4N35, PDIP6 арт. W2016021540 купить за 13.59 руб. в СПб | Радиоэлемент

4N35, PDIP6

Производитель: EVERLIGHT Electronics Corp. , Ltd., Taiwan
Артикул: W2016021540
Краткое наименование: 4N35
Год выпуска: 2005

{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}} {{exploded.vat.fractional}} ₽/шт

Цена без НДС - {{exploded.novat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.novat.fractional}} ₽/шт

51 шт
1 неделя

В корзину

Минимальная партия:

139 шт

до 462 шт — 13,19 ₽/шт

от 463 шт — 12,70 ₽/шт

от 4804 шт — 11,72 ₽/шт

в избранное

Купить в 1 клик Заказать больше

Описание

Характеристики

Доп. характеристики

Аналоги

Документация

Доставка, оплата, гарантии

Ответы на вопросы

Корпус DIP6300

Тип	High Speed CAN Transceiver
Номинал	Fuse 5*20 10А 250В
Мощность	0,2Вт
Тип упаковки	Tube (туба)
Приемка	ОТК
Примечание	Шоттки 40В 1А
Корпус	PDIP-6
Нормоупаковка	65 шт
Описание Eng	Опто транзистор x1 3.55kV 30V 0.1A Кус=100% 0.35W -55...+100C
Максимальный входной ток Iвх.макс.,мА	60
Выходной каскад	дарлингтон
Диапазон рабочих температур, оС	-55...100
Количество каналов	1
Максимальное входное обратное напряжение Uвх.обр.макс.,В	3
Максимальный выходной ток Iвых.макс.мА	125
Максимальное напряжение изоляции,В	5300
Максимальное выходное коммутируемое напряжение Uвых.ком.макс.,В	30
Постоянное прямое входное напряжение Uвх.,В	1.5
Вес	1,06
Описание	4N25M.pdf
Упаковка	Tube (туба)
Номинальное напряжение	250В
Полярность	NPN
Hfe при токе коллектора, А	0.002
Hfe при напряжении к-э, В	5
Cопротивление (значение)	1
Hfe min	220
Hfe max	475
C вх. (входная ёмкость)	75 пФ
C ном. (ёмкость номинальная)	82 пФ
Data code	2
Iимп. Коллектора, мА	500
P ном. (мощность номинальная)	2 Вт
R ном. (сопротивление номинальное)	150 кОм
R (сопротивление)	400 мОм
Rds(on) (сопротивление канала)	600 мОм
Q g (заряд затвора)	5.1 нКл
I d (ток стока при 25°C)	0.28 А
If (прямой ток)	1 А
I макс. (максимальный постоянный ток)	50 мА
L (Индуктивность)	1 мкГн
R ном. (Номинальное сопротивление)	5 кОм
P рас. (Мощность рассеяния)	0.125 Вт
MSL(Уровень чувствительности к влажности)	1
I max DC (максимальный постоянный ток)	50 мА
Uк-э, В	50
V(br)dss (напряжение сток-исток)	60 В
Vrrm (максимальное обратное напряжение)	1000 В
Vf (прямое падение напряжения)	1,1 В
trr (время обратного восстановления)	1500 нс
U раб. (рабочее напряжение)	50 В
Внешние размеры	19,5 x 6 x 9,35мм
Архитектура	Sigma-Delta
Внутреннее АЦП	10 B
Активное сопротивление,Ом	120
Вес брутто	0.22
Быстродействие	Не более 500нс при токе более 200мА
Входное напряжение	0,8…5,5 (max) В
Время задержки, нС	1300
Время восстановления	12нс
Входная емкость	1400pF
Время	260 нс
Время обратного восстановления (trr), нс	150
Время сигнала сброса	140 ms Minimum
Выходное напряжение	1.176 V ~ 33 V
Выходной ток	высокого/ низкого уровня - 50 мА
Высота	15 мм
Входной ток смещения, мкА	0.25
Выходное напряжение, В (фикс)	5
Выходное напряжение, В	5
Высота корпуса, мм	0.8
Высота, мм	18
Гистерезис приемника	500mV
Гальваническая развязка	нет
Входной ток	3 пА
Выходное напряж. Фикс. или Мин.	5 В
Выходной интерфейс данных	IВІC
Входы - Side 1/Side 2	1/0
Глубина	L - 81 мм
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр,МГц	100
Диаметр, мм	19
Диаметр корпуса, мм	5
Диаметр	заглушки/отверстия: 12 мм
Глубина, мм	18
Диаметр установочного отверстия, мм	12
Диаметр магнита , мм	19
Диаметр отверстия, мм	5
Граничная частота ft, МГц	100
Диапазон рабочих температур	-55…+150 °С
Длина кабеля	150 мм
Длина	18 мм
Диапазон рабочих температур, гр.С	-40.00....+85.00
Длина корпуса L,мм	2
Диэлектрик	C0G/NP0
Длина корпуса, мм	20
Длина, мм	12.8
Диэлектрическая прочность	500 (50 Гц, 1 мин.) В
Диапазон рабочих температур, °C	-40…+85
Диапазон частот, Гц	400-10000
Динамическое сопротивление	15Ом
Защита	от электростатических разрядов (ESD до ±12 кВ)
Емкость	10мкФ
Допуск	±30%
Дуплекс	Full
Емкость ПЗУ, слов	128 kB
Емкость ОЗУ, Байт	4 kB
Допуск номинала,%	10
Единица измерения	мкФ
Емкость (значение)	10
Допуск номинальной индуктивности,%	20
Заряд	затвора (Qg) - 15 нКл
Допустимое отклонение	±10%
Емкость - пФ	15
Допускаемое отклонение характеристик, %	15
Заряд затвора, нКл	1,5
Интерфейс	CAN
Индуктивность	2.2µH
Изоляция наконечника	изолированный
Исполнение	однофазный
Импеданс ,Ом	8
Интерфейсы	CAN, DCMI, EBI/EMI, Ethernet, I2C, IrDA
Исполнение разъема	блочный
Количество входов-выходов	53 вх./вых.
Количество контактов	40
Кол-во, транзисторов	7
Кол-во диодов	1
Количество контактов в ряду	2
Количество в упаковке	5000
Количество защищаемых линий	1
Количество	драйвер - 1; ресивер - 1
Количество ОУ в корпусе	2
Контакты	цилиндрические
Конфигурация	кол-во каналов - 1
Количество приемо/передатчиков	1Dr/1Re
Конструктивное исполнение	SMD
Конденсаторные составляющие	3,3 нФ
Количество рядов	1
Коэффициент	температурный - 10 ppm/ с
Контактное сопротивление, не более	20 мОм
Количество элементов питания	3 шт
КПД	79%
Максимальная мощность	540 мВт
Макс. входное напряжение, В	30
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В	65
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В	80
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт	0.225
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс.,Вт	2.5
Крутизна характеристики S,А/В	2.7
Макс.рабочее напряжение, В	75
Макс.частота сигнала, МГц	20
Максимальная мощность (Вт)	1
Коэффициент усиления hFE мин.	220
Кратность (продажи)	50
Коэффициент усиления hFE макс.	475
Макс. рассеиваемая мощность	350мВт
Коэффициент усиления hFE	220 - 475
Максимальная рассеиваемая мощность	2 Вт
Максимальное напряжение питания, В	15
Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А)	0.1
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	-150
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В	-5
Максимальное постоянное обратное напряжение,В	1000
Максимальное время обратного восстановления,мкс	0.075
Максимальное импульсное обратное напряжение,В	1200
Максимально допустимый прямой импульсный ток,А	30
Максимальный обратный ток,мкА 25гр	5
Максимальное прямое напряжение,В при 25гр.	1.1
Максимальное напряжение стабилизации,В	9,555
Максимальное сечение провода, кв.мм.	6
Максимальное входное напряжение	35 V
Максимальное напряжение сток-исток	100V
Максимально допустимое напряжение	затвор-исток (Vgs) ± 8 В
Максимально допустимый ударный прямой ток	(Ifsm) - 800 А
Максимальное обратное напряжение (Vrrm), В	1000
Максимальное напряжение ограничения, В	10
Максимальный импульсный ток (Ipp), А	8
Максимальное напряжение КБ (Vcbo), В	-80
Максимальное напряжение сток-исток, В	60
Максимальное напряжение КЭ (Vceo), В	-65
Максимальное напряжение ЭБ (Vebo), В	-5
Максимальное обратное напряжение (Vr)	1000В
Максимальное прямое напряжение (Vf) при токе If	1.1В при 1A
Материал	медь луженая
Максимальный ток	Id - максимальный продолжительный, непрерывный ток стока - 4,3 A
Минимальное напряжение питания, В	5.1
Мин. входное напряжение, В	7
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А	-2.2
Максимальный прямой (выпрямленный за полупериод) ток,А	1
Минимальное напряжение стабилизации,В	8,645
Материал резистивного элемента	толстопленочные
Максимальный постоянный ток,мА	2500
Материал контактов	фосфористая бронза
Материал изолятора	полимер усиленный стекловолокном
Минимальное сечение провода, кв.мм	2.5
Минимальное входное напряжение	3 V
Материал уплотнителя	EPDM
Максимальный прямой ток	(If) - 3 А
Материал (Рабочей поверхности)	металлокерамика
Максимальный прямой ток, А	1
Минимальное напряжение срабатывания, В	5,8
Максимальный постоянный ток коллектора, А	-0,1
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А	0,115
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм	1000
Материал изделия	медь
Напряжение	пороговое затвора (Vgs th) - 4 В
Монтаж	THT
Мощность (Вт)	0.35 Вт
Назначение	General Purpose
Налич. внеш. конденсаторов	есть
Мощность рассеяния,Вт	0.35
Мощность рассеивания	150Вт
Мощность Макс.	2.5Вт
Напряжение входа, В	3…3.6 В
Напряжение выхода 1,В	5
Напряжение изоляции	2,5 кВ (rms)
Напряжение питания	3,135...3,465 В
Напряжение коллектор-эмиттер	65В
Напряжение питания, В	1.65 V ~ 5.5 V
Напряжение питания - макс, В	36
Напряжение питания - мин., В	18
Напряжение смещения - макс. мВ	7
Номин. выходной ток, А	0.1
Напряжение пробоя ,В	36.7V
Напряжение стабилизации	9.1В
Напряжение эмиттер-база	-5В
Напряжение коллектор-база	-80В
Начальная точность, %	0.1
Нестабильность	выходного напряжения или тока - 0,0005%/ В; выходной нагрузки - 0,03 %/ мА
Напряжение несрабатывания, В	5
Напряжение стабилизации, В	9,1
Напряжение насыщения КЭ Vce(sat), В	-0,5
Напряжение КЭ Макс.	65 В
Напряжение фиксации, В	69.7V
Напряжение смещения	7mV @ 30V
Напряжение сток-исток макс.	150В
Область применения	оконцевание опрессовкой медных кабелей и проводов под крепежный болт
Объем памяти RAM	4 kB
Объём	RAM: 384x8
Номинальный ток	15 А
Номинальное напряжение, В.	250
Номинальное напряжение стабилизации,В	4.7
Номинальный ток стабилизации,мА	5
Номинальный ток, А	10
Номинальная мощность, Вт	0.1
Номинальное сопротивление, Ом	0.22
Номинальная индуктивность ,мкГн	47
Обьем памяти, FLASH, кБайт	128 kB
Обьем памяти, EEPROM, кБайт	4 kB
Обратное напряжение	40В
Обратный ток утечки	500нА при 6В
Обратный ток коллектор-база	-0.015uA
Общий заряд затвора	61nC
Обороты	1
НУЛЛ 0	1.0
Объем RAM	128K x 8
Объем EEPROM	4K x 8
Объем и организация памяти	1M (128K x 8)
Падение напряжения	(max) при Iнаг.: 0А-0,003В; 1мА-0,01В; 10мА-0,06В; 50мА-0,15В; 150мА-0,35В (Uотп.typ=280 мВ)
Погрешность	установки выходного напряжения: 5%
Особенности	Логическое управление
Периферия	Brown-out Detect/Reset, DMA, I2S, LCD,
Падение напряжения вх/вых, В	2
Повторяющееся импульсное обратное напряжение	(Vrrm) - 100 (max) В
Память	программная (Flash) - 1 мБ; ОЗУ (RAM) - 192 кБ
Отклонение	±6%
Поддержка	протокол RS-485
Плотность	тока шума на входе - 0.0006 пA/sqrt Гц мВт
Основные размеры	D - 17; B - 34; L - 81; d - 22; d1 - 17 мм
Отклонение (допустимое)	M (±20%)
Пиковая мощность рассеивания, Вт	80
Падение напряжения, В	выход - 1
Пиковый ток перегрузки, А	143A (8/20 µs)
Память программ	128KB (64K x 16)
Полоса пропускания	55 МГц
Полярность включения	положительная
Порты в/в	53 вх./вых.
при Iпр.,А	1
Покрытие контактов	гальваническое золото 0.5 мкм
Предельное напряжение не менее,В	1500 В перем.тока в течение 1 мин.
Пороговое напряжение затвора max	4V
Потребляемый ток	35 мА
Приёмка	2020
Рабочая температура	-40…+85 °С
Размер	1206
Протокол	RS232
Рабочая температура, С	-65...150
Рабочее напряжение, В	500
Рабочий ток,А	1
Рабочая температура,оС	-25...105
Размер (DxL)	5.2x20mm
Рабочий цикл	100%
Прямое падение напряжения (Vf), В	1,1
Прямое напряжение (макс.)	500мВ при 1А
Разрядность	16
Разрешение	16 бит
Размеры крепежного элемента	M6
Резьба	М16x1; М16x0,75
Распиновка	BEC
Режим работы	полудуплекс
Резонансная частота, Гц	400
Серия	YJ
Скорость нарастания	180V/µS
Скорость передачи	1Мбит/с
Сопротивление	сток-исток открытого транзистора (Rds) - 50 мОм
Скорость передачи данных	1 Mбит/ c
Сертификаты	AECQ200
Сечение провода	120 мм
Серия каталога	PLS
Сопротивление (значение)	330
Сопротивление изолятора не менее,МОм	500
Серия микроконтроллера	ATMEGA128
Скорость	передачи данных: 2 кбит/с
Сопротивление изоляции, МОм, не менее	5000
Скорость передачи, кБс	5000 кБод
Соответствие ROHS	да
Сигнал сброса (High/Low)	Active Low
Скорость преобразования (в секунду)	15 ~ 240
Сечение жилы, мм2	2.5
Способ монтажа	в отверстие
Тактовая частота	168МГц
Средний прямой ток	1А
Таймер	4
Структура	P-канал
Статический коэффициент передачи тока hfe мин	125
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм	240
Статическое сопротивление Rст.,Ом	80
Степень подавления помех	высокая
Сопротивление контактов не более,Ом	0.01
Тактовая частота, МГц	16
Степень защиты	IP55
Сопротивление изоляции, не менее	5000 МОм
Стандарт	AEC-Q100
Схема включения диодов	Одиночный
Средний прямой ток (Io)	1А
Сопротивление открытого канала	240 мОм
Тип диода	общего применения
Тип выхода	Adjustable
Технология	тип логики - True
Тип входа	Differential/Single-Ended
Температура	-40…+125
Тип интерфейса	CAN
Температура, С	-55...+150
Тип изделия	Наконечник кабельный
Температурный коэффициент емкости	X5R
Тип диэлектрика	X7R
Температурный дрейф, ppm/°C	5
Тестовая частота	10 МГц
Температурный диапазон, °C	-40…+125
Тип источника	Последовательный
Технология развязки	Magnetic Coupling
Тип корпуса	DO-41 (DO-204AL)
Тип преобразователя	DC/DC
Тип усилителя	С обратной связью по напряжению
Тип транзистора	P-канал
Тип монтажа	Сквозной
Тип памяти	EEPROM
Тип канала	P
Тип компаратора	Differential
Тип контактов	Без выводов
Тип предохранителя	Быстродействующие
Тип разъёма	вилка
Тип клемм (наконечников) для обжатия	Наконечник кабельный серии ТМЛ
Тип клемм (наконечников) для обжима	Наконечник кабельный серии ТМЛ
Тип проводимости	PNP
Тип устройства:	Transceiver
Тип супервизора	Simple Reset/Power-On Reset
Тип стабилизатора	Positive Adjustable
Типоразмер	12.8x12.8
Ток коллектора	-0,1А
Ток покоя	6.6 mA
Ток	собственного потребления: 65 мкА
Ток питания, мА	1
Типоразмер корпуса	2512
Толщина	0.5 мм
Типовое сопротивление канала в проводящем состоянии	0.2Ohm
Ток через шунт - макс, мА	30
Ток постоянный	обратный (Ir) - 5 мА
Ток покоя, не более	1 мкА
ТКС (температурный коэффициент сопротивления)	±100 ppm/°C
ТКС	±100 ppm/°C
Ток утечки, мкА	5
Ток срабатывания	10А
Ток коллектора Макс.	0.1 А
Ток выхода, A	0.2
Ток выхода	20mA
Ток стока макс.	2.2A
Тип/функционал	Translator, Bidirectional, Open Drain
Точность, %	J (±5%)
Усиление	по напряжению - 100 дБ
Транспортная упаковка: размер/кол-во	605050/4000
Уровень звукового давления (SPL), дБ	87
Ударный прямой ток, А	30
Уровень защиты по ESD (IEC61000-4-2)	±25 кВ возд. /± 25 кВ касание
Упаковка (стандартная)	Лента
Частота	тактовая (max) - 72 МГц
Цвет	черный
Форма	кольцевая под болт М16
Функциональное назначение	вилка на плату
Форма контактов	угол 90о
Цвет изоляции	желтый
Характеристика	подавление пульсаций - 45 dB (typ) дБ
Чувствительность	к влажности
Число компараторов	2
Число регуляторов в корпусе	1
Частота, МГц	тактовая (max) - 168
Ширина корпуса W,мм	1.25
Ширина (диаметр) корпуса W(D),мм	0.8
Ширина, мм	12.8
Ширина корпуса, мм	0.8
Чувствительность, дБ	87
Шаг контактов,мм	2.54
Ширина	57,7 мм
Шаг	2,29 х 1,98 (гор. х верт.) мм
Экранирование	Экранированный
Шаг/дискретность	шины данных: 8-бит
Число каналов	1
Частота преобразования	500 кГц
Число приемников/передатчиков	2/2
Число контролируемых напряжений	1
Число усилителей	1
Число входов	4
Электростатическая защита	нет
Ядро	RISK ARM® Cortex®-M4
Элементы питания	батарея типа AA

Тип устройства	Ethernet Switch PHY
Поддерживаемые стандарты	IEEE 802.3
Минимальное напряжение питания	2 В
Максимальное напряжение питания	2,3 В
Корпус микросхемы	PQFP
Количество контактов	208 контактов
Монтаж микросхемы	Поверхностное крепление
Минимальная рабочая температура	-40 °C
Максимальная рабочая температура	85 °C
MSL	MSL 3 - 168 часов
SVHC	Нет SVHC (17 января 2022 г.)

Оптопара 4N35

Производитель: Agilent Technologies, Inc., USA
Артикул: Ц0028217
Краткое наименование: 4N35

В наличии
936 шт.

{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽

В корзину

в избранное

Оптопара 4N35

Производитель: Lite-On, Inc., China
Артикул: Ц0069290
Краткое наименование: 4N35

В наличии
261 шт.

{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽

В корзину

в избранное

4N35 LITEON

Производитель: Lite-On, Inc., China
Артикул: M3147311
Краткое наименование: 4N35

5308 шт. 7 дней

{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽

В корзину

1523 — 24,02 ₽/шт.

от 1524 — 23,02 ₽/шт.

от 3710 — 22,42 ₽/шт.

в избранное

4N35, PDIP6

Производитель: EVERLIGHT Electronics Corp. , Ltd., Taiwan
Артикул: W900604220
Краткое наименование: 4N35
Год выпуска: 2005

5000 шт. 1 неделя

{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽

В корзину

446 — 13,66 ₽/шт.

от 447 — 13,15 ₽/шт.

от 4639 — 12,14 ₽/шт.

в избранное

Оптопары с транзисторным выходом 4N35 EVL

Производитель: EVERLIGHT Electronics Corp. , Ltd., Taiwan
Артикул: DC3097902
Краткое наименование: 4N35

1204 шт. 7 дней

{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽

В корзину

в избранное

Оптопары с транзисторным выходом 4N35 LIT

Артикул: DC3097903
Краткое наименование: 4N35

11665 шт. 7 дней

{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽

В корзину

в избранное

Оптопары с транзисторным выходом 4N35 YOUTAI

Артикул: DC3097904
Краткое наименование: 4N35

6344 шт. 7 дней

{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽

В корзину

в избранное

4N35_37

[291.96 КБ, pdf]

4N33-XXX

[716.52 КБ, pdf]

Документация на сайте производителя

Доставка

Для Санкт-Петербурга: самовывоз с нашего склада, расположенного по адресу: Железнодорожный проспект, дом 36. Работает в будние дни с 10:00 до 18:00.

Доставка в другие регионы России осуществляется транспортной компанией «Деловые линии» – мы бесплатно доставим ваш заказ до ее терминала в Санкт-Петербурге.

Подробнее

Оплата

Наша компания работает только с юридическими лицами. Все оплаты производятся только через безналичный расчет. Счет на оплату будет сформирован и выслан вам на почту после оформления заказа на сайте.

Для крупных заказчиков и постоянных клиентов предусмотрены скидки и отсрочки платежей.

Подробнее

Гарантии

Предоставляем все необходимые сертификаты на продукцию. Гарантия 12 месяцев на товар, подлежащий гарантийному обслуживанию.

Может ли физическое лицо сделать покупку в вашем магазине?

Нет, мы работаем только с юридическими лицами.

Какая минимальная сумма покупки?

Мы выставляем счет от 1000 руб.

Как у вас организована доставка заказа к месту назначения? И сколько примерно она стоит?

До терминала в Санкт-Петербурге товар доставляется транспортной компанией «Деловые линии». Для заказчика такая доставка бесплатна. Перевозку между терминалами оплачивает сам заказчик. Сумма доставки зависит от расстояния между терминалом в Санкт-Петербурге и местом назначения, а также от транспортной компании, которая осуществляет перевозку.

Заказывать доставку товара можно только в компании «Деловые линии»?

Нет, заказчик может самостоятельно выбирать транспортную компанию, которая доставит товар из терминала в Санкт-Петербурге к месту назначения.

Другие товары в разделе Оптопары

Оптопара АОТ110Г

Производитель: ОАО "ИСКРА", г. Ульяновск
Краткое наименование: АОТ110Г
Артикул: Z000693

Под заказ

{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽

В корзину

до 99 — 218,51 ₽/шт

от 100 — 200,31 ₽/шт

от 150 — 182,10 ₽/шт

в избранное

ILD213T, Оптопара широкого назначения VISHAY, 70В, 0.03A, корпус SOIC-8

Производитель: Vishay Intertechnology, Inc., USA
Краткое наименование: ILD213T
Артикул: A022516

Под заказ

{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽

В корзину

до 1171 — 52,06 ₽/шт

от 1172 — 49,82 ₽/шт

от 2449 — 48,93 ₽/шт

в избранное

HCPL2731SD, 8-SMD

Производитель: ON Semiconductor Corporation, USA
Краткое наименование: HCPL2731SD
Артикул: W2017289246

Под заказ

{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽

В корзину

до 22 — 274,05 ₽/шт

от 23 — 263,90 ₽/шт

от 232 — 243,60 ₽/шт

в избранное

TLP181(GB,F,T), SMD4 3.6x4.4x2.5

Производитель: Toshiba Corporation, Japan
Краткое наименование: TLP181(GB,F,T)
Артикул: W998862887

Под заказ

{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽

В корзину

до 466 — 13,08 ₽/шт

от 467 — 12,60 ₽/шт

от 4841 — 11,63 ₽/шт

в избранное

ILD207T, оптопара 2.5kVrms 100-200% SOIC8

Краткое наименование: ILD207T
Артикул: W2017069363

Под заказ

{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽

В корзину

до 129 — 46,96 ₽/шт

от 130 — 45,21 ₽/шт

от 1350 — 41,74 ₽/шт

в избранное