|
Тип |
Микроконтроллер 8 бит серии ATmega8 |
|
Номинал |
TVS 600Вт 36В A DO214AA |
|
Мощность |
0.29Вт |
|
Тип упаковки |
Tape and Reel (лента в катушке) |
|
Примечание |
чип 0402 49.9 1% |
|
Полярность |
однонаправленный |
|
Рабочая температура |
-40…+85 °С |
|
Тип корпуса |
SOT-23 |
|
Напряжение |
вход/ выход - 1,8/ 3,3 В |
|
Входное напряжение |
2,5...16 (max) В |
|
Выходное напряжение |
5В |
|
Выходной ток |
150 мА |
|
Корпус |
SOT23-3 |
|
Монтаж |
SMD |
|
Напряжение изоляции |
2500 В(rms) |
|
Серия |
SMBJ |
|
Интерфейс |
I2C, SPI, UART/USART |
|
Падение напряжения |
при макс. нагрузки - не более 275мВ |
|
Напряжение питания |
4.5…5.5 |
|
Частота |
1 МГц |
|
Диапазон рабочих температур |
-55…+150 °С |
|
Мощность (Вт) |
600 |
|
Способ монтажа |
SMD |
|
Тип диода |
импульсный диод |
|
Скорость нарастания |
5V/µS |
|
Тип выхода |
CMOS, Rail-to-Rail, TTL |
|
Тип усилителя |
С J-FET-транзисторами |
|
Тактовая частота |
16MHz |
|
Емкость |
0.01мкФ |
|
Типоразмер |
1210 |
|
Контакты |
1 НР |
|
Схема |
1 x 4PDT |
|
Технология |
Si |
|
Тип транзистора |
P-канал |
|
Средний прямой ток |
5А |
|
Размер |
1.60x0.80 мм |
|
Применение |
General Purpose |
|
Максимальный ток |
Id - максимальный продолжительный, непрерывный ток стока - 4,3 A |
|
Тип монтажа |
Поверхностный |
|
Количество входов-выходов |
23 вх./вых. |
|
Точность, % |
1 |
|
Высота |
12,5 мм |
|
Допуск |
±1% |
|
Количество каналов |
1 |
|
Сопротивление |
49.9 Ом |
|
Тип памяти |
EEPROM |
|
Тип входа |
DC |
|
Упаковка |
3000 |
|
Чувствительность |
к влажности |
|
Скорость передачи данных |
250 кбит/ c |
|
Полоса пропускания |
55 МГц |
|
Дуплекс |
Half |
|
Протокол |
RS422, RS485 |
|
Объем памяти RAM |
1 kB |
|
Диапазон частот |
входных частот - 135 МГц - 4350 МГц |
|
Ток покоя |
710
µA |
|
Объём |
памяти: 64 kбит(8k x 8) |
|
Конфигурация |
Однонаправленный |
|
Глубина |
15,3 мм |
|
Материал корпуса |
сталь.покрытая цинком или оловом |
|
Ток |
потребления: 6 мА |
|
Разрядность |
8 |
|
Количество контактов |
9 |
|
Напряжение питания, В |
4,5…5,5 (max) В |
|
Серия каталога |
DB |
|
Температура |
-40...85 |
|
Число компараторов |
1 |
|
Тип компаратора |
General Purpose |
|
Разрешение |
АЦП - 10 бит |
|
Внутреннее АЦП |
10 Бит |
|
Таймер |
3 |
|
Ядро |
AVR |
|
Частота, МГц |
16 |
|
Емкость ПЗУ, слов |
8 kB |
|
Емкость ОЗУ, Байт |
1 kB |
|
Порты в/в |
23 вх./вых. |
|
Рабочая температура, С |
-65...150 |
|
Функция |
Switch |
|
Структура |
P-канал |
|
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт |
600W |
|
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В |
12 |
|
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс.,Вт |
1.3 |
|
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А |
4.3 |
|
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм |
50 |
|
Температура, С |
-55...+150 |
|
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В |
-0.95 |
|
Крутизна характеристики S,А/В |
8.6 |
|
Функциональное назначение |
вилка |
|
при Iпр.,А |
0.15 |
|
Кол-во диодов |
2 |
|
Максимальное постоянное обратное напряжение,В |
150 |
|
Максимальный прямой (выпрямленный за полупериод) ток,А |
0.35 |
|
Максимальное время обратного восстановления,мкс |
0.006 |
|
Максимальное импульсное обратное напряжение,В |
85 |
|
Максимально допустимый прямой импульсный ток,А |
4.5 |
|
Максимальный обратный ток,мкА 25гр |
50 |
|
Максимальное прямое напряжение,В при 25гр. |
1.25 |
|
Общая емкость Сд,пФ |
1.5 |
|
Схема коммутации |
общий катод |
|
Максимальное прямое напряжение,В |
1,25 |
|
Номинальное напряжение открывания,В |
36 |
|
Минимальное напряжение открывания,В |
40 |
|
Максимальное напряжение открывания,В |
44.2 |
|
при тестовом токе,мА |
1 |
|
Напряжение закрывания обратно,В |
36 |
|
Максимальный ток утечки при напряжении закрывания I ут.,мкА |
5 |
|
Максимально допустимый импульсный ток,А |
10.7 |
|
Максимальное напряжение защелки Uзащ,В |
58.1 |
|
Рабочее напряжение, В |
36V |
|
Номинальное напряжение стабилизации,В |
13 |
|
Минимальное напряжение стабилизации,В |
12.35 |
|
Максимальное напряжение стабилизации,В |
13.65 |
|
Номинальный ток стабилизации,мА |
19 |
|
Максимальный ток стабилизации Iст.макс.,мА |
69 |
|
Мощность рассеяния,Вт |
1 |
|
Статическое сопротивление Rст.,Ом |
10 |
|
Максимальное обратное напряжение,В |
70 |
|
Конструктивное исполнение |
SMD |
|
Емкость (значение), мкФ |
10 |
|
Длина корпуса L,мм |
3.2 |
|
Допуск номинальной емкости,% |
10 |
|
Тангенс угла потерь,% |
6 |
|
Ток утечки макс.,мкА |
2.5 |
|
Рабочий ток,А |
1 |
|
Температурный коэффициент емкости |
X7R |
|
Допуск номинала,% |
10 |
|
Ширина корпуса W,мм |
2.5 |
|
Единица измерения |
мкФ |
|
Емкость (значение) |
4.7 |
|
Типоразмер корпуса |
C |
|
Тип диэлектрика |
X7R |
|
Исполнение |
одинарный |
|
Высота корпуса, мм |
1.1 |
|
Диэлектрик |
X7R |
|
Номинальный ток, А |
3 |
|
Длина корпуса, мм |
3.2 |
|
Cопротивление (значение) |
100 |
|
Материал резистивного элемента |
толстопленочные |
|
Номинальная мощность, Вт |
0.063 |
|
Макс.рабочее напряжение, В |
50 |
|
Ширина (диаметр) корпуса W(D),мм |
0.5 |
|
Рабочая температура,оС |
-55.00...105.00 |
|
Активное сопротивление,Ом |
120 |
|
Напряжение пробоя ,В |
40V |
|
Ширина корпуса, мм |
1.6 |
|
Макс.частота сигнала, МГц |
20 |
|
Управление |
Пост. ток |
|
Коммутируемое переменное напряжение ,В |
0-60 |
|
Максимальный ток нагрузки ,А |
1 |
|
Управляющий ток,мА |
5 |
|
Напряжение изоляции,кВ |
4 |
|
Время выключения макс,,мс |
0.5 |
|
Сопротивление в открытом состоянии макс.,Ом |
0.5 |
|
Коммутируемое пост.напряжение ,В |
0-60 |
|
Количество элементов |
1 |
|
Материал контактов |
фосфористая бронза |
|
Покрытие контактов |
олово |
|
Форма контактов |
прямые |
|
Количество рядов |
2(обычной плотности) |
|
Материал изолятора |
полистирол усиленный стекловолокном |
|
Сопротивление изолятора не менее,МОм |
1000 |
|
Сопртивление контактов не более,Ом |
0.1 |
|
Предельный ток,А |
5 |
|
Предельное напряжение не менее,В |
1000 В перем.тока в течение 1 мин. |
|
Шаг контактов,мм |
2.54 |
|
Сопротивление контактов не более,Ом |
0.1 |
|
Количество в упаковке |
5000 |
|
Тактовая частота, МГц |
16 |
|
Серия микроконтроллера |
ATMEGA8 |
|
Обьем памяти, FLASH, кБайт |
8 kB |
|
Обьем памяти, EEPROM, кБайт |
512 B |
|
Ширина |
30,8 ± 0,3 мм |
|
Гистерезис приемника |
70mV |
|
Напряжение стабилизации |
13В |
|
Сопротивление изоляции |
1 ГОм |
|
Диэлектрическая прочность |
500 (50 Гц, 1 мин.) В |
|
Периодическое обратное напряжение |
30В |
|
Емкость перехода |
10пФ |
|
Обратное напряжение |
40В |
|
Обратный ток утечки |
2mA |
|
Импульсный прямой ток |
0.6A |
|
Прямое напряжение max |
0.24В |
|
Количество защищаемых линий |
1 |
|
Вес |
0,03 |
|
Максимальное входное напряжение |
16V |
|
Толщина |
0.90 мм |
|
Тип разъёма |
М - вилка |
|
Способ крепления |
3rd |
|
Потребляемый ток |
3 мА (max) |
|
Сопротивление изоляции, не менее |
1000 (при Uисп.dc=500 В) МОм |
|
Количество |
вх./ вых. - 23 I/O; таймеров - 3 |
|
Память |
программная (Flash) - 8 кБ; ОЗУ (SRAM) - 512 Б |
|
Время |
доступа - 550 нс; сохранения данных - не менее 100 лет |
|
Коэффициент |
передачи по току(CTR) 80-600 % |
|
Шаг разъёма |
2,77 мм |
|
Контактное сопротивление, не более |
20 мОм |
|
Отклонение |
±5% |
|
Входной ток |
0.25 пА |
|
Описание |
BAV70%20SOT-23.pdf
|
|
Максимально допустимое напряжение |
затвор-исток (Vgs) ± 8 В |
|
Заряд |
затвора (Qg) - 15 нКл |
|
R (сопротивление) |
9 мОм |
|
I ном. (номинальный ток) |
2 А |
|
Тип установки |
Power Line |
|
Импеданс @ Частота |
33 Ом @ 100 МГц |
|
Значения |
- |
|
I cc.макс. (ток потребления) |
50 мА |
|
Vrrm (максимальное обратное напряжение) |
100 В |
|
If (прямой ток) |
0,2 А |
|
Vf (прямое падение напряжения) |
1 В |
|
trr (время обратного восстановления) |
4 нс |
|
U раб. (рабочее напряжение) |
50 В |
|
C ном. (ёмкость номинальная) |
0.1 мкФ |
|
U ном. (номинальное напряжение) |
10 В |
|
Диапазон рабочих температур, °C |
-40…+85 |
|
Максимальная мощность (Вт) |
1 |
|
MSL(Уровень чувствительности к влажности) |
3 |
|
Емкость - пФ |
1,5 |
|
Вес брутто |
0.03 |
|
Транспортная упаковка: размер/кол-во |
45*38.5*31/30000 |
|
Схема включения диодов |
2 диода, общий катод |
|
Максимальное обратное напряжение (Vrrm), В |
70 |
|
Максимальный прямой ток, А |
0,2 |
|
Прямое падение напряжения (Vf), В |
1,25 |
|
Время обратного восстановления (trr), нс |
6 |
|
Ударный прямой ток, А |
2 |
|
Ток утечки, мкА |
2,5 |
|
Напряжение несрабатывания, В |
36 |
|
Минимальное напряжение срабатывания, В |
40 |
|
Максимальное напряжение срабатывания, В |
44,2 |
|
Максимальное напряжение ограничения, В |
58,1 |
|
Максимальный импульсный ток (Ipp), А |
10,4 |
|
Пиковая мощность рассеивания, Вт |
600 |
|
Уровень защиты по ESD (IEC61000-4-2) |
±25 кВ возд. /± 25 кВ касание |
|
Напряжение стабилизации, В |
13 |
|
Тип проводимости |
P |
|
Максимальное напряжение сток-исток, В |
-12 |
|
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А |
-4,3 |
|
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм |
50 |
|
Заряд затвора, нКл |
15 |
|
Кратность (продажи) |
100 |
|
Упаковка (стандартная) |
Коробка |
|
Соответствие ROHS |
да |
|
Тип упаковки (новый) (стандартная) |
Катушка |
|
Объем RAM |
128K x 8 |
|
Прямой ток (If), мА |
50 |
|
Data code |
88 |
|
Нормоупаковка |
3000 шт |
|
Коэффициент передачи по току min (CTR), % |
80 |
|
Коэффициент передачи по току max (CTR), % |
600 |
|
Тип устройства: |
Transceiver |
|
Описание Eng |
Switching Diode Array х2 80V 0.1A |
|
Макс. рассеиваемая мощность |
1.0Вт |
|
Мощность Макс. |
1.3Вт |
|
Максимальное обратное напряжение (Vr) |
100В |
|
Средний прямой ток (Io) |
0.2А |
|
Число приемников/передатчиков |
1/1 |
|
Быстродействие |
400kHz, 1MHz |
|
Напряжение фиксации, В |
58.1V |
|
Пиковый ток перегрузки, А |
10.3A |
|
Напряжение смещения |
2mV @ 5V |
|
Тип стабилизатора |
Positive Fixed |
|
Число усилителей |
2 |
|
Напряжение сток-исток макс. |
12В |
|
Ток стока макс. |
4.3A |
|
Сопротивление открытого канала |
50 мОм |
|
Прямое напряжение (макс.) |
500мВ при 5А |
|
Динамическое сопротивление |
10Ом |
|
Время задержки |
28ns |
|
Максимальное прямое напряжение (Vf) при токе If |
875мВ при 1A |
|
Память программ |
8KB (4K x 16) |
|
Объем EEPROM |
512 x 8 |
|
Объем и организация памяти |
64K (8K x 8) |
|
Средний прямой ток, А |
0.2 |
|
Обратный ток утечки, мкА |
2,5 |
|
Напряжение коммутации |
60 В |
|
Ток коммутации |
1 А |
|
Питание (Однополярное/Двуполярное) |
Single Supply |