|
Тип |
Многослойный |
|
Номинал |
SMD 0805 1мкФ X7R 25В |
|
Мощность |
0.125 Вт |
|
Тип упаковки |
Tape and Reel (лента в катушке) |
|
Приемка |
ОТК |
|
Примечание |
чип 0805 X7R 1uF ±10% 25V |
|
Полярность |
NPN |
|
Рабочая температура |
-40...85°C |
|
Тип корпуса |
IND 0402 |
|
Напряжение |
25В |
|
Внешние размеры |
19,5 x 6 x 9,35мм |
|
Входное напряжение |
2,2…5,5 (max) В |
|
Выходное напряжение |
3.3 В |
|
Выходной ток |
150 мА |
|
Защита |
от электростатических разрядов (ESD до ±15 кВ) |
|
Корпус |
MSOP8 |
|
КПД |
79% |
|
Монтаж |
THT |
|
Напряжение изоляции |
2,5 кВ (rms) |
|
Серия |
GRM31 |
|
Тип преобразователя |
DC/DC |
|
Интерфейс |
RS-422; RS-485 |
|
Напряжение питания |
2…36 (max) В |
|
Частота |
тактовая (max) - 16 МГц |
|
Диапазон рабочих температур |
-55°C…+125°C |
|
Мощность (Вт) |
1 |
|
Особенности |
чувствителен к повышенной влажности |
|
Способ монтажа |
SMD |
|
Тип диода |
стандартный |
|
Скорость нарастания |
0.6V/µS |
|
Тип выхода |
Open Collector |
|
Тип усилителя |
Универсальный |
|
Тактовая частота |
16MHz |
|
Скорость передачи |
1Мбит/с |
|
Емкость |
1мкФ |
|
Типоразмер |
0805 |
|
Технология |
CMOS |
|
Тип транзистора |
NPN |
|
Средний прямой ток |
3.0А |
|
Размер |
1206 |
|
Максимальный ток |
Id - максимальный продолжительный, непрерывный ток стока - 110 A |
|
Тип монтажа |
Поверхностный (SMD) |
|
Количество входов-выходов |
53 вх./вых. |
|
Индуктивность |
1 мкГн |
|
Точность, % |
1 |
|
Высота |
1.05 мм |
|
Допуск |
±10% |
|
Сопротивление |
400 мОм |
|
Усиление |
по напряжению - 112 дБ |
|
Упаковка |
Tape and Reel (лента в катушке) |
|
Чувствительность |
к влажности |
|
Скорость передачи данных |
12 Mбит/ c |
|
Полоса пропускания |
55 МГц |
|
Дуплекс |
Half |
|
Протокол |
RS422, RS485 |
|
Тип канала |
P |
|
Объем памяти RAM |
4 kB |
|
Сертификаты |
AECQ200 |
|
Ток покоя |
100
µA |
|
Объём |
RAM: 384x8 |
|
Конфигурация |
Schottky |
|
Глубина |
16,2 мм |
|
Длина |
2 мм |
|
Ток |
коммутируемый - 900 (max) мА |
|
Разрядность |
8 |
|
Количество контактов |
26 в три ряда |
|
Напряжение питания, В |
5 |
|
Диапазон рабочих температур, гр.С |
-40.00....+85.00 |
|
Серия каталога |
GRM |
|
Время задержки, нС |
1300 |
|
Температура |
-40…+125 |
|
Число компараторов |
2 |
|
Напряжение питания - макс, В |
36 |
|
Напряжение питания - мин., В |
18 |
|
Напряжение смещения - макс. мВ |
7 |
|
Входной ток смещения, мкА |
0.25 |
|
Ток питания, мА |
1 |
|
Тип компаратора |
General Purpose |
|
Количество приемо/передатчиков |
1Dr/1Re |
|
Электростатическая защита |
нет |
|
Налич. внеш. конденсаторов |
есть |
|
Тип интерфейса |
CAN |
|
Мин. входное напряжение, В |
14 |
|
Макс. входное напряжение, В |
30 |
|
Полярность включения |
положительная |
|
Выходное напряжение, В (фикс) |
12 |
|
Номин. выходной ток, А |
0.1 |
|
Падение напряжения вх/вых, В |
2 |
|
Число регуляторов в корпусе |
1 |
|
Разрешение |
АЦП - 10 бит |
|
Внутреннее АЦП |
10 B |
|
Таймер |
4 |
|
Ядро |
AVR |
|
Частота, МГц |
16 |
|
Емкость ПЗУ, слов |
128 kB |
|
Емкость ОЗУ, Байт |
4 kB |
|
Порты в/в |
53 вх./вых. |
|
Рабочая температура, С |
-55.00...125.00 |
|
Структура |
N-канал |
|
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт |
2 |
|
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В |
1000 |
|
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс.,Вт |
125 |
|
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А |
3.1 |
|
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм |
5000 |
|
Температура, С |
-55...+150 |
|
Кол-во, транзисторов |
7 |
|
Uк-э, В |
50 |
|
Iимп. Коллектора, мА |
500 |
|
Функциональное назначение |
розетка |
|
при Iпр.,А |
1 |
|
Кол-во диодов |
2 |
|
Максимальное постоянное обратное напряжение,В |
30 |
|
Максимальный прямой (выпрямленный за полупериод) ток,А |
0.2 |
|
Максимальное время обратного восстановления,мкс |
0.075 |
|
Максимальное импульсное обратное напряжение,В |
1200 |
|
Максимально допустимый прямой импульсный ток,А |
0.6 |
|
Максимальный обратный ток,мкА 25гр |
2 |
|
Максимальное прямое напряжение,В при 25гр. |
0.8 |
|
Рабочее напряжение, В |
25 |
|
Номинальное напряжение стабилизации,В |
4.7 |
|
Минимальное напряжение стабилизации,В |
4.4 |
|
Максимальное напряжение стабилизации,В |
5 |
|
Номинальный ток стабилизации,мА |
5 |
|
Мощность рассеяния,Вт |
0.35 |
|
Статическое сопротивление Rст.,Ом |
80 |
|
Конструктивное исполнение |
SMD |
|
Длина корпуса L,мм |
2 |
|
Температурный коэффициент емкости |
X7R |
|
Допуск номинала,% |
15 |
|
Ширина корпуса W,мм |
1.25 |
|
Единица измерения |
мкФ |
|
Емкость (значение) |
1 |
|
Типоразмер корпуса |
2512 |
|
Тип диэлектрика |
X7R |
|
Исполнение |
одинарный |
|
Высота корпуса, мм |
0.8 |
|
Диэлектрик |
C0G/NP0 |
|
Номинальный ток, А |
2 |
|
Длина корпуса, мм |
1.6 |
|
Cопротивление (значение) |
1 |
|
Материал резистивного элемента |
толстопленочные |
|
Номинальная мощность, Вт |
0.1 |
|
Макс.рабочее напряжение, В |
75 |
|
Ширина (диаметр) корпуса W(D),мм |
0.8 |
|
Сопротивление (значение) |
330 |
|
Номинальное сопротивление, Ом |
0.22 |
|
Активное сопротивление,Ом |
120 |
|
Напряжение пробоя ,В |
36.7V |
|
Ширина корпуса, мм |
0.8 |
|
Макс.частота сигнала, МГц |
20 |
|
Количество рядов |
1 |
|
Шаг контактов,мм |
2.5 |
|
Количество контактов в ряду |
2 |
|
Количество в упаковке |
4000 |
|
Тактовая частота, МГц |
16 |
|
Серия микроконтроллера |
ATMEGA128 |
|
Обьем памяти, FLASH, кБайт |
128 kB |
|
Обьем памяти, EEPROM, кБайт |
4 kB |
|
Ширина |
1.25 мм |
|
Гистерезис приемника |
50mV |
|
Напряжение стабилизации |
4.7В |
|
Диэлектрическая прочность |
500 (50 Гц, 1 мин.) В |
|
Обратное напряжение |
100В |
|
Обратный ток утечки |
100мкА при 100В |
|
Количество защищаемых линий |
1 |
|
Вес |
0,06 |
|
Шаг |
2,29 х 1,98 (гор. х верт.) мм |
|
Максимальное входное напряжение |
5.5V |
|
Гальваническая развязка |
нет |
|
Экранирование |
Экранированный |
|
Тип разъёма |
F - розетка |
|
Максимальное напряжение сток-исток |
100V |
|
Типовое сопротивление канала в проводящем состоянии |
0.2Ohm |
|
Пороговое напряжение затвора max |
4V |
|
Общий заряд затвора |
61nC |
|
Входная емкость |
1400pF |
|
Мощность рассеивания |
150Вт |
|
Потребляемый ток |
100 мкА |
|
Скорость |
нарастания выходного напряжения (SR) - 600 мВ/ мкс |
|
Сопротивление изоляции, не менее |
1000 (при Uисп.dc=500 В) МОм |
|
Количество |
выходов - 2 |
|
Повторяющееся импульсное обратное напряжение |
(Vrrm) - 100 (max) В |
|
Максимальный прямой ток |
(If) - 3 А |
|
Шаг/дискретность |
шины данных: 8-бит |
|
Память |
программная (Flash) - 128 кБ; ПЗУ (EEPROM) - 4 кБ; ОЗУ (SRAM) - 4 кБ |
|
Характеристика |
(en) - интенсивность шума входного напряжения - 28 нВ/ sqrt Гц |
|
Ток постоянный |
обратный (Ir) - 5 мА |
|
Время |
задержки распространения - 100 нс |
|
Стандарт |
AEC-Q100 |
|
Коэффициент |
подавления - синфазного сигнала (CMRR) - 60; - помех по питанию (PSSR) - 86 дБ |
|
Контактное сопротивление, не более |
20 мОм |
|
Отклонение |
±6% |
|
Режим работы |
полудуплекс |
|
Входной ток |
смещения (Ib) - 1 пA |
|
Описание |
ADP3335.pdf
|
|
Поддержка |
протокол RS-485 |
|
Максимально допустимое напряжение |
затвор-исток (Vgs) ± 20 В |
|
Плотность |
тока шума на входе - 0.0006 пA/sqrt Гц мВт |
|
Число каналов |
2 |
|
Заряд |
затвора (Qg) - 80 нК |
|
Максимально допустимый ударный прямой ток |
(Ifsm) - 800 А |
|
P ном. (мощность номинальная) |
0.125 Вт |
|
R (сопротивление) |
400 мОм |
|
Vrrm (максимальное обратное напряжение) |
1000 В |
|
If (прямой ток) |
1 А |
|
Vf (прямое падение напряжения) |
1,1 В |
|
trr (время обратного восстановления) |
1500 нс |
|
ТКС |
±100 ppm/°C |
|
Тестовая частота |
10 МГц |
|
I макс. (максимальный постоянный ток) |
50 мА |
|
L (Индуктивность) |
1 мкГн |
|
Допустимое отклонение |
±10% |
|
U раб. (рабочее напряжение) |
50 В |
|
C ном. (ёмкость номинальная) |
820 пФ |
|
Диапазон рабочих температур, °C |
-40…+85 |
|
Максимальная мощность (Вт) |
0,3 |
|
MSL(Уровень чувствительности к влажности) |
1 |
|
Емкость - пФ |
15 |
|
I max DC (максимальный постоянный ток) |
50 мА |
|
Скорость передачи, кБс |
5000 кБод |
|
Вес брутто |
0.03 |
|
Транспортная упаковка: размер/кол-во |
42*28*33/50000 |
|
Схема включения диодов |
2 диода, общий катод |
|
Максимальное обратное напряжение (Vrrm), В |
40 |
|
Максимальный прямой ток, А |
0,2 |
|
Прямое падение напряжения (Vf), В |
1,1 |
|
Время обратного восстановления (trr), нс |
150 |
|
Ударный прямой ток, А |
30 |
|
Ток утечки, мкА |
5 |
|
Напряжение несрабатывания, В |
5 |
|
Минимальное напряжение срабатывания, В |
5,8 |
|
Максимальное напряжение ограничения, В |
10 |
|
Максимальный импульсный ток (Ipp), А |
8 |
|
Пиковая мощность рассеивания, Вт |
80 |
|
Уровень защиты по ESD (IEC61000-4-2) |
±25 кВ возд. /± 25 кВ касание |
|
Напряжение стабилизации, В |
4,7 |
|
Тип проводимости |
P |
|
Максимальный постоянный ток коллектора, А |
-5 |
|
Коэффициент усиления hFE мин. |
1000 |
|
Максимальное напряжение КБ (Vcbo), В |
-100 |
|
Максимальное напряжение сток-исток, В |
-60 |
|
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А |
-110 |
|
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм |
6,9 |
|
Заряд затвора, нКл |
345 |
|
Кратность (продажи) |
100 |
|
Упаковка (стандартная) |
Катушка |
|
Соответствие ROHS |
да |
|
Объем RAM |
128K x 8 |
|
Падение напряжения, В |
выходов - 2 |
|
Максимальное напряжение КЭ (Vceo), В |
-100 |
|
Граничная частота ft, МГц |
50 |
|
Максимальное напряжение ЭБ (Vebo), В |
5 |
|
Напряжение насыщения КЭ Vce(sat), В |
1 |
|
Data code |
59 |
|
Нормоупаковка |
3000 шт |
|
Тип устройства: |
Transceiver |
|
Описание Eng |
CERCAP 1/25V 0805 KX7R |
|
Макс. рассеиваемая мощность |
350мВт |
|
Напряжение КЭ Макс. |
45 В |
|
Ток коллектора Макс. |
100 мА |
|
Мощность Макс. |
250 мВт |
|
Коэффициент усиления hFE |
200 |
|
Напряжение входа, В |
3…3.6 В |
|
Напряжение выхода 1,В |
5 |
|
Ток выхода, A |
0.2 |
|
Максимальное обратное напряжение (Vr) |
600В |
|
Средний прямой ток (Io) |
2A |
|
Число приемников/передатчиков |
1/1 |
|
Быстродействие |
повышенное, =< 500нс, при токе > 200мА |
|
Напряжение фиксации, В |
69.7V |
|
Пиковый ток перегрузки, А |
143A (8/20 µs) |
|
Ток выхода |
16mA @ 5V |
|
Напряжение смещения |
7mV @ 5V |
|
Тип супервизора |
Simple Reset/Power-On Reset |
|
Число контролируемых напряжений |
1 |
|
Тип стабилизатора |
Positive Fixed |
|
Число усилителей |
1 |
|
Напряжение сток-исток макс. |
60В |
|
Ток стока макс. |
110A |
|
Сопротивление открытого канала |
6.9 мОм |
|
Прямое напряжение (макс.) |
0.62А |
|
Сигнал сброса (High/Low) |
Active Low |
|
Время сигнала сброса |
140 ms Minimum |
|
Динамическое сопротивление |
80Ом |
|
Максимальное прямое напряжение (Vf) при токе If |
1.25В при 1A |
|
Память программ |
128KB (64K x 16) |
|
Объем EEPROM |
4K x 8 |
|
Приёмка |
2012г |