Микросхема AD8606ARZ Analog Devices

• Reverse stand off voltage (VR) of 15V and maximum reverse leakage (IR) of 1µA at VR• Breakdown voltage (VBR) of 16.7V minimum, 18.5V maximum at 1mA test current (IT)• Maximum clamping voltage (VC) of 24.4V at IPP and maximum peak pulse current (IPP) of 61.5A• Typical failure mode is short from over specified voltage or current• UL E230531 approved, plastic package is flammability rated V-0 per UL standard• IEC-61000-4-2 ESD 30KV (air), 30KV (contact) protection• Suitable for surface mounted applications to optimize board space• Operating temperature range from -65°C to 150°C and 260°C• 40sec high temperature to reflow soldering• ESD protection of data lines with IEC 61000-4-2 and EFT protection with IEC 61000-4-4 standard

Тип	Comparator General Purpose
Номинал	TVS 1500Вт 15В CA DO214AB
Тип упаковки	Tape and Reel (лента в катушке)
Примечание	*
Полярность	двунаправленный
Рабочая температура	-40…+85 °С
Тип корпуса	SMC (DO-214AB)
Корпус	SMC (DO-214AB)
Серия	SMCJ
Напряжение питания	одиночное (В+), двойное (В±): +3…10, ±1.5…5
Диапазон рабочих температур	-65…+150 °С
Мощность (Вт)	1500
Способ монтажа	SMD
Тип диода	общего применения
Тип выхода	CMOS, Complementary, TTL
Тип монтажа	Поверхностный
Упаковка	3000 шт
Конфигурация	Двунаправленный
Ток	потребления: 6 мА
Число компараторов	1
Тип компаратора	General Purpose
Рабочая температура, С	-55...150
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт	1500W (1.5kW)
при Iпр.,А	1
Кол-во диодов	1
Максимальное постоянное обратное напряжение,В	1000
Максимальный прямой (выпрямленный за полупериод) ток,А	1
Максимальное время обратного восстановления,мкс	0.075
Максимальное импульсное обратное напряжение,В	1200
Максимально допустимый прямой импульсный ток,А	30
Максимальный обратный ток,мкА 25гр	5
Максимальное прямое напряжение,В при 25гр.	1.1
Номинальное напряжение открывания,В	15
Максимально допустимый импульсный ток,А	61.485
Рабочее напряжение, В	15V
Номинальное напряжение стабилизации,В	6.8
Минимальное напряжение стабилизации,В	6.4
Максимальное напряжение стабилизации,В	7.2
Номинальный ток стабилизации,мА	5
Мощность рассеяния,Вт	0.25
Статическое сопротивление Rст.,Ом	80
Напряжение пробоя ,В	16.7V
Количество элементов	1
Количество в упаковке	5000
Напряжение стабилизации	6.8В
Обратный ток утечки	2мкА при 4В
Вес	0,3
Время	задержки распространения: 7 нс
Отклонение	±6%
Описание	Littelfuse_TVS_Diode_SMCJ_Datasheet.pdf.pdf
Vrrm (максимальное обратное напряжение)	1000 В
If (прямой ток)	1 А
Vf (прямое падение напряжения)	1,1 В
trr (время обратного восстановления)	1500 нс
Максимальная мощность (Вт)	0,3
MSL(Уровень чувствительности к влажности)	1
Емкость - пФ	15
Вес брутто	0.43
Транспортная упаковка: размер/кол-во	43.5*43.5*23/12000
Схема включения диодов	Одиночный
Максимальное обратное напряжение (Vrrm), В	1000
Максимальный прямой ток, А	1
Прямое падение напряжения (Vf), В	0,9
Ударный прямой ток, А	30
Ток утечки, мкА	1
Напряжение несрабатывания, В	15
Минимальное напряжение срабатывания, В	16,7
Максимальное напряжение срабатывания, В	18,5
Максимальное напряжение ограничения, В	24,4
Максимальный импульсный ток (Ipp), А	61,5
Пиковая мощность рассеивания, Вт	1500
Напряжение стабилизации, В	6,8
Data code	3
Нормоупаковка	3000 шт
Описание Eng	TVS DIODE 15VWM 24.4VC SMC
Макс. рассеиваемая мощность	350мВт
Максимальное обратное напряжение (Vr)	1000В
Средний прямой ток (Io)	1А
Напряжение фиксации, В	24.4V
Пиковый ток перегрузки, А	61.5A
Напряжение смещения	7mV @ 5V
Динамическое сопротивление	15Ом
Время задержки	9.8ns

Количество каналов	1 канал
Коэффициент усиления	8 МГц
Тип скорости нарастания	20 В
Диапазон напряжения питания	от 5 В до 15 В
Корпус микросхемы	NSOIC
Количество контактов	8 контактов
Тип усилителя	JFET
Входное напряжение смещения	80 В
Входной ток смещения	21 па
Монтаж микросхемы	Поверхностный монтаж
Минимальная рабочая температура	-40 °C
Максимальная рабочая температура	125°C
MSL	MSL 1 - неограниченный
SVHC	Нет SVHC (27 июня 2024 г.)
Тип корпуса усилителя	NSOIC
Полоса пропускания	8 МГц
Количество усилителей	1 усилитель
Частота нарастания	20V/00b5s