MMBTA92LT1G Onsemi арт. RMMBTA92LT1G купить за 44.53 руб. в СПб | Радиоэлемент

MMBTA92LT1G Onsemi

Производитель: ON Semiconductor Corporation, USA
Артикул: R3683746
Краткое наименование: MMBTA92LT1G

{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}} {{exploded.vat.fractional}} ₽/шт

Цена без НДС - {{exploded.novat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.novat.fractional}} ₽/шт

353 шт
4 дня

В корзину

Минимальная партия:

47 шт

до 2496 шт — 39,10 ₽/шт

от 2497 шт — 38,16 ₽/шт

от 3197 шт — 35,98 ₽/шт

в избранное

Купить в 1 клик Заказать больше

Описание

Характеристики

Доп. характеристики

Аналоги

Документация

Доставка, оплата, гарантии

Ответы на вопросы

The MMBTA92LT1G is a PNP high voltage Bipolar Transistor designed for general purpose amplifier applications. This device is housed in a package which is designed for low power surface-mount applications.

Тип	Источник опорного напряжения фиксированный серии REF195
Номинал	SMD 0805 1мкФ X7R 25В
Мощность	0.125 Вт
Тип упаковки	Tape and Reel (лента в катушке)
Приемка	ОТК
Примечание	Шоттки 60В 1.5А 0.68В
Корпус	SOT-23-3
Номинальное напряжение	125 В
Полярность	NPN
Cопротивление (значение)	1
C ном. (ёмкость номинальная)	10 нФ
Data code	353
Iимп. Коллектора, мА	500
P ном. (мощность номинальная)	0.125 Вт
R (сопротивление)	400 мОм
If (прямой ток)	1 А
I макс. (максимальный постоянный ток)	50 мА
L (Индуктивность)	1 мкГн
R ном. (Номинальное сопротивление)	5 кОм
P рас. (Мощность рассеяния)	0.125 Вт
MSL(Уровень чувствительности к влажности)	1
I max DC (максимальный постоянный ток)	50 мА
Uк-э, В	50
Vrrm (максимальное обратное напряжение)	1000 В
Vf (прямое падение напряжения)	1,1 В
trr (время обратного восстановления)	1500 нс
U раб. (рабочее напряжение)	50 В
Внешние размеры	19,5 x 6 x 9,35мм
Внутреннее АЦП	10 B
Активное сопротивление,Ом	120
Вес	178
Вес брутто	0.14
Быстродействие	Не более 500нс при токе более 200мА
Входное напряжение	18 В
Время задержки, нС	1300
Входная емкость	1400pF
Время	5 нс
Время обратного восстановления (trr), нс	150
Время сигнала сброса	140 ms Minimum
Выходное напряжение	5 В
Выходной ток	высокого/ низкого уровня - 32 мА
Высота	2.2 мм
Входной ток смещения, мкА	0.25
Выходное напряжение, В (фикс)	12
Выходное напряжение, В	5
Высота корпуса, мм	0.8
Входной ток	смещения (Ib) - 1 пA
Выходное напряж. Фикс. или Мин.	5 В
Входы - Side 1/Side 2	1/0
Глубина	L - 26,6 мм
Диаметр, мм	19
Диаметр	19 мм
Гистерезис приемника	50mV
Гальваническая развязка	нет
Глубина, мм	15,6
Диаметр установочного отверстия, мм	16
Граничная частота ft, МГц	50
Диапазон рабочих температур	-55°C~125°C
Длина	1 мм
Диапазон рабочих температур, гр.С	-40.00....+85.00
Длина корпуса L,мм	2
Диэлектрик	X7R
Длина корпуса, мм	1.6
Диэлектрическая прочность	500 (50 Гц, 1 мин.) В
Диапазон рабочих температур, °C	-50…+70
Динамическое сопротивление	80Ом
Защита	от электростатических разрядов (ESD до ±15 кВ)
Емкость	1мкФ
Допуск	K (±10%)
Дуплекс	Half
Емкость ПЗУ, слов	128 kB
Емкость ОЗУ, Байт	4 kB
Допуск номинала,%	15
Единица измерения	мкФ
Емкость (значение)	1
Заряд	затвора (Qg) - 80 нК
Допустимое отклонение	±10%
Емкость - пФ	31
Заряд затвора, нКл	345
Интерфейс	RS-422; RS-485
Индуктивность	1 мкГн
Исполнение	однофазный
Исполнение разъема	блочный
Количество входов-выходов	53 вх./вых.
Количество контактов	4
Кол-во, транзисторов	7
Кол-во диодов	2
Количество контактов в ряду	2
Количество в упаковке	10000
Количество защищаемых линий	1
Количество	входных / выходных линий - 2 Input/1 Output
Количество приемо/передатчиков	1Dr/1Re
Конструктивное исполнение	SMD
Конденсаторные составляющие	3,3 нФ
Количество рядов	1
Контактное сопротивление, не более	20 мОм
КПД	79%
Конфигурация	Schottky
Макс. входное напряжение, В	30
Коэффициент	температурный - 10 ppm/ с
Коэффициент усиления hFE мин.	1000
Кратность (продажи)	100
Макс. рассеиваемая мощность	350мВт
Коэффициент усиления hFE	25
Максимальное напряжение питания, В	15
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт	2
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	1000
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс.,Вт	125
Максимальное постоянное обратное напряжение,В	30
Максимальное время обратного восстановления,мкс	0.075
Максимальное импульсное обратное напряжение,В	1200
Максимально допустимый прямой импульсный ток,А	0.6
Максимальное прямое напряжение,В при 25гр.	0.8
Максимальное напряжение стабилизации,В	5
Макс.рабочее напряжение, В	75
Макс.частота сигнала, МГц	20
Максимальное входное напряжение	5.5V
Максимальное напряжение сток-исток	100V
Максимально допустимое напряжение	затвор-исток (Vgs) ± 20 В
Максимально допустимый ударный прямой ток	(Ifsm) - 800 А
Максимальная мощность (Вт)	0,3
Максимальное обратное напряжение (Vrrm), В	60
Максимальное напряжение ограничения, В	10
Максимальное напряжение КБ (Vcbo), В	-100
Максимальное напряжение сток-исток, В	-60
Максимальное напряжение КЭ (Vceo), В	-100
Максимальное напряжение ЭБ (Vebo), В	5
Максимальное обратное напряжение (Vr)	600В
Максимальное прямое напряжение (Vf) при токе If	1.25В при 1A
Материал	контакт - медь луженая; изоляция - ПВХ желтого цвета
Максимальный ток	Id - максимальный продолжительный, непрерывный ток стока - 110 A
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А	3.1
Максимальный прямой (выпрямленный за полупериод) ток,А	1
Максимальный обратный ток,мкА 25гр	2
Материал резистивного элемента	толстопленочные
Материал контактов	фосфористая бронза
Материал изолятора	полимер усиленный стекловолокном
Максимальный прямой ток	(If) - 3 А
Материал (Рабочей поверхности)	металлокерамика
Максимальный прямой ток, А	1,5
Максимальный импульсный ток (Ipp), А	8
Максимальный постоянный ток коллектора, А	-5
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А	-110
Монтаж	THT
Мощность (Вт)	1
Минимальное напряжение питания, В	5.1
Мин. входное напряжение, В	14
Минимальное напряжение стабилизации,В	4.4
Мощность рассеяния,Вт	0.35
Мощность рассеивания	150Вт
Минимальное напряжение срабатывания, В	5,8
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм	6,9
Мощность Макс.	300 мВт
Напряжение	25В
Напряжение изоляции	2,5 кВ (rms)
Напряжение питания	1.65…5.5 max В
Назначение	General Purpose
Напряжение питания, В	1.65 V ~ 5.5 V
Напряжение питания - макс, В	36
Напряжение питания - мин., В	18
Налич. внеш. конденсаторов	есть
Напряжение несрабатывания, В	5
Напряжение насыщения КЭ Vce(sat), В	1
Напряжение КЭ Макс.	300 В
Напряжение входа, В	3…3.6 В
Напряжение выхода 1,В	5
Напряжение смещения - макс. мВ	7
Номин. выходной ток, А	0.1
Номинальное напряжение, В.	250
Номинальное напряжение стабилизации,В	4.7
Номинальная мощность, Вт	0.1
Номинальное сопротивление, Ом	0.22
Напряжение пробоя ,В	36.7V
Напряжение стабилизации	4.7В
Начальная точность, %	0.1
Напряжение стабилизации, В	4,7
Напряжение фиксации, В	69.7V
Напряжение смещения	7mV @ 5V
Напряжение сток-исток макс.	60В
Особенности	чувствителен к повышенной влажности
Область применения	оконцевание опрессовкой многопроволочных гибких медных пр-дов под винт М5
Объем памяти RAM	4 kB
Объём	RAM: 384x8
Номинальный ток	48 А
Падение напряжения вх/вых, В	2
Номинальный ток стабилизации,мА	5
Номинальный ток, А	10
Обьем памяти, FLASH, кБайт	128 kB
Обьем памяти, EEPROM, кБайт	4 kB
Обратное напряжение	60В
Обратный ток утечки	500мкА при 60В
Общий заряд затвора	61nC
Отклонение	±0.1%
Описание	DL-T-Series_.pdf
Обороты	1
Основные размеры	D - 5,3; В - 9,5; L - 26,6; l - 13; d1 - 3,4; A - 4,8; S - 1,0 мм
Отклонение (допустимое)	M (±20%)
Объем RAM	128K x 8
Нормоупаковка	3000 шт
Описание Eng	PNP 300V 0.5 A 0.25W
Объем EEPROM	4K x 8
Полоса пропускания	55 МГц
Полярность включения	положительная
Покрытие контактов	гальваническое золото 0.5 мкм
Повторяющееся импульсное обратное напряжение	(Vrrm) - 100 (max) В
Память	программная (Flash) - 128 кБ; ПЗУ (EEPROM) - 4 кБ; ОЗУ (SRAM) - 4 кБ
Поддержка	протокол RS-485
Плотность	тока шума на входе - 0.0006 пA/sqrt Гц мВт
Пиковая мощность рассеивания, Вт	80
Падение напряжения, В	выходов - 2
Пиковый ток перегрузки, А	143A (8/20 µs)
Память программ	128KB (64K x 16)
Протокол	RS422, RS485
Порты в/в	53 вх./вых.
при Iпр.,А	1
Предельное напряжение не менее,В	1500 В перем.тока в течение 1 мин.
Пороговое напряжение затвора max	4V
Потребляемый ток	0,8 мА
Прямое падение напряжения (Vf), В	0,71
Прямое напряжение (макс.)	710мВ при 1.5А
Приёмка	2012г
Рабочая температура	-40...85°C
Размер	1206
Разрешение	АЦП - 10 бит
Рабочая температура, С	-55.00...125.00
Рабочее напряжение, В	500
Рабочий ток,А	1
Рабочая температура,оС	-25...105
Серия	BLS
Сертификаты	AECQ200
Разрядность	8
Серия каталога	BLS
Резьба	М16x1; М16x0,75
Серия микроконтроллера	ATMEGA128
Режим работы	полудуплекс
Скорость нарастания	0.6V/µS
Скорость передачи	1Мбит/с
Сопротивление	400 мОм
Скорость передачи данных	25 Мб/ c
Сечение провода	2,5…6,0 мм
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм	5000
Сопротивление (значение)	330
Сопротивление изолятора не менее,МОм	500
Сопротивление контактов не более,Ом	0.01
Скорость	нарастания выходного напряжения (SR) - 600 мВ/ мкс
Сопротивление изоляции, не менее	5000 МОм
Сопротивление изоляции, МОм, не менее	5000
Скорость передачи, кБс	5000 кБод
Соответствие ROHS	да
Сопротивление открытого канала	6.9 мОм
Сигнал сброса (High/Low)	Active Low
Способ монтажа	SMD
Тактовая частота	16MHz
Средний прямой ток	2.1А
Температура	-40…+125
Таймер	4
Структура	PNP
Температура, С	-55...+150
Статическое сопротивление Rст.,Ом	80
Степень подавления помех	высокая
Тактовая частота, МГц	16
Степень защиты	IP55
Стандарт	AEC-Q100
Схема включения диодов	Одиночный
Средний прямой ток (Io)	2A
Тип корпуса	SO8-150
Тип диода	стандартный
Тип выхода	Фиксированный
Технология	CMOS, TTL; семейство логических элементов 74LVC; тип логики - True
Тип канала	P
Тип компаратора	General Purpose
Тип интерфейса	CAN
Температурный коэффициент емкости	X7R
Тип диэлектрика	X7R
Температурный дрейф, ppm/°C	5
Тип клемм (наконечников) для обжатия	Наконечник кабельный кольцевой изолированный серии НКИ
Тип клемм (наконечников) для обжима	Наконечник кабельный кольцевой изолированный серии НКИ
Тестовая частота	10 МГц
Тип источника	Последовательный
Технология развязки	Magnetic Coupling
Тип преобразователя	DC/DC
Тип усилителя	Универсальный
Типоразмер	0402
Тип транзистора	PNP
Тип монтажа	Поверхностный (SMD)
Ток	коммутируемый - 900 (max) мА
Типоразмер корпуса	2512
Тип разъёма	вилка
Типовое сопротивление канала в проводящем состоянии	0.2Ohm
ТКС (температурный коэффициент сопротивления)	±100 ppm/°C
ТКС	±100 ppm/°C
Тип проводимости	P
Тип устройства:	Transceiver
Тип супервизора	Simple Reset/Power-On Reset
Тип стабилизатора	Positive Fixed
Ток покоя	100 µA
Ток питания, мА	1
Толщина	0.5 мм
Ток через шунт - макс, мА	30
Ток постоянный	обратный (Ir) - 5 мА
Ток утечки, мкА	5
Ток коллектора Макс.	500 мА
Ток выхода, A	0.2
Ток выхода	30 мА
Ток стока макс.	110A
Точность, %	1
Усиление	по напряжению - 112 дБ
Упаковка	Штучный товар
Форма контактов	прямые
Транспортная упаковка: размер/кол-во	605050/7500
Ударный прямой ток, А	30
Уровень защиты по ESD (IEC61000-4-2)	±25 кВ возд. /± 25 кВ касание
Упаковка (стандартная)	Катушка
Частота	тактовая (max) - 16 МГц
Частота, МГц	16
Функциональное назначение	гнездо на кабель
Характеристика	(en) - интенсивность шума входного напряжения - 28 нВ/ sqrt Гц
Чувствительность	к влажности
Число компараторов	2
Электростатическая защита	нет
Число регуляторов в корпусе	1
Ядро	AVR
Ширина корпуса W,мм	1.25
Ширина (диаметр) корпуса W(D),мм	0.8
Ширина корпуса, мм	0.8
Шаг контактов,мм	2.54
Ширина	0.5 мм
Шаг	2,29 х 1,98 (гор. х верт.) мм
Экранирование	Экранированный
Шаг/дискретность	шины данных: 8-бит
Число каналов	1
Число приемников/передатчиков	1/1
Число контролируемых напряжений	1
Число усилителей	1

Минимальный ток регулировки перегрузки	6.4A
Максимальный ток регулировки перегрузки	32A
Ассортимент продукции	TeSys
SVHC	Рекомендуется к сведению

MMBTA92LT1G

Производитель: ON Semiconductor Corporation, USA
Артикул: G3324605
Краткое наименование: MMBTA92LT1G
Год выпуска: 2013

5727 шт. 12 дней

{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽

В корзину

33333 — 1,83 ₽/шт.

от 33334 — 1,71 ₽/шт.

от 71429 — 1,65 ₽/шт.

в избранное

MMBTA92LT1G ON Semiconductor

Производитель: ON Semiconductor Corporation, USA
Артикул: BA3490060
Краткое наименование: MMBTA92LT1G
Год выпуска: 2013

28 шт. 14 дней

{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽

В корзину

9090 — 6,71 ₽/шт.

от 9091 — 6,60 ₽/шт.

от 18485 — 6,33 ₽/шт.

в избранное

Транзистор MMBTA92LT1G ON SEMICONDUCTOR

Производитель: ON Semiconductor Corporation, USA
Артикул: VI3759134
Краткое наименование: MMBTA92LT1G
Год выпуска: 19

619 шт. 4 дня

{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽

В корзину

33112 — 1,84 ₽/шт.

от 33113 — 1,77 ₽/шт.

от 82759 — 1,70 ₽/шт.

в избранное

Транзистор MMBTA92LT1G onsemi

Производитель: ON Semiconductor Corporation, USA
Артикул: CR3803617
Краткое наименование: MMBTA92LT1G

353 шт. 7 дней

{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽

В корзину

1401 — 17,41 ₽/шт.

от 1402 — 17,13 ₽/шт.

от 3562 — 16,71 ₽/шт.

в избранное

MPSA92RL1G

[102.41 КБ, pdf]

Документация на сайте производителя

Доставка

Для Санкт-Петербурга: самовывоз с нашего склада, расположенного по адресу: Железнодорожный проспект, дом 36. Работает в будние дни с 10:00 до 18:00.

Доставка в другие регионы России осуществляется транспортной компанией «Деловые линии» – мы бесплатно доставим ваш заказ до ее терминала в Санкт-Петербурге.

Подробнее

Оплата

Наша компания работает только с юридическими лицами. Все оплаты производятся только через безналичный расчет. Счет на оплату будет сформирован и выслан вам на почту после оформления заказа на сайте.

Для крупных заказчиков и постоянных клиентов предусмотрены скидки и отсрочки платежей.

Подробнее

Гарантии

Предоставляем все необходимые сертификаты на продукцию. Гарантия 12 месяцев на товар, подлежащий гарантийному обслуживанию.

Может ли физическое лицо сделать покупку в вашем магазине?

Нет, мы работаем только с юридическими лицами.

Какая минимальная сумма покупки?

Мы выставляем счет от 1000 руб.

Как у вас организована доставка заказа к месту назначения? И сколько примерно она стоит?

До терминала в Санкт-Петербурге товар доставляется транспортной компанией «Деловые линии». Для заказчика такая доставка бесплатна. Перевозку между терминалами оплачивает сам заказчик. Сумма доставки зависит от расстояния между терминалом в Санкт-Петербурге и местом назначения, а также от транспортной компании, которая осуществляет перевозку.

Заказывать доставку товара можно только в компании «Деловые линии»?

Нет, заказчик может самостоятельно выбирать транспортную компанию, которая доставит товар из терминала в Санкт-Петербурге к месту назначения.

Другие товары в разделе ON Semiconductor

NC7SV157P6X ONsemi

Производитель: ON Semiconductor Corporation, USA
Краткое наименование: NC7SV157P6X
Артикул: NB3645309

Под заказ

{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽

В корзину

до 1033 — 23,62 ₽/шт

от 1034 — 22,70 ₽/шт

от 2687 — 22,17 ₽/шт

в избранное

Стабилитрон MMSZ5245BT1G

Производитель: ON Semiconductor Corporation, USA
Краткое наименование: MMSZ5245BT1G
Артикул: Ц0094416

Под заказ

{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽

В корзину

до 142 — 42,70 ₽/шт

от 143 — 40,57 ₽/шт

от 602 — 34,16 ₽/шт

в избранное

Микросхемы с импортной маркировкой MC7808BT

Производитель: ON Semiconductor Corporation, USA
Краткое наименование: MC7808BT
Артикул: AC2991571

Под заказ

{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽

В корзину

до 1126 — 54,14 ₽/шт

от 1127 — 53,28 ₽/шт

от 2290 — 51,97 ₽/шт

в избранное

Микросхемы с импортной маркировкой LM2903D

Производитель: ON Semiconductor Corporation, USA
Краткое наименование: LM2903D
Артикул: AC2992581

Под заказ

{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽

В корзину

до 1950 — 31,27 ₽/шт

от 1951 — 30,77 ₽/шт

от 3966 — 30,01 ₽/шт

в избранное

MMSZ5235BT1G ONS

Производитель: ON Semiconductor Corporation, USA
Краткое наименование: 6.8V 0.5W
Артикул: M3164918

Под заказ

{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽

В корзину

до 19480 — 1,88 ₽/шт

от 19481 — 1,81 ₽/шт

от 47298 — 1,76 ₽/шт

в избранное