|
Тип |
Микроконтроллер 8 бит серии ATmega8 |
|
Номинал |
SMD 2512 22Ом 5% |
|
Мощность |
0.75 Вт |
|
Тип упаковки |
Tape and Reel (лента в катушке) |
|
Приемка |
ОТК |
|
Примечание |
чип 1206 4.70К 5% (0603х4) Convex |
|
Полярность |
однонаправленный |
|
Рабочая температура |
-40...85°C |
|
Тип корпуса |
RES0603 |
|
Напряжение |
вход/ выход - 1,8/ 3,3 В |
|
Внешние размеры |
19.5 x 6 x 9.5мм |
|
Входное напряжение |
4.5...5.5В |
|
Выходное напряжение |
5В DC |
|
Выходной ток |
200мА |
|
Защита |
От КЗ |
|
Корпус |
SOP8 |
|
КПД |
80% |
|
Монтаж |
THT |
|
Напряжение изоляции |
3000В DC |
|
Серия |
RC1206 |
|
Тип преобразователя |
DC/DC |
|
Интерфейс |
I2C, SPI, UART/USART |
|
Напряжение питания |
4.5…5.5 |
|
Частота |
1 МГц |
|
Диапазон рабочих температур |
от –55 °C до +155 °C |
|
Мощность (Вт) |
1 |
|
Особенности |
Влагостойкий |
|
Способ монтажа |
SMD |
|
Тип диода |
быстровосстанавливающийся диод |
|
Тактовая частота |
16MHz |
|
Температурный коэффициент |
±100ppm/°C |
|
Типоразмер |
2512 |
|
Контакты |
2 |
|
Максимальная рабочая температура |
155°C |
|
Средний прямой ток |
5А |
|
Размер |
2x1.25 мм |
|
Тип монтажа |
Выводной |
|
Количество входов-выходов |
23 вх./вых. |
|
Точность, % |
5 |
|
Высота |
0.75 мм |
|
Допуск |
±5% |
|
Сопротивление |
4.7 кОм |
|
Тип памяти |
EEPROM |
|
Упаковка |
Tube (туба) |
|
Чувствительность |
к влажности |
|
Полоса пропускания |
55 МГц |
|
Объем памяти RAM |
1 kB |
|
Объём |
памяти: 64 kбит(8k x 8) |
|
Конфигурация |
Однонаправленный |
|
Длина |
3.2 мм |
|
Разрядность |
8 |
|
Напряжение питания, В |
4,5…5,5 (max) В |
|
Температура |
-40...85 |
|
Разрешение |
АЦП - 10 бит |
|
Внутреннее АЦП |
10 Бит |
|
Таймер |
3 |
|
Ядро |
AVR |
|
Частота, МГц |
16 |
|
Емкость ПЗУ, слов |
8 kB |
|
Емкость ОЗУ, Байт |
1 kB |
|
Порты в/в |
23 вх./вых. |
|
Рабочая температура, С |
-55...155 |
|
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт |
600W |
|
при Iпр.,А |
1 |
|
Кол-во диодов |
1 |
|
Максимальное постоянное обратное напряжение,В |
200 |
|
Максимальный прямой (выпрямленный за полупериод) ток,А |
1 |
|
Максимальное время обратного восстановления,мкс |
0.025 |
|
Максимальное импульсное обратное напряжение,В |
85 |
|
Максимально допустимый прямой импульсный ток,А |
40 |
|
Максимальный обратный ток,мкА 25гр |
2 |
|
Максимальное прямое напряжение,В при 25гр. |
0.875 |
|
Общая емкость Сд,пФ |
1.5 |
|
Схема коммутации |
общий катод |
|
Максимальное прямое напряжение,В |
1,25 |
|
Номинальное напряжение открывания,В |
36 |
|
Минимальное напряжение открывания,В |
40 |
|
Максимальное напряжение открывания,В |
44.2 |
|
при тестовом токе,мА |
1 |
|
Напряжение закрывания обратно,В |
36 |
|
Максимальный ток утечки при напряжении закрывания I ут.,мкА |
5 |
|
Максимально допустимый импульсный ток,А |
10.7 |
|
Максимальное напряжение защелки Uзащ,В |
58.1 |
|
Рабочее напряжение, В |
36V |
|
Максимальное обратное напряжение,В |
70 |
|
Длина корпуса L,мм |
6.4 |
|
Единица измерения |
кОм |
|
Cопротивление (значение) |
22 |
|
Материал резистивного элемента |
толстопленочные |
|
Номинальная мощность, Вт |
1 |
|
Макс.рабочее напряжение, В |
50 |
|
Ширина (диаметр) корпуса W(D),мм |
3.2 |
|
Номинальное сопротивление |
4.7 |
|
Номин.мощность |
0.063 |
|
Количество резисторов |
4 |
|
Напряжение пробоя ,В |
40V |
|
Количество в упаковке |
5000 |
|
Тактовая частота, МГц |
16 |
|
Серия микроконтроллера |
ATMEGA8 |
|
Обьем памяти, FLASH, кБайт |
8 kB |
|
Обьем памяти, EEPROM, кБайт |
512 B |
|
Ширина |
1.6 мм |
|
Периодическое обратное напряжение |
30В |
|
Емкость перехода |
10пФ |
|
Обратное напряжение |
40В |
|
Обратный ток утечки |
2mA |
|
Импульсный прямой ток |
0.6A |
|
Прямое напряжение max |
0.24В |
|
Максимальное рабочее напряжение |
50 В |
|
Количество защищаемых линий |
1 |
|
Вес |
0,54 |
|
Количество выводов |
2 |
|
Минимальная рабочая температура |
-55°C |
|
Потребляемый ток |
3 мА (max) |
|
Количество |
вх./ вых. - 23 I/O; таймеров - 3 |
|
Память |
программная (Flash) - 8 кБ; ОЗУ (SRAM) - 512 Б |
|
Время |
доступа - 550 нс; сохранения данных - не менее 100 лет |
|
Описание |
KAQW212.pdf
|
|
Обороты |
12 |
|
P ном. (мощность номинальная) |
0.1 Вт |
|
ТКС (температурный коэффициент сопротивления) |
±100 ppm/°C |
|
Vrrm (максимальное обратное напряжение) |
100 В |
|
If (прямой ток) |
0,2 А |
|
Vf (прямое падение напряжения) |
1 В |
|
trr (время обратного восстановления) |
4 нс |
|
Отклонение (допустимое) |
K (±10%) |
|
ТКС |
±200 ppm |
|
R ном. (Номинальное сопротивление) |
500 Ом |
|
P рас. (Мощность рассеяния) |
0.25 Вт |
|
Материал (Рабочей поверхности) |
металлокерамика |
|
Диапазон рабочих температур, °C |
-40…+85 |
|
MSL(Уровень чувствительности к влажности) |
3 |
|
Емкость - пФ |
30 |
|
Вес брутто |
0.19 |
|
Транспортная упаковка: размер/кол-во |
60*50*50/1250 |
|
Схема включения диодов |
Одиночный |
|
Максимальное обратное напряжение (Vrrm), В |
40 |
|
Максимальный прямой ток, А |
0,5 |
|
Прямое падение напряжения (Vf), В |
0,51 |
|
Время обратного восстановления (trr), нс |
35 |
|
Ударный прямой ток, А |
30 |
|
Ток утечки, мкА |
1 |
|
Напряжение несрабатывания, В |
36 |
|
Минимальное напряжение срабатывания, В |
40 |
|
Максимальное напряжение срабатывания, В |
44,2 |
|
Максимальное напряжение ограничения, В |
58,1 |
|
Максимальный импульсный ток (Ipp), А |
10,4 |
|
Пиковая мощность рассеивания, Вт |
600 |
|
Уровень защиты по ESD (IEC61000-4-2) |
±25 кВ возд. /± 25 кВ касание |
|
Кратность (продажи) |
100 |
|
Упаковка (стандартная) |
Катушка |
|
Объем RAM |
128K x 8 |
|
Data code |
24 |
|
Нормоупаковка |
5000 шт |
|
Описание Eng |
Res Thick Film Array 4.7K Ohm 5% ±200ppm/C ISOL Epoxy 8-Pin 1206(4 X 0603) Convex SMD T/R |
|
Напряжение входа, В |
4.5…5.5 В |
|
Напряжение выхода 1,В |
5 |
|
Ток выхода, A |
0.2 |
|
Максимальное обратное напряжение (Vr) |
100В |
|
Средний прямой ток (Io) |
0.2А |
|
Быстродействие |
400kHz, 1MHz |
|
Напряжение фиксации, В |
58.1V |
|
Пиковый ток перегрузки, А |
10.3A |
|
Прямое напряжение (макс.) |
500мВ при 5А |
|
Максимальное прямое напряжение (Vf) при токе If |
875мВ при 1A |
|
Память программ |
8KB (4K x 16) |
|
Объем EEPROM |
512 x 8 |
|
Объем и организация памяти |
64K (8K x 8) |
|
Средний прямой ток, А |
0.2 |
|
Обратный ток утечки, мкА |
2,5 |