|
Тип |
MOSFET |
|
Номинал |
SMD 2512 22Ом 5% |
|
Мощность |
рассеиваемая (Pd) - 200 Вт |
|
Тип упаковки |
Tube (туба) |
|
Приемка |
ОТК |
|
Примечание |
АП6 |
|
Полярность |
N-Channel |
|
Рабочая температура |
0…+85 °С |
|
Тип корпуса |
SO8-150 |
|
Напряжение |
пороговое затвора (Vgs th) - 4В |
|
Внешние размеры |
19.5 x 6 x 9.5мм |
|
Входное напряжение |
4.5...5.5В |
|
Выходное напряжение |
5В DC |
|
Выходной ток |
100 мА |
|
Защита |
от электростатических разрядов (ESD - до ±15 кВ) |
|
Корпус |
TSSOP20 |
|
КПД |
80% |
|
Монтаж |
THT |
|
Напряжение изоляции |
3000В DC |
|
Серия |
RC1206 |
|
Тип преобразователя |
DC/DC |
|
Интерфейс |
IC |
|
Напряжение питания |
1,7…1,9 В |
|
Частота |
тактовая (max) - 400 МГц |
|
Диапазон рабочих температур |
-55…+175 °С |
|
Мощность (Вт) |
1 |
|
Особенности |
Влагостойкий |
|
Способ монтажа |
Through Hole |
|
Яркость |
12.5 мкд |
|
Температурный коэффициент |
±100ppm/°C |
|
Типоразмер |
0805 |
|
Контакты |
2 |
|
Тип транзистора |
N-канал |
|
Максимальная рабочая температура |
155°C |
|
Размер |
памяти: 2 Gbit |
|
Максимальный ток |
Id - максимальный продолжительный, непрерывный ток стока - 57 A |
|
Тип монтажа |
поверхностный (SMT) |
|
Точность, % |
5 |
|
Высота |
0.75 мм |
|
Допуск |
±5% |
|
Сопротивление |
сток-исток открытого транзистора (Rds) - 23 мОм |
|
Тип входа |
Non-Inverting |
|
Упаковка |
Tape and Reel (лента в катушке) |
|
Скорость передачи данных |
480 Мбит/c |
|
Конфигурация |
Half Bridge |
|
Длина |
3.2 мм |
|
Напряжение питания, В |
4.5 V ~ 5.5 V |
|
Ядро |
RISK ARM® Cortex®-M3 |
|
Частота, МГц |
108 |
|
Напряжение высоковольтной части |
600 |
|
Рабочая температура, С |
-55...155 |
|
Структура |
N-канал |
|
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В |
100 |
|
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс.,Вт |
130 |
|
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А |
33 |
|
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм |
44 |
|
Температура, С |
-55...+175 |
|
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В |
4 |
|
Крутизна характеристики S,А/В |
21 |
|
Длина корпуса L,мм |
6.4 |
|
Единица измерения |
кОм |
|
Cопротивление (значение) |
22 |
|
Материал резистивного элемента |
толстопленочные |
|
Номинальная мощность, Вт |
1 |
|
Макс.рабочее напряжение, В |
50 |
|
Ширина (диаметр) корпуса W(D),мм |
3.2 |
|
Номинальное сопротивление |
4.7 |
|
Номин.мощность |
0.063 |
|
Количество резисторов |
4 |
|
Диаметр светодиода, мм |
5 |
|
Категория |
DRAM |
|
Количество в упаковке |
1 |
|
Ширина |
шины данных: 16 bit |
|
Максимальное рабочее напряжение |
50 В |
|
Вес |
0,32 |
|
Количество выводов |
2 |
|
Тип линзы |
Прозрачная |
|
Пиковый ток |
210mA |
|
Минимальная рабочая температура |
-55°C |
|
Потребляемый ток |
70 мА |
|
Количество |
каналов - 2 |
|
Память |
DRAM DDR2 2 Гбит (128 Мбит х 16) |
|
Характеристика |
доступа - 400 ps |
|
Отклонение |
±2 % |
|
Описание |
74LVC04A.pdf
|
|
Максимально допустимое напряжение |
затвор-исток (Vgs) ± 20 В |
|
Обороты |
12 |
|
Заряд |
затвора (Qg) - 86,7 нКл |
|
P ном. (мощность номинальная) |
0.1 Вт |
|
ТКС (температурный коэффициент сопротивления) |
±100 ppm/°C |
|
V(br)dss (напряжение сток-исток) |
100 В |
|
Rds(on) (сопротивление канала) |
220 мОм |
|
Q g (заряд затвора) |
2.5 нКл |
|
I d (ток стока при 25°C) |
1.6 А |
|
C вх. (входная ёмкость) |
290 пФ |
|
λd/p (длина волны) |
568 нм |
|
2θ1/2 (угол излучения, ⁰) |
130 ° |
|
If ном. (номинальный ток) |
20 мА |
|
Цвет излучения |
Желто-зеленый |
|
P rad (мощность излучения) |
* |
|
U т.п. (типовое прямое напряжение) |
2.1 В |
|
If макс. (максимальный ток) |
25 мА |
|
Отклонение (допустимое) |
K (±10%) |
|
ТКС |
±200 ppm |
|
R ном. (Номинальное сопротивление) |
500 Ом |
|
P рас. (Мощность рассеяния) |
0.25 Вт |
|
Материал (Рабочей поверхности) |
металлокерамика |
|
Диапазон рабочих температур, °C |
-40…+85 |
|
MSL(Уровень чувствительности к влажности) |
1.0 |
|
Количество портов |
37 |
|
Емкость - пФ |
290 |
|
Вес брутто |
3.06 |
|
Транспортная упаковка: размер/кол-во |
60*50*50/1000 |
|
Тип проводимости |
N |
|
Максимальное напряжение сток-исток, В |
100 |
|
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А |
57 |
|
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм |
23 |
|
Заряд затвора, нКл |
86,7 |
|
Кратность (продажи) |
100 |
|
Упаковка (стандартная) |
Катушка |
|
Data code |
9 |
|
Нормоупаковка |
75 шт |
|
Описание Eng |
Bus XCVR Single 8-CH 3-ST 20-Pin TSSOP Rail |
|
Мощность Макс. |
200Вт |
|
Напряжение входа, В |
4.5…5.5 В |
|
Напряжение выхода 1,В |
5 |
|
Ток выхода, A |
0.2 |
|
Напряжение сток-исток макс. |
100В |
|
Ток стока макс. |
57A |
|
Сопротивление открытого канала |
23 мОм |
|
Выходное напряжение Мин. |
2,495 В |
|
Выходное напряжение Макс. |
36 В |
|
Время задержки |
680ns |
|
Число выходов |
2 |
|
Частота процессора |
108МГц |
|
Объем Флэш-памяти |
64КБ |
|
Объем статического ОЗУ |
20КБ |
|
Год производства |
2023+ |