FQP50N06 JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 60 В, 50 А, 22 мОм, TO-220

FQP50N06 является N-канальным, силовым МОП-транзистором QFET® 60В с режимом обогащения и использованием запатентованной и технологии DMOS от компании Fairchild Semiconductor. Эта усовершенствованная технология была специально разработана для минимизации сопротивления в активном состоянии и обеспечения превосходных коммутационных характеристик и стойкости к высоким импульсам энергии в лавинном и коммутационном режимах. Это устройство хорошо подходит для высокоэффективных импульсных источников питания, активной коррекции коэффициента мощности и электронного балласта на базе полумостовой топологии. Это устройство хорошо подходит для низковольтных устройств вроде DC-DC преобразователей, высокоэффективного коммутационного оборудования для портативных и устройств с питанием от батареи. Этот продукт является универсальным и подходит для различных применений.

Тип	MOSFET
Тип упаковки	Tube (туба)
Корпус	TO-220
Диапазон рабочих температур	-55…+150 °С
Способ монтажа	Through Hole
Тип транзистора	N-канал
Упаковка	TUBE, 50 шт.
Емкость - пФ	1540
Вес брутто	2.96
Транспортная упаковка: размер/кол-во	59*33*17/6000
Тип проводимости	N
Максимальное напряжение сток-исток, В	60
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А	50
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм	22
Заряд затвора, нКл	31
Нормоупаковка	50 шт
Описание Eng	Field-effect transistor, N-channel, 60V 50A 120W
Мощность Макс.	120Вт
Напряжение сток-исток макс.	60В
Ток стока макс.	50A
Сопротивление открытого канала	22 мОм