|
Тип |
Линейный регулятор напряжения серии SPX5205 |
|
Номинал |
TVS 1500Вт 15В CA DO214AB |
|
Мощность |
0.063 Вт |
|
Тип упаковки |
Tape and Reel (лента в катушке) |
|
Примечание |
чип 0402 0 |
|
Полярность |
двунаправленный |
|
Рабочая температура |
-40…+85 °С |
|
Тип корпуса |
SOT-323-3 |
|
Напряжение |
пороговое затвора (Vgs th) - 4 В |
|
Входное напряжение |
2,5...16 (max) В |
|
Выходное напряжение |
5В |
|
Выходной ток |
150 мА |
|
Корпус |
0402 |
|
Серия |
SMCJ |
|
Интерфейс |
RS422, RS485 |
|
Падение напряжения |
при макс. нагрузки - не более 275мВ |
|
Напряжение питания |
3…3,6 (max) В |
|
Частота |
1 МГц |
|
Диапазон рабочих температур |
-55°C...+155°C |
|
Мощность (Вт) |
1500 |
|
Способ монтажа |
поверхностный (SMT) |
|
Тип диода |
сверхбыстрый диод |
|
Скорость нарастания |
5V/µS |
|
Тип выхода |
CMOS, Rail-to-Rail, TTL |
|
Тип усилителя |
С J-FET-транзисторами |
|
Тактовая частота |
16MHz |
|
Типоразмер |
0402 |
|
Технология |
Si |
|
Тип транзистора |
P-канал |
|
Средний прямой ток |
0.5 А |
|
Максимальный ток |
Id - максимальный продолжительный, непрерывный ток стока - 4,3 A |
|
Тип монтажа |
Поверхностный |
|
Количество входов-выходов |
23 вх./вых. |
|
Точность, % |
регулирования линии - 0,03 %/В; нагрузки - 0.1% |
|
Допуск |
Jmp. |
|
Сопротивление |
0 Ом |
|
Тип памяти |
EEPROM |
|
Упаковка |
Tape and Reel (лента в катушке) |
|
Чувствительность |
к влажности |
|
Скорость передачи данных |
250 кбит/ c |
|
Полоса пропускания |
55 МГц |
|
Дуплекс |
Half |
|
Протокол |
RS422, RS485 |
|
Объем памяти RAM |
1 kB |
|
Диапазон частот |
входных частот - 135 МГц - 4350 МГц |
|
Ток покоя |
710
µA |
|
Объём |
памяти: 64 kбит(8k x 8) |
|
Конфигурация |
Двунаправленный |
|
Ток |
потребления: 6 мА |
|
Разрядность |
8 |
|
Напряжение питания, В |
4,5…5,5 (max) В |
|
Температура |
-40…+85°C |
|
Число компараторов |
1 |
|
Тип компаратора |
General Purpose |
|
Разрешение |
АЦП - 10 бит |
|
Внутреннее АЦП |
10 Бит |
|
Таймер |
3 |
|
Ядро |
AVR |
|
Частота, МГц |
16 |
|
Емкость ПЗУ, слов |
8 kB |
|
Емкость ОЗУ, Байт |
1 kB |
|
Порты в/в |
23 вх./вых. |
|
Рабочая температура, С |
-55...150 |
|
Структура |
P-канал |
|
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт |
1500W (1.5kW) |
|
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В |
12 |
|
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс.,Вт |
1.3 |
|
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А |
4.3 |
|
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм |
50 |
|
Температура, С |
-55...+150 |
|
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В |
-0.95 |
|
Крутизна характеристики S,А/В |
8.6 |
|
при Iпр.,А |
1 |
|
Кол-во диодов |
1 |
|
Максимальное постоянное обратное напряжение,В |
40 |
|
Максимальный прямой (выпрямленный за полупериод) ток,А |
5.5 |
|
Максимальное время обратного восстановления,мкс |
0.035 |
|
Максимально допустимый прямой импульсный ток,А |
30 |
|
Максимальный обратный ток,мкА 25гр |
5 |
|
Максимальное прямое напряжение,В при 25гр. |
0.875 |
|
Номинальное напряжение открывания,В |
15 |
|
Минимальное напряжение открывания,В |
40 |
|
Максимальное напряжение открывания,В |
44.2 |
|
при тестовом токе,мА |
1 |
|
Напряжение закрывания обратно,В |
36 |
|
Максимальный ток утечки при напряжении закрывания I ут.,мкА |
5 |
|
Максимально допустимый импульсный ток,А |
61.485 |
|
Максимальное напряжение защелки Uзащ,В |
58.1 |
|
Рабочее напряжение, В |
15V |
|
Длина корпуса L,мм |
1 |
|
Единица измерения |
кОм |
|
Cопротивление (значение) |
100 |
|
Материал резистивного элемента |
толстопленочные |
|
Номинальная мощность, Вт |
0.063 |
|
Макс.рабочее напряжение, В |
50 |
|
Ширина (диаметр) корпуса W(D),мм |
0.5 |
|
Напряжение пробоя ,В |
16.7V |
|
Количество элементов |
1 |
|
Количество в упаковке |
3000 |
|
Тактовая частота, МГц |
16 |
|
Серия микроконтроллера |
ATMEGA8 |
|
Обьем памяти, FLASH, кБайт |
8 kB |
|
Обьем памяти, EEPROM, кБайт |
512 B |
|
Гистерезис приемника |
70mV |
|
Напряжение стабилизации |
2.7В |
|
Обратное напряжение |
40 В |
|
Обратный ток утечки |
130мкА при 30В |
|
Количество защищаемых линий |
1 |
|
Вес |
0,13 |
|
Максимальное входное напряжение |
16V |
|
Потребляемый ток |
3 мА (max) |
|
Количество |
регуляторов: 1 |
|
Память |
программная (Flash) - 8 кБ; ОЗУ (SRAM) - 512 Б |
|
Время |
задержки распространения: 7 нс |
|
Отклонение |
±5% |
|
Входной ток |
0.25 пА |
|
Описание |
ONSMS21720-1.pdf
|
|
Максимально допустимое напряжение |
затвор-исток (Vgs) ± 8 В |
|
Заряд |
затвора (Qg) - 15 нКл |
|
I cc.макс. (ток потребления) |
50 мА |
|
Vrrm (максимальное обратное напряжение) |
80 В |
|
If (прямой ток) |
0,20 А |
|
Vf (прямое падение напряжения) |
1,25 В |
|
trr (время обратного восстановления) |
4 нс |
|
Диапазон рабочих температур, °C |
-40…+85 |
|
MSL(Уровень чувствительности к влажности) |
3 |
|
Емкость - пФ |
2 |
|
Вес брутто |
0.13 |
|
Транспортная упаковка: размер/кол-во |
60*50*50/150 |
|
Схема включения диодов |
2 диода, последовательно |
|
Максимальное обратное напряжение (Vrrm), В |
75 |
|
Максимальный прямой ток, А |
0,15 |
|
Прямое падение напряжения (Vf), В |
1,25 |
|
Время обратного восстановления (trr), нс |
4 |
|
Ударный прямой ток, А |
2 |
|
Ток утечки, мкА |
2,5 |
|
Напряжение несрабатывания, В |
5 |
|
Минимальное напряжение срабатывания, В |
5,8 |
|
Максимальное напряжение срабатывания, В |
18,5 |
|
Максимальное напряжение ограничения, В |
10 |
|
Максимальный импульсный ток (Ipp), А |
8 |
|
Пиковая мощность рассеивания, Вт |
80 |
|
Уровень защиты по ESD (IEC61000-4-2) |
±25 кВ возд. /± 25 кВ касание |
|
Тип проводимости |
P |
|
Максимальное напряжение сток-исток, В |
-12 |
|
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А |
-4,3 |
|
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм |
50 |
|
Заряд затвора, нКл |
15 |
|
Упаковка (стандартная) |
Катушка |
|
Объем RAM |
128K x 8 |
|
Data code |
398 |
|
Нормоупаковка |
10000 шт |
|
Тип устройства: |
Transceiver |
|
Описание Eng |
Res Thick Film 0402 0 Ohm Pad SMD Automotive T/R |
|
Макс. рассеиваемая мощность |
250мВт |
|
Мощность Макс. |
1.3Вт |
|
Максимальное обратное напряжение (Vr) |
200В |
|
Средний прямой ток (Io) |
1А |
|
Число приемников/передатчиков |
1/1 |
|
Быстродействие |
Не более 500нс при токе более 200мА |
|
Напряжение фиксации, В |
24.4V |
|
Пиковый ток перегрузки, А |
61.5A |
|
Напряжение смещения |
2mV @ 5V |
|
Тип стабилизатора |
Positive Fixed |
|
Число усилителей |
2 |
|
Напряжение сток-исток макс. |
12В |
|
Ток стока макс. |
4.3A |
|
Сопротивление открытого канала |
50 мОм |
|
Прямое напряжение (макс.) |
0.55 В |
|
Динамическое сопротивление |
100Ом |
|
Время задержки |
28ns |
|
Максимальное прямое напряжение (Vf) при токе If |
875мВ при 1A |
|
Память программ |
8KB (4K x 16) |
|
Объем EEPROM |
512 x 8 |
|
Объем и организация памяти |
64K (8K x 8) |