IRFR1018ETRPBF, транзистор N канал 60В 79А DPak

Максимальная рабочая температура+175 °CМаксимальный непрерывный ток стока79 AТип корпусаDPAK (TO-252)Максимальное рассеяние мощности110 ВтТип монтажаПоверхностный монтажШирина6.22ммВысота2.39ммРазмеры6.73 x 6.22 x 2.39ммМатериал транзистораКремнийКоличество элементов на ИС1Длина6.73ммTransistor ConfigurationОдинарныйТипичное время задержки включения13 nsПроизводительInfineonТипичное время задержки выключения55 нсСерияHEXFETМинимальная рабочая температура-55 °CMaximum Gate Threshold Voltage4VMinimum Gate Threshold Voltage2VМаксимальное сопротивление сток-исток8,4 мΩМаксимальное напряжение сток-исток60 ВЧисло контактов3КатегорияМощный МОП-транзисторТипичный заряд затвора при Vgs46 нКл при 10 ВНомер каналаПоднятиеТипичная входная емкость при Vds2290 пФ при 50 ВТип каналаNМаксимальное напряжение затвор-исток-20 В, +20 ВВес, г0.4

Тип упаковки	Tape and Reel (лента в катушке)
Корпус	DPAK/TO-252AA
Тип транзистора	N-канал
Структура	N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	60
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс.,Вт	110
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А	56
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм	8.4
Температура, С	-55...+175
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В	4
Крутизна характеристики S,А/В	110
Нормоупаковка	2000 шт
Описание Eng	MOSFET N-CH Si 60V 79A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Мощность Макс.	110Вт
Напряжение сток-исток макс.	60В
Ток стока макс.	56A(Tc)
Сопротивление открытого канала	8.4 мОм @ 47А, 10В

Тип канала	N канал
Напряжение источника стока Vds	60 В
Идентификатор тока непрерывного стока	79A
Сопротивление источника стока в включенном состоянии	0,0071 Ом
Тип корпуса транзистора	TO-252AA
Монтаж транзистора	Поверхностное крепление
Испытательное напряжение Rds (включено)	10 В
Максимальное пороговое напряжение источника затвора	2 В
Рассеиваемая мощность	110 Вт
Количество контактов	3 контакта
Максимальная рабочая температура	175°C
Ассортимент продукции	Серия HEXFET
SVHC	Нет SVHC (14 июня 2023 г.)