. (Мощность рассеяния)	0.125 Вт
MSL(Уровень чувствительности к влажности)	1
I max DC (максимальный постоянный ток)	50 мА
Uк-э, В	50
V(br)dss (напряжение сток-исток)	60 В
Vrrm (максимальное обратное напряжение)	1000 В
Vf (прямое падение напряжения)	1,1 В
trr (время обратного восстановления)	1500 нс
U раб. (рабочее напряжение)	50 В
Внешние размеры	19,5 x 6 x 9,35мм
Архитектура	Sigma-Delta
Внутреннее АЦП	10 B
Активное сопротивление,Ом	120
Вес брутто	0.22
Быстродействие	Не более 500нс при токе более 200мА
Входное напряжение	0,8…5,5 (max) В
Время задержки, нС	1300
Время восстановления	12нс
Входная емкость	1400pF
Время	260 нс
Время обратного восстановления (trr), нс	150
Время сигнала сброса	140 ms Minimum
Выходное напряжение	1.176 V ~ 33 V
Выходной ток	высокого/ низкого уровня - 50 мА
Высота	15 мм
Входной ток смещения, мкА	0.25
Выходное напряжение, В (фикс)	5
Выходное напряжение, В	5
Высота корпуса, мм	0.8
Высота, мм	18
Входной ток	3 пА
Выходное напряж. Фикс. или Мин.	5 В
Выходной интерфейс данных	IВІC
Входы - Side 1/Side 2	1/0
Глубина	L - 81 мм
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр,МГц	100
Диаметр, мм	19
Диаметр корпуса, мм	5
Диаметр	заглушки/отверстия: 12 мм
Гистерезис приемника	500mV
Гальваническая развязка	нет
Глубина, мм	18
Диаметр установочного отверстия, мм	12
Диаметр магнита , мм	19
Диаметр отверстия, мм	5
Граничная частота ft, МГц	100
Диапазон рабочих температур	-55…+150 °С
Длина кабеля	150 мм
Длина	18 мм
Диапазон рабочих температур, гр.С	-40.00....+85.00
Длина корпуса L,мм	2
Диэлектрик	C0G/NP0
Длина корпуса, мм	20
Длина, мм	12.8
Диэлектрическая прочность	500 (50 Гц, 1 мин.) В
Диапазон рабочих температур, °C	-40…+85
Диапазон частот, Гц	400-10000
Динамическое сопротивление	15Ом
Защита	от электростатических разрядов (ESD до ±12 кВ)
Емкость	10мкФ
Допуск	±30%
Дуплекс	Full
Емкость ПЗУ, слов	128 kB
Емкость ОЗУ, Байт	4 kB
Допуск номинала,%	10
Единица измерения	мкФ
Емкость (значение)	10
Допуск номинальной индуктивности,%	20
Заряд	затвора (Qg) - 15 нКл
Допустимое отклонение	±10%
Емкость - пФ	15
Допускаемое отклонение характеристик, %	15
Заряд затвора, нКл	1,5
Интерфейс	CAN
Индуктивность	2.2µH
Изоляция наконечника	изолированный
Исполнение	однофазный
Импеданс ,Ом	8
Интерфейсы	CAN, DCMI, EBI/EMI, Ethernet, I2C, IrDA
Исполнение разъема	блочный
Количество входов-выходов	53 вх./вых.
Количество контактов	40
Кол-во, транзисторов	7
Кол-во диодов	1
Количество контактов в ряду	2
Количество в упаковке	5000
Количество защищаемых линий	1
Количество	драйвер - 1; ресивер - 1
Количество приемо/передатчиков	1Dr/1Re
Конструктивное исполнение	SMD
Конденсаторные составляющие	3,3 нФ
Количество рядов	1
Контактное сопротивление, не более	20 мОм
Количество элементов питания	3 шт
Количество ОУ в корпусе	2
КПД	79%
Контакты	цилиндрические
Конфигурация	кол-во каналов - 1
Макс. входное напряжение, В	30
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В	65
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В	80
Крутизна характеристики S,А/В	2.7
Коэффициент	температурный - 10 ppm/ с
Коэффициент усиления hFE мин.	220
Кратность (продажи)	50
Коэффициент усиления hFE макс.	475
Макс. рассеиваемая мощность	350мВт
Коэффициент усиления hFE	220 - 475
Максимальная мощность	540 мВт
Максимальное напряжение питания, В	15
Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А)	0.1
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт	0.225
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	-150
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс.,Вт	2.5
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В	-5
Максимальное постоянное обратное напряжение,В	1000
Максимальное время обратного восстановления,мкс	0.075
Максимальное импульсное обратное напряжение,В	1200
Максимально допустимый прямой импульсный ток,А	30
Максимальное прямое напряжение,В при 25гр.	1.1
Максимальное напряжение стабилизации,В	9,555
Макс.рабочее напряжение, В	75
Макс.частота сигнала, МГц	20
Максимальное входное напряжение	35 V
Максимальное напряжение сток-исток	100V
Максимально допустимое напряжение	затвор-исток (Vgs) ± 8 В
Максимально допустимый ударный прямой ток	(Ifsm) - 800 А
Максимальная мощность (Вт)	1
Максимальное обратное напряжение (Vrrm), В	1000
Максимальное напряжение ограничения, В	10
Максимальное напряжение КБ (Vcbo), В	-80
Максимальное напряжение сток-исток, В	60
Максимальное напряжение КЭ (Vceo), В	-65
Максимальное напряжение ЭБ (Vebo), В	-5
Максимальное обратное напряжение (Vr)	1000В
Максимальная рассеиваемая мощность	2 Вт
Максимальное прямое напряжение (Vf) при токе If	1.1В при 1A
Материал	медь луженая
Максимальный ток	Id - максимальный продолжительный, непрерывный ток стока - 4,3 A
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А	-2.2
Максимальный прямой (выпрямленный за полупериод) ток,А	1
Максимальный обратный ток,мкА 25гр	5
Максимальное сечение провода, кв.мм.	6
Материал резистивного элемента	толстопленочные
Максимальный постоянный ток,мА	2500
Материал контактов	фосфористая бронза
Материал изолятора	полимер усиленный стекловолокном
Материал уплотнителя	EPDM
Максимальный прямой ток	(If) - 3 А
Материал (Рабочей поверхности)	металлокерамика
Максимальный прямой ток, А	1
Максимальный импульсный ток (Ipp), А	8
Максимальный постоянный ток коллектора, А	-0,1
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А	0,115
Материал изделия	медь
Монтаж	THT
Мощность (Вт)	0.35 Вт
Минимальное напряжение питания, В	5.1
Мин. входное напряжение, В	7
Минимальное напряжение стабилизации,В	8,645
Мощность рассеяния,Вт	0.35
Минимальное сечение провода, кв.мм	2.5
Минимальное входное напряжение	3 V
Мощность рассеивания	150Вт
Минимальное напряжение срабатывания, В	5,8
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм	1000
Мощность Макс.	2.5Вт
Напряжение	пороговое затвора (Vgs th) - 4 В
Напряжение изоляции	2,5 кВ (rms)
Напряжение питания	3,135...3,465 В
Назначение	General Purpose
Напряжение коллектор-эмиттер	65В
Напряжение питания, В	1.65 V ~ 5.5 V
Напряжение питания - макс, В	36
Напряжение питания - мин., В	18
Налич. внеш. конденсаторов	есть
Напряжение коллектор-база	-80В
Напряжение несрабатывания, В	5
Напряжение насыщения КЭ Vce(sat), В	-0,5
Напряжение КЭ Макс.	65 В
Напряжение входа, В	3…3.6 В
Напряжение выхода 1,В	5
Напряжение смещения - макс. мВ	7
Номин. выходной ток, А	0.1
Номинальное напряжение, В.	250
Номинальное напряжение стабилизации,В	4.7
Номинальная мощность, Вт	0.1
Номинальное сопротивление, Ом	0.22
Номинальная индуктивность ,мкГн	47
Напряжение пробоя ,В	36.7V
Напряжение стабилизации	9.1В
Напряжение эмиттер-база	-5В
Начальная точность, %	0.1
Нестабильность	выходного напряжения или тока - 0,0005%/ В; выходной нагрузки - 0,03 %/ мА
Напряжение стабилизации, В	9,1
Напряжение фиксации, В	69.7V
Напряжение смещения	7mV @ 30V
Напряжение сток-исток макс.	150В
Падение напряжения	(max) при Iнаг.: 0А-0,003В; 1мА-0,01В; 10мА-0,06В; 50мА-0,15В; 150мА-0,35В (Uотп.typ=280 мВ)
Особенности	Логическое управление
Область применения	оконцевание опрессовкой медных кабелей и проводов под крепежный болт
Объем памяти RAM	4 kB
Объём	RAM: 384x8
Номинальный ток	15 А
Падение напряжения вх/вых, В	2
Номинальный ток стабилизации,мА	5
Номинальный ток, А	10
Обьем памяти, FLASH, кБайт	128 kB
Обьем памяти, EEPROM, кБайт	4 kB
Обратное напряжение	40В
Обратный ток утечки	500нА при 6В
Обратный ток коллектор-база	-0.015uA
Общий заряд затвора	61nC
Отклонение	±6%
Обороты	1
Основные размеры	D - 17; B - 34; L - 81; d - 22; d1 - 17 мм
Отклонение (допустимое)	M (±20%)
НУЛЛ 0	1.0
Объем RAM	128K x 8
Объем EEPROM	4K x 8
Объем и организация памяти	1M (128K x 8)
Погрешность	установки выходного напряжения: 5%
Периферия	Brown-out Detect/Reset, DMA, I2S, LCD,
Полоса пропускания	55 МГц
Полярность включения	положительная
Покрытие контактов	гальваническое золото 0.5 мкм
Повторяющееся импульсное обратное напряжение	(Vrrm) - 100 (max) В
Память	программная (Flash) - 1 мБ; ОЗУ (RAM) - 192 кБ
Поддержка	протокол RS-485
Плотность	тока шума на входе - 0.0006 пA/sqrt Гц мВт
Пиковая мощность рассеивания, Вт	80
Падение напряжения, В	выход - 1
Пиковый ток перегрузки, А	143A (8/20 µs)
Память программ	128KB (64K x 16)
Протокол	RS232
Порты в/в	53 вх./вых.
при Iпр.,А	1
Предельное напряжение не менее,В	1500 В перем.тока в течение 1 мин.
Пороговое напряжение затвора max	4V
Потребляемый ток	35 мА
Прямое падение напряжения (Vf), В	1,1
Прямое напряжение (макс.)	500мВ при 1А
Приёмка	2020
Рабочая температура	-40…+85 °С
Размер	1206
Разрешение	16 бит
Рабочая температура, С	-65...150
Рабочее напряжение, В	500
Размеры крепежного элемента	M6
Рабочий ток,А	1
Рабочая температура,оС	-25...105
Размер (DxL)	5.2x20mm
Рабочий цикл	100%
Серия	YJ
Сертификаты	AECQ200
Разрядность	16
Серия каталога	PLS
Резьба	М16x1; М16x0,75
Серия микроконтроллера	ATMEGA128
Распиновка	BEC
Режим работы	полудуплекс
Резонансная частота, Гц	400
Сечение жилы, мм2	2.5
Скорость нарастания	180V/µS
Скорость передачи	1Мбит/с
Сопротивление	сток-исток открытого транзистора (Rds) - 50 мОм
Скорость передачи данных	1 Mбит/ c
Сечение провода	120 мм
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм	240
Сопротивление (значение)	330
Сопротивление изолятора не менее,МОм	500
Сопротивление контактов не более,Ом	0.01
Скорость	передачи данных: 2 кбит/с
Сопротивление изоляции, не менее	5000 МОм
Сопротивление изоляции, МОм, не менее	5000
Скорость передачи, кБс	5000 кБод
Соответствие ROHS	да
Сопротивление открытого канала	240 мОм
Сигнал сброса (High/Low)	Active Low
Скорость преобразования (в секунду)	15 ~ 240
Способ монтажа	в отверстие
Тактовая частота	168МГц
Средний прямой ток	1А
Температура	-40…+125
Таймер	4
Структура	P-канал
Статический коэффициент передачи тока hfe мин	125
Температура, С	-55...+150
Статическое сопротивление Rст.,Ом	80
Степень подавления помех	высокая
Тактовая частота, МГц	16
Степень защиты	IP55
Стандарт	AEC-Q100
Схема включения диодов	Одиночный
Средний прямой ток (Io)	1А
Тип корпуса	DO-41 (DO-204AL)
Тип диода	общего применения
Тип выхода	Adjustable
Технология	тип логики - True
Тип входа	Differential/Single-Ended
Тип канала	P
Тип компаратора	Differential
Тип интерфейса	CAN
Тип изделия	Наконечник кабельный
Температурный коэффициент емкости	X5R
Тип диэлектрика	X7R
Тип контактов	Без выводов
Температурный дрейф, ppm/°C	5
Тип клемм (наконечников) для обжатия	Наконечник кабельный серии ТМЛ
Тип клемм (наконечников) для обжима	Наконечник кабельный серии ТМЛ
Тестовая частота	10 МГц
Температурный диапазон, °C	-40…+125
Тип источника	Последовательный
Технология развязки	Magnetic Coupling
Тип преобразователя	DC/DC
Тип усилителя	С обратной связью по напряжению
Типоразмер	12.8x12.8
Тип транзистора	P-канал
Тип монтажа	Сквозной
Тип памяти	EEPROM
Ток	собственного потребления: 65 мкА
Типоразмер корпуса	2512
Тип предохранителя	Быстродействующие
Тип разъёма	вилка
Типовое сопротивление канала в проводящем состоянии	0.2Ohm
ТКС (температурный коэффициент сопротивления)	±100 ppm/°C
ТКС	±100 ppm/°C
Тип проводимости	PNP
Тип устройства:	Transceiver
Тип супервизора	Simple Reset/Power-On Reset
Тип стабилизатора	Positive Adjustable
Тип/функционал	Translator, Bidirectional, Open Drain
Ток коллектора	-0,1А
Ток покоя	6.6 mA
Ток питания, мА	1
Толщина	0.5 мм
Ток через шунт - макс, мА	30
Ток постоянный	обратный (Ir) - 5 мА
Ток покоя, не более	1 мкА
Ток утечки, мкА	5
Ток срабатывания	10А
Ток коллектора Макс.	0.1 А
Ток выхода, A	0.2
Ток выхода	20mA
Ток стока макс.	2.2A
Точность, %	J (±5%)
Усиление	по напряжению - 100 дБ
Форма	кольцевая под болт М16
Форма контактов	угол 90о
Транспортная упаковка: размер/кол-во	605050/4000
Уровень звукового давления (SPL), дБ	87
Ударный прямой ток, А	30
Уровень защиты по ESD (IEC61000-4-2)	±25 кВ возд. /± 25 кВ касание
Упаковка (стандартная)	Лента
Частота	тактовая (max) - 72 МГц
Цвет	черный
Частота, МГц	тактовая (max) - 168
Функциональное назначение	вилка на плату
Цвет изоляции	желтый
Характеристика	подавление пульсаций - 45 dB (typ) дБ
Частота преобразования	500 кГц
Чувствительность	к влажности
Число компараторов	2
Электростатическая защита	нет
Число регуляторов в корпусе	1
Ядро	RISK ARM® Cortex®-M4
Ширина корпуса W,мм	1.25
Ширина (диаметр) корпуса W(D),мм	0.8
Ширина, мм	12.8
Ширина корпуса, мм	0.8
Чувствительность, дБ	87
Шаг контактов,мм	2.54
Ширина	57,7 мм
Шаг	2,29 х 1,98 (гор. х верт.) мм
Экранирование	Экранированный
Элементы питания	батарея типа AA
Шаг/дискретность	шины данных: 8-бит
Число каналов	1
Число приемников/передатчиков	2/2
Число контролируемых напряжений	1
Число усилителей	1
Число входов	4
Упаковка	Tube (туба)

Тип устройства	Ethernet Switch PHY
Поддерживаемые стандарты	IEEE 802.3
Минимальное напряжение питания	2 В
Максимальное напряжение питания	2,3 В
Корпус микросхемы	PQFP
Количество контактов	208 контактов
Монтаж микросхемы	Поверхностное крепление
Минимальная рабочая температура	-40 °C
Максимальная рабочая температура	85 °C
MSL	MSL 3 - 168 часов
SVHC	Нет SVHC (17 января 2022 г.)

Оптопара 4N35

Производитель: Agilent Technologies, Inc., USA
Артикул: Ц0028217
Краткое наименование: 4N35

В наличии
936 шт.

{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽

В корзину

в избранное

Оптопара 4N35

Производитель: Lite-On, Inc., China
Артикул: Ц0069290
Краткое наименование: 4N35

В наличии
261 шт.

{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽

В корзину

в избранное

4N35, PDIP6

Производитель: EVERLIGHT Electronics Corp. , Ltd., Taiwan
Артикул: W900604220
Краткое наименование: 4N35
Год выпуска: 2005

5000 шт. 1 неделя

{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽

В корзину

434 — 14,04 ₽/шт.

от 435 — 13,52 ₽/шт.

от 4513 — 12,48 ₽/шт.

в избранное

4N35, PDIP6

Производитель: EVERLIGHT Electronics Corp. , Ltd., Taiwan
Артикул: W2016021540
Краткое наименование: 4N35
Год выпуска: 2005

51 шт. 1 неделя

{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽

В корзину

450 — 13,55 ₽/шт.

от 451 — 13,05 ₽/шт.

от 4673 — 12,05 ₽/шт.

в избранное

Оптопары с транзисторным выходом 4N35 EVL

Производитель: EVERLIGHT Electronics Corp. , Ltd., Taiwan
Артикул: DC3097902
Краткое наименование: 4N35

1204 шт. 7 дней

{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽

В корзину

в избранное

Оптопары с транзисторным выходом 4N35 LIT

Артикул: DC3097903
Краткое наименование: 4N35

11455 шт. 7 дней

{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽

В корзину

в избранное

Оптопары с транзисторным выходом 4N35 YOUTAI

Артикул: DC3097904
Краткое наименование: 4N35

4369 шт. 7 дней

{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽

В корзину

в избранное

4N33-XXX

[716.52 КБ, pdf]

4N35_37

[291.96 КБ, pdf]

Документация на сайте производителя

Доставка

Для Санкт-Петербурга: самовывоз с нашего склада, расположенного по адресу: Железнодорожный проспект, дом 36. Работает в будние дни с 10:00 до 18:00.

Доставка в другие регионы России осуществляется транспортной компанией «Деловые линии» – мы бесплатно доставим ваш заказ до ее терминала в Санкт-Петербурге.

Подробнее

Оплата

Наша компания работает только с юридическими лицами. Все оплаты производятся только через безналичный расчет. Счет на оплату будет сформирован и выслан вам на почту после оформления заказа на сайте.

Для крупных заказчиков и постоянных клиентов предусмотрены скидки и отсрочки платежей.

Подробнее

Гарантии

Предоставляем все необходимые сертификаты на продукцию. Гарантия 12 месяцев на товар, подлежащий гарантийному обслуживанию.

Может ли физическое лицо сделать покупку в вашем магазине?

Нет, мы работаем только с юридическими лицами.

Какая минимальная сумма покупки?

Мы выставляем счет от 1000 руб.

Как у вас организована доставка заказа к месту назначения? И сколько примерно она стоит?

До терминала в Санкт-Петербурге товар доставляется транспортной компанией «Деловые линии». Для заказчика такая доставка бесплатна. Перевозку между терминалами оплачивает сам заказчик. Сумма доставки зависит от расстояния между терминалом в Санкт-Петербурге и местом назначения, а также от транспортной компании, которая осуществляет перевозку.

Заказывать доставку товара можно только в компании «Деловые линии»?

Нет, заказчик может самостоятельно выбирать транспортную компанию, которая доставит товар из терминала в Санкт-Петербурге к месту назначения.

Другие товары в разделе ON Semiconductor

BCP69T1G ONS

Производитель: ON Semiconductor Corporation, USA
Краткое наименование: BCP69T1G
Артикул: V3686582

Под заказ

{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽

В корзину

до 13966 — 4,37 ₽/шт

от 13967 — 4,29 ₽/шт

от 28410 — 4,18 ₽/шт

в избранное

1N4741ARL

Производитель: ON Semiconductor Corporation, USA
Краткое наименование: 1N4741ARL
Артикул: L3346779

Под заказ

{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽

В корзину

до 18421 — 4,64 ₽/шт

от 18422 — 4,49 ₽/шт

от 27174 — 4,27 ₽/шт

в избранное

ALS3-PQ11A/C1 Выключатель концевой ALS3-P, 1NO+1NC мгнов., Ith=10A, 3A 240V AC15/24V DC13, пласт. кач. рычаг с плас. роликом, пласт. корпус, IP67, отв. M20

Производитель: ON Semiconductor Corporation, USA
Краткое наименование: ALS3-PQ11A/C1
Артикул: KJ3090397

Под заказ

{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽

В корзину

в избранное

MC12080DG ONS

Производитель: ON Semiconductor Corporation, USA
Краткое наименование: MC12080DG
Артикул: M3164418

Под заказ

{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽

В корзину

до 50 — 727,67 ₽/шт

от 51 — 697,35 ₽/шт

от 123 — 679,16 ₽/шт

в избранное

Преобразователи линейные (LDO) NCV1117DT33T5G ONS

Производитель: ON Semiconductor Corporation, USA
Краткое наименование: NCV1117DT33T5G
Артикул: DC3124545

Под заказ

{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽

В корзину

в избранное