|
Тип |
Low Pass |
|
Номинал |
2 А |
|
Мощность |
рассеиваемая (Pd) - 375 Вт |
|
Тип упаковки |
Tape and Reel (лента в катушке) |
|
Приемка |
ОТК |
|
Примечание |
120 Ohm 3.5A |
|
Полярность |
NPN |
|
Рабочая температура |
-40...85°C |
|
Тип корпуса |
IND 1206 |
|
Напряжение |
50 В |
|
Внешние размеры |
19,5 x 6 x 9,35мм |
|
Входное напряжение |
3...3,6В |
|
Выходное напряжение |
5В DC |
|
Выходной ток |
200мА |
|
Защита |
Непрерывная защита от замыканий |
|
Корпус |
2706 |
|
КПД |
79% |
|
Монтаж |
THT |
|
Напряжение изоляции |
3000В DC |
|
Серия |
BLM |
|
Тип преобразователя |
DC/DC |
|
Интерфейс |
I2C, SPI, UART/USART |
|
Напряжение питания |
2.5...5.5 |
|
Частота |
тактовая: 32 МГц |
|
Диапазон рабочих температур |
-40°C~85°C |
|
Мощность (Вт) |
1 |
|
Особенности |
для работы непосредственно с КМОП - устройствами с напряжением питания 6…15 В |
|
Способ монтажа |
поверхностный (SMT) |
|
Тип диода |
стандартный |
|
Тип выхода |
фиксированный |
|
Тактовая частота |
16MHz |
|
Емкость |
22мкФ |
|
Типоразмер |
0402 |
|
Технология |
LC (T-Type) |
|
Тип транзистора |
P-канал |
|
Размер |
1.6 мм x 0.8 мм |
|
Применение |
General Purpose |
|
Максимальный ток |
Id - максимальный продолжительный, непрерывный ток стока - 110 A |
|
Тип монтажа |
Поверхностный монтаж (SMD) |
|
Количество входов-выходов |
15 вх./вых. |
|
Индуктивность |
100 нГн |
|
Точность, % |
5 |
|
Высота |
0.65 мм |
|
Допуск |
±20% |
|
Количество каналов |
1 |
|
Сопротивление |
сток-исток открытого транзистора (Rds) - 6,9 мОм |
|
Упаковка |
Tape and Reel (лента в катушке) |
|
Тип канала |
P |
|
Объем памяти RAM |
384 B |
|
Объём |
RAM: 384x8 |
|
Конфигурация |
общий эммитер |
|
Глубина |
16,2 мм |
|
Длина |
1 мм |
|
Разрядность |
8-Bit |
|
Количество контактов |
26 в три ряда |
|
Напряжение питания, В |
2,3…5,5 (max) |
|
Диапазон рабочих температур, гр.С |
-20.00…85.00 |
|
Серия каталога |
CC |
|
Температура |
-40...85 |
|
Мин. входное напряжение, В |
14 |
|
Макс. входное напряжение, В |
30 |
|
Полярность включения |
положительная |
|
Выходное напряжение, В (фикс) |
12 |
|
Номин. выходной ток, А |
0.1 |
|
Падение напряжения вх/вых, В |
2 |
|
Число регуляторов в корпусе |
1 |
|
Разрешение |
АЦП - 10 бит |
|
Внутреннее АЦП |
10 Бит |
|
Таймер |
5 |
|
Ядро |
PIC |
|
Частота, МГц |
тактовая (max) - 32 |
|
Рабочая температура, С |
-55...150 |
|
Структура |
N-канал |
|
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт |
2 |
|
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В |
1000 |
|
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс.,Вт |
125 |
|
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А |
3.1 |
|
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм |
5000 |
|
Температура, С |
-55...+150 |
|
Кол-во, транзисторов |
7 |
|
Uк-э, В |
50 |
|
Iимп. Коллектора, мА |
500 |
|
Функциональное назначение |
розетка |
|
Рабочее напряжение, В |
33V |
|
Номинальное напряжение стабилизации,В |
4.7 |
|
Минимальное напряжение стабилизации,В |
4.4 |
|
Максимальное напряжение стабилизации,В |
5 |
|
Номинальный ток стабилизации,мА |
5 |
|
Мощность рассеяния,Вт |
0.35 |
|
Статическое сопротивление Rст.,Ом |
80 |
|
Конструктивное исполнение |
SMD |
|
Длина корпуса L,мм |
48 |
|
Температурный коэффициент емкости |
X5R |
|
Допуск номинала,% |
20 |
|
Ширина корпуса W,мм |
3.35 |
|
Единица измерения |
Ом |
|
Емкость (значение) |
22 |
|
Типоразмер корпуса |
2512 |
|
Тип диэлектрика |
X5R |
|
Исполнение |
одинарный |
|
Высота корпуса, мм |
1.1 |
|
Диэлектрик |
C0G/NP0 |
|
Номинальный ток, А |
3 |
|
Длина корпуса, мм |
3.2 |
|
Cопротивление (значение) |
0.22 |
|
Материал резистивного элемента |
керметные |
|
Номинальная мощность, Вт |
10 |
|
Макс.рабочее напряжение, В |
500 |
|
Ширина (диаметр) корпуса W(D),мм |
9.5 |
|
Сопротивление (значение) |
330 |
|
Номинальное сопротивление, Ом |
0.22 |
|
Активное сопротивление,Ом |
120 |
|
Напряжение пробоя ,В |
36.7V |
|
Ширина корпуса, мм |
1.6 |
|
Макс.частота сигнала, МГц |
20 |
|
Количество рядов |
1 |
|
Шаг контактов,мм |
2.5 |
|
Количество контактов в ряду |
2 |
|
Количество в упаковке |
2500 |
|
Тактовая частота, МГц |
32 |
|
Серия микроконтроллера |
PIC16 |
|
Обьем памяти, FLASH, кБайт |
4 kB |
|
Обьем памяти, EEPROM, кБайт |
256 B |
|
Ширина |
0.5 мм |
|
Напряжение стабилизации |
4.7В |
|
Сопротивление изоляции |
1 ГОм |
|
Диэлектрическая прочность |
500 (50 Гц, 1 мин.) В |
|
Обратный ток утечки |
3мкА при 2В |
|
Количество защищаемых линий |
2 |
|
Вес |
0,09 |
|
Шаг |
2,29 х 1,98 (гор. х верт.) мм |
|
Максимальное входное напряжение |
35V |
|
Экранирование |
Неэкранированный |
|
Тип разъёма |
F - розетка |
|
Способ крепления |
3rd |
|
Максимальное напряжение сток-исток |
100V |
|
Типовое сопротивление канала в проводящем состоянии |
0.2Ohm |
|
Пороговое напряжение затвора max |
4V |
|
Общий заряд затвора |
61nC |
|
Входная емкость |
1400pF |
|
Мощность рассеивания |
150Вт |
|
Потребляемый ток |
6,5 мА |
|
Сопротивление изоляции, не менее |
1000 (при Uисп.dc=500 В) МОм |
|
Количество |
входов/ выходов - 12 I/O; каналов АЦП - 12; таймеров - 5 |
|
Шаг/дискретность |
шины данных: 8-бит |
|
Память |
программная (Flash) - 7 кБ; ОЗУ (RAM) - 384 Б |
|
Характеристика |
транзисторы биполярные кремниевые n-p-n структуры В |
|
Время |
задержки включения/ выключения - 25/ 29 нс |
|
Контактное сопротивление, не более |
20 мОм |
|
Отклонение |
±6% |
|
Описание |
NF-partNumbering_Murata_.pdf
|
|
Максимально допустимое напряжение |
затвор-исток (Vgs) ± 20 В |
|
Заряд |
затвора (Qg) - 80 нК |
|
P ном. (мощность номинальная) |
0.125 Вт |
|
R (сопротивление) |
9 мОм |
|
I ном. (номинальный ток) |
2 А |
|
Тип установки |
Power Line |
|
Импеданс @ Частота |
33 Ом @ 100 МГц |
|
Значения |
- |
|
ТКС |
±100 ppm/°C |
|
Тестовая частота |
100 МГц |
|
I макс. (максимальный постоянный ток) |
200 мА |
|
L (Индуктивность) |
100 нГн |
|
Допустимое отклонение |
±5% |
|
U раб. (рабочее напряжение) |
50 В |
|
C ном. (ёмкость номинальная) |
2.2 пФ |
|
Диапазон рабочих температур, °C |
-40…+85 |
|
Максимальная мощность (Вт) |
0,3 |
|
MSL(Уровень чувствительности к влажности) |
1 |
|
Емкость - пФ |
11400 |
|
I max DC (максимальный постоянный ток) |
200 мА |
|
Вес брутто |
2.20 |
|
Транспортная упаковка: размер/кол-во |
60*50*50/800 |
|
Прямое падение напряжения (Vf), В |
0,9 |
|
Ток утечки, мкА |
20 |
|
Напряжение несрабатывания, В |
12 |
|
Минимальное напряжение срабатывания, В |
13,3 / 7,5 |
|
Максимальный импульсный ток (Ipp), А |
17 |
|
Пиковая мощность рассеивания, Вт |
400 |
|
Уровень защиты по ESD (IEC61000-4-2) |
±15 кВ возд. /± 8 кВ касание |
|
Напряжение стабилизации, В |
4,7 |
|
Тип проводимости |
P |
|
Максимальный постоянный ток коллектора, А |
-5 |
|
Коэффициент усиления hFE мин. |
1000 |
|
Максимальное напряжение КБ (Vcbo), В |
-100 |
|
Максимальное напряжение сток-исток, В |
-60 |
|
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А |
-110 |
|
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм |
6,9 |
|
Заряд затвора, нКл |
345 |
|
Кратность (продажи) |
50 |
|
Упаковка (стандартная) |
Катушка |
|
Максимальное напряжение КЭ (Vceo), В |
-100 |
|
Граничная частота ft, МГц |
50 |
|
Максимальное напряжение ЭБ (Vebo), В |
5 |
|
Напряжение насыщения КЭ Vce(sat), В |
1 |
|
Data code |
742 |
|
Нормоупаковка |
3000 шт |
|
Описание Eng |
Ferrite Beads Multi-Layer 120Ohm 25% 100MHz 2A 50mOhm DCR 0603 T/R |
|
Макс. рассеиваемая мощность |
350мВт |
|
Напряжение КЭ Макс. |
100 В |
|
Ток коллектора Макс. |
10 А |
|
Мощность Макс. |
3.75Вт |
|
Коэффициент усиления hFE |
1000 |
|
Напряжение входа, В |
3…3.6 В |
|
Напряжение выхода 1,В |
5 |
|
Ток выхода, A |
0.2 |
|
Максимальное обратное напряжение (Vr) |
400В |
|
Средний прямой ток (Io) |
2A |
|
Быстродействие |
повышенное, =< 500нс, при токе > 200мА |
|
Напряжение фиксации, В |
69.7V |
|
Пиковый ток перегрузки, А |
143A (8/20 µs) |
|
Тип стабилизатора |
Positive Fixed |
|
Напряжение сток-исток макс. |
60В |
|
Ток стока макс. |
110A |
|
Сопротивление открытого канала |
6.9 мОм |
|
Динамическое сопротивление |
80Ом |
|
Максимальное прямое напряжение (Vf) при токе If |
1.25В при 1A |
|
Память программ |
8KB (4K x 16) |
|
Объем EEPROM |
512 x 8 |