|
Тип |
Преобразователь уровня напряжения двунаправленный серии TXB0104 |
|
Номинал |
SMD 0402 0.01мкФ X7R 50В |
|
Мощность |
0.1 Вт |
|
Тип упаковки |
Tape and Reel (лента в катушке) |
|
Примечание |
чип 0402 X7R 0.01uF ±10% 50V |
|
Рабочая температура |
0…+85 °С |
|
Тип корпуса |
SOD-323 |
|
Напряжение |
50В |
|
Выходной ток |
высокого/ низкого уровня - 50 мА |
|
Защита |
от электростатических разрядов (ESD до ±15 кВ) |
|
Корпус |
2102Ю.14-В |
|
Серия |
CC |
|
Интерфейс |
SPI |
|
Напряжение питания |
1,2; 1,65…5,5 (max) В |
|
Частота |
20 МГц |
|
Диапазон рабочих температур |
-55°C…+125°C |
|
Мощность (Вт) |
1 |
|
Особенности |
4-х разрядный |
|
Способ монтажа |
поверхностный (SMT) |
|
Тип диода |
импульсный диод |
|
Тип выхода |
Фиксированный |
|
Тактовая частота |
16MHz |
|
Емкость |
0.01мкФ |
|
Типоразмер |
0402 |
|
Размер |
1206 |
|
Применение |
General Purpose |
|
Тип монтажа |
Поверхностный (SMD) |
|
Количество входов-выходов |
15 вх./вых. |
|
Точность, % |
1 |
|
Высота |
1.25 мм |
|
Допуск |
±10% |
|
Сопротивление |
330 Ом |
|
Упаковка |
Tape and Reel (лента в катушке) |
|
Скорость передачи данных |
100 Мбит/ с |
|
Объем памяти RAM |
384 B |
|
Объём |
RAM: 384x8 |
|
Глубина |
16,2 мм |
|
Разрядность |
8-Bit |
|
Количество контактов |
26 в три ряда |
|
Напряжение питания, В |
2,3…5,5 (max) |
|
Серия каталога |
GRM |
|
Температура |
-40...85 |
|
Разрешение |
АЦП - 10 бит |
|
Внутреннее АЦП |
10 Бит |
|
Таймер |
5 |
|
Ядро |
PIC |
|
Частота, МГц |
тактовая (max) - 32 |
|
Рабочая температура, С |
-55.00...125.00 |
|
при Iпр.,А |
0.01 |
|
Кол-во диодов |
1 |
|
Максимальное постоянное обратное напряжение,В |
75 |
|
Максимальный прямой (выпрямленный за полупериод) ток,А |
0.15 |
|
Максимальное время обратного восстановления,мкс |
0.004 |
|
Максимальное импульсное обратное напряжение,В |
100 |
|
Максимально допустимый прямой импульсный ток,А |
0.3 |
|
Максимальное прямое напряжение,В при 25гр. |
1 |
|
Общая емкость Сд,пФ |
4 |
|
Рабочее напряжение, В |
50 |
|
Емкость (значение), мкФ |
47 |
|
Длина корпуса L,мм |
1 |
|
Допуск номинальной емкости,% |
10 |
|
Тангенс угла потерь,% |
12 |
|
Ток утечки макс.,мкА |
2.8 |
|
Температурный коэффициент емкости |
X7R |
|
Допуск номинала,% |
10 |
|
Ширина корпуса W,мм |
0.5 |
|
Единица измерения |
мкФ |
|
Емкость (значение) |
0.01 |
|
Типоразмер корпуса |
A |
|
Тип диэлектрика |
X7R |
|
Диэлектрик |
X7R |
|
Cопротивление (значение) |
330 |
|
Материал резистивного элемента |
толстопленочные |
|
Номинальная мощность, Вт |
0.1 |
|
Макс.рабочее напряжение, В |
50 |
|
Ширина (диаметр) корпуса W(D),мм |
0.8 |
|
Количество в упаковке |
10000 |
|
Тактовая частота, МГц |
32 |
|
Серия микроконтроллера |
PIC16 |
|
Обьем памяти, FLASH, кБайт |
4 kB |
|
Обьем памяти, EEPROM, кБайт |
256 B |
|
Ширина |
39,14 ± 0,3 мм |
|
Диэлектрическая прочность |
500 (50 Гц, 1 мин.) В |
|
Вес |
0,05 |
|
Шаг |
2,29 х 1,98 (гор. х верт.) мм |
|
Тип разъёма |
F - розетка |
|
Диапазон |
-40°C ~ 100°C |
|
Сопротивление изоляции, не менее |
1000 (при Uисп.dc=500 В) МОм |
|
Количество |
входов/ выходов - 12 I/O; каналов АЦП - 12; таймеров - 5 |
|
Шаг/дискретность |
шины данных: 8-бит |
|
Память |
FRAM 64 Кбит |
|
Время |
задержки распространения - 7,4 нс |
|
Контактное сопротивление, не более |
20 мОм |
|
Отклонение |
±0.2% |
|
Описание |
APHHS1005CGCK.pdf
|
|
P ном. (мощность номинальная) |
250 мВт |
|
Vrrm (максимальное обратное напряжение) |
100 В |
|
If (прямой ток) |
0,15 А |
|
Vf (прямое падение напряжения) |
1,25 В |
|
trr (время обратного восстановления) |
4 нс |
|
ТКС |
±100 ppm/°C |
|
U раб. (рабочее напряжение) |
50 В |
|
C ном. (ёмкость номинальная) |
3.3 нФ |
|
U ном. (номинальное напряжение) |
6.3 В |
|
Диапазон рабочих температур, °C |
-40…+85 |
|
MSL(Уровень чувствительности к влажности) |
1 |
|
Емкость - пФ |
5 |
|
Вес брутто |
0.27 |
|
Транспортная упаковка: размер/кол-во |
58*31*26/2000 |
|
Схема включения диодов |
Одиночный |
|
Максимальное обратное напряжение (Vrrm), В |
100 |
|
Максимальный прямой ток, А |
0,15 |
|
Прямое падение напряжения (Vf), В |
1,25 |
|
Время обратного восстановления (trr), нс |
8 |
|
Ударный прямой ток, А |
4 |
|
Ток утечки, мкА |
1 |
|
Кратность (продажи) |
100 |
|
Упаковка (стандартная) |
Катушка |
|
Размер (длина, ширина) |
3.2х1.6 мм |
|
Соответствие ROHS |
да |
|
Тип упаковки (стандартная) |
Катушка |
|
Кратность продажи (продажи) |
100 |
|
Тип упаковки (новый) (стандартная) |
Катушка |
|
Data code |
185 |
|
Нормоупаковка |
10000 шт |
|
Описание Eng |
Cap Ceramic 0.01uF 50V X7R 10% Pad SMD 0402 125C T/R |
|
Напряжение входа, В |
5 В |
|
Напряжение выхода 1,В |
5В |
|
Ток выхода, A |
0.2A |
|
Максимальное обратное напряжение (Vr) |
75В |
|
Средний прямой ток (Io) |
0.15А |
|
Быстродействие |
не нормируется, при токе =< 200мА |
|
Ток выхода |
15 мА |
|
Тип источника |
Параллельный |
|
Выходное напряж. Фикс. или Мин. |
4.096 В |
|
Максимальное прямое напряжение (Vf) при токе If |
1В при 10мА |
|
Память программ |
8KB (4K x 16) |
|
Объем EEPROM |
512 x 8 |
|
Формат памяти |
RAM |
|
Объем памяти/структура |
64K (8K x 8) |
|
Рабочая частота/быстродействие |
20MHz |
|
Тип/функционал |
Translator, Bidirectional |