Каталог товаров

Обратная связь
Получить информацию о наличии товара вы можете у наших менеджеров, позвонив по телефону
(812) 565-06-52
Также вы можете написать нам
Ответы на вопросы

IGBT транзисторы

IGBT-транзисторы – биполярные устройства с изолированным затвором, используемые в качестве электронного ключа в системах руководства приводами различных машин и механизмов, импульсных источниках электропитания, инверторных аппаратах.

1-38 из 38 товаров
Сортировка:
Название Цена Дешевле Дороже Наличие: Больше Меньше Больше
Биполярный транзистор PBSS4540X,135 Nexperia
Биполярный транзистор PBSS4540X,135 Nexperia
  • Производитель: Nexperia, Netherlands
  • Артикул: B020374
  • Краткое наименование: PBSS4540X,135
В наличии
3990 шт
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 74 — 80,65 ₽/шт
от 75 — 74,89 ₽/шт
от 802 — 69,13 ₽/шт
в избранное
IKW50N60H3FKSA1, IGBT транзистор Infineon Technologies, 600 В, 100 А, 333 Вт, корпус TO-247-3
IKW50N60H3FKSA1, IGBT транзистор Infineon Technologies, 600 В, 100 А, 333 Вт, корпус TO-247-3
255 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 288 — 208,02 ₽/шт
от 289 — 199,13 ₽/шт
от 603 — 195,56 ₽/шт
в избранное
IKW50N60DTPXKSA1, Высокоскоростной IGBT транзистор Infineon Technologies, 600В, 80А, 319.2Вт корпус TO-247-3
IKW50N60DTPXKSA1, Высокоскоростной IGBT транзистор Infineon Technologies, 600В, 80А, 319.2Вт корпус TO-247-3
210 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 243 — 246,60 ₽/шт
от 244 — 236,06 ₽/шт
от 509 — 231,85 ₽/шт
в избранное
IKW40N120T2FKSA1, IGBT транзистор Infineon Technologies, 1200 В, 75 А, 480 Вт, корпус TO-247-3
IKW40N120T2FKSA1, IGBT транзистор Infineon Technologies, 1200 В, 75 А, 480 Вт, корпус TO-247-3
180 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 189 — 317,03 ₽/шт
от 190 — 303,48 ₽/шт
от 396 — 298,06 ₽/шт
в избранное
IKW40N120H3FKSA1, IGBT транзистор Infineon Technologies, 1200 В, 80 А, 483 Вт, корпус TO-247-3
IKW40N120H3FKSA1, IGBT транзистор Infineon Technologies, 1200 В, 80 А, 483 Вт, корпус TO-247-3
125 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 246 — 243,10 ₽/шт
от 247 — 232,70 ₽/шт
от 516 — 228,55 ₽/шт
в избранное
IKW30N65H5XKSA1, IGBT транзистор Infineon Technologies, 55А,1.65В,188Вт, 650В, TO-247-3
IKW30N65H5XKSA1, IGBT транзистор Infineon Technologies, 55А,1.65В,188Вт, 650В, TO-247-3
165 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 288 — 207,65 ₽/шт
от 289 — 198,78 ₽/шт
от 604 — 195,23 ₽/шт
в избранное
IKW30N60DTPXKSA1, IGBT транзистор Infineon Technologies , 600В, 30А, 200Вт, корпус TO-247-3
IKW30N60DTPXKSA1, IGBT транзистор Infineon Technologies , 600В, 30А, 200Вт, корпус TO-247-3
266 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 203 — 294,48 ₽/шт
от 204 — 281,89 ₽/шт
от 426 — 276,86 ₽/шт
в избранное
IGW30N60H3FKSA1, IGBT транзистор Infineon Technologies, 600В, 60А, 187Вт, корпус TO-247-3
IGW30N60H3FKSA1, IGBT транзистор Infineon Technologies, 600В, 60А, 187Вт, корпус TO-247-3
122 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 140 — 428,29 ₽/шт
от 141 — 409,99 ₽/шт
от 293 — 402,67 ₽/шт
в избранное
FF300R12KS4HOSA1, IGBT модуль Infineon Technologies, 1200 В, 370 А, 1950 Вт, корпус Screw Mount Module 62 mm
FF300R12KS4HOSA1, IGBT модуль Infineon Technologies, 1200 В, 370 А, 1950 Вт, корпус Screw Mount Module 62 mm
8 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 4 — 14 023,10 ₽/шт
от 5 — 13 423,82 ₽/шт
от 9 — 13 184,11 ₽/шт
в избранное
FF200R12KT4HOSA1, IGBT модуль Infineon Technologies, 1200 В, 320 А, 1100 Вт, корпус Screw Mount Module 62 mm
FF200R12KT4HOSA1, IGBT модуль Infineon Technologies, 1200 В, 320 А, 1100 Вт, корпус Screw Mount Module 62 mm
Под заказ
1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 10 — 5 608,28 ₽/шт
от 11 — 5 368,61 ₽/шт
от 23 — 5 272,74 ₽/шт
в избранное
IRG4BC30KDPBF, IGBT транзистор 600В 28А 8-25кГц TO220AB
IRG4BC30KDPBF, IGBT транзистор 600В 28А 8-25кГц TO220AB
300 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 25 — 232,44 ₽/шт
от 26 — 223,84 ₽/шт
от 269 — 206,62 ₽/шт
в избранное
DGC75F65M, Транзистор IGBT 650В 75А 625Вт [TO-247-3L) = RSG75N65HW
DGC75F65M, Транзистор IGBT 650В 75А 625Вт [TO-247-3L) = RSG75N65HW
370 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 28 — 210,17 ₽/шт
от 29 — 202,38 ₽/шт
от 297 — 186,82 ₽/шт
в избранное
DGG20F65M, IGBT транзистор, 650В, 20А, 28Вт [TO-220] = IKW50N60H3
DGG20F65M, IGBT транзистор, 650В, 20А, 28Вт [TO-220] = IKW50N60H3
960 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 119 — 50,22 ₽/шт
от 120 — 48,36 ₽/шт
от 1241 — 44,64 ₽/шт
в избранное
FGH40N60SFDTU, IGBT транзистор 650В 50А TO-247
FGH40N60SFDTU, IGBT транзистор 650В 50А TO-247
3 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 13 — 429,98 ₽/шт
от 14 — 414,06 ₽/шт
от 145 — 382,21 ₽/шт
в избранное
DG25X12T2, IGBT - Транзистор, 1200V, 50A
DG25X12T2, IGBT - Транзистор, 1200V, 50A
220 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 28 — 210,17 ₽/шт
от 29 — 202,38 ₽/шт
от 297 — 186,82 ₽/шт
в избранное
DGP10N60CTL, IGBT дискрет, 600B, 10A, 110Вт (TO-220)
DGP10N60CTL, IGBT дискрет, 600B, 10A, 110Вт (TO-220)
810 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 86 — 69,30 ₽/шт
от 87 — 66,73 ₽/шт
от 900 — 61,60 ₽/шт
в избранное
FGH60N60SMD, IGBT транзистор 600В 60А TO-247
FGH60N60SMD, IGBT транзистор 600В 60А TO-247
78 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 10 — 564,74 ₽/шт
от 11 — 543,83 ₽/шт
от 111 — 502,00 ₽/шт
в избранное
FGH40N60UFDTU, IGBT транзистор TO247
FGH40N60UFDTU, IGBT транзистор TO247
30 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 14 — 419,21 ₽/шт
от 15 — 403,68 ₽/шт
от 149 — 372,62 ₽/шт
в избранное
STGB10NB37LZT4, IGBT транзистор 10А 440В D2PAK-3
STGB10NB37LZT4, IGBT транзистор 10А 440В D2PAK-3
  • Производитель: ST Microelectronics, Geneva
  • Артикул: W2010077885
  • Краткое наименование: STGB10NB37LZT4
240 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 11 — 528,74 ₽/шт
от 12 — 509,16 ₽/шт
от 118 — 469,99 ₽/шт
в избранное
IRGP4063DPBF, TO247AC
IRGP4063DPBF, TO247AC
430 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 11 — 528,41 ₽/шт
от 12 — 508,84 ₽/шт
от 118 — 469,69 ₽/шт
в избранное
IKP40N65H5XKSA1, IGBT транзистор Infineon Technologies, 650 В, 74 А, 255 Вт, корпус PG-TO220-3
IKP40N65H5XKSA1, IGBT транзистор Infineon Technologies, 650 В, 74 А, 255 Вт, корпус PG-TO220-3
128 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 156 — 383,96 ₽/шт
от 157 — 367,55 ₽/шт
от 327 — 360,98 ₽/шт
в избранное
IKW40N65ES5XKSA1, IGBT транзистор Infineon Technologies, 650В, 40А, 230Вт, корпус TO-247-3
IKW40N65ES5XKSA1, IGBT транзистор Infineon Technologies, 650В, 40А, 230Вт, корпус TO-247-3
590 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 471 — 127,14 ₽/шт
от 472 — 121,72 ₽/шт
от 986 — 119,53 ₽/шт
в избранное
DG120X07T2, Trench FS IGBT 650В 120A с диодом
DG120X07T2, Trench FS IGBT 650В 120A с диодом
24 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 8 — 735,59 ₽/шт
от 9 — 708,35 ₽/шт
от 85 — 653,86 ₽/шт
в избранное
IKW50N65ES5XKSA1, IGBT транзистор Infineon Technologies, 650В, 80А, 274Вт, корпус TO-247-3
IKW50N65ES5XKSA1, IGBT транзистор Infineon Technologies, 650В, 80А, 274Вт, корпус TO-247-3
118 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 177 — 337,99 ₽/шт
от 178 — 323,54 ₽/шт
от 371 — 317,77 ₽/шт
в избранное
IKW25N120H3FKSA1, IGBT транзистор Infineon Technologies, 1200 В, 50 А, 326 Вт, корпус TO-247-3
IKW25N120H3FKSA1, IGBT транзистор Infineon Technologies, 1200 В, 50 А, 326 Вт, корпус TO-247-3
850 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 275 — 218,03 ₽/шт
от 276 — 208,72 ₽/шт
от 575 — 204,98 ₽/шт
в избранное
NCE25TD120VT, IGBT транзистор 1200В 25A TO-247
NCE25TD120VT, IGBT транзистор 1200В 25A TO-247
  • Артикул: W2015870972
  • Краткое наименование: NCE25TD120VT
100 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 18 — 318,98 ₽/шт
от 19 — 307,16 ₽/шт
от 196 — 283,54 ₽/шт
в избранное
IRGP50B60PD1PBF, IGBT транзистор 600В 45А 60-150кГц
IRGP50B60PD1PBF, IGBT транзистор 600В 45А 60-150кГц
1 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 3 — 1 538,98 ₽/шт
от 4 — 1 481,98 ₽/шт
от 41 — 1 367,98 ₽/шт
в избранное
IHFW40N65R5SXKSA1, IGBT транзистор 650В, 40А, 108Вт до 175гр C TO-247
IHFW40N65R5SXKSA1, IGBT транзистор 650В, 40А, 108Вт до 175гр C TO-247
28 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 16 — 365,58 ₽/шт
от 17 — 352,04 ₽/шт
от 171 — 324,96 ₽/шт
в избранное
IRGIB6B60KDPBF, IGBT транзистор транзистор 600В, 11А TO-220FP
IRGIB6B60KDPBF, IGBT транзистор транзистор 600В, 11А TO-220FP
12 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 23 — 259,21 ₽/шт
от 24 — 249,61 ₽/шт
от 241 — 230,41 ₽/шт
в избранное
IKFW40N65ES5XKSA1, IGBT транзистор 650В, 30А, 106Вт до 175гр C TO-247
IKFW40N65ES5XKSA1, IGBT транзистор 650В, 30А, 106Вт до 175гр C TO-247
40 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 12 — 470,12 ₽/шт
от 13 — 452,71 ₽/шт
от 133 — 417,89 ₽/шт
в избранное
FGH60N60SMD, IGBT транзистор ON Semiconductor , 600 В, 120 А, корпус TO-247-3
FGH60N60SMD, IGBT транзистор ON Semiconductor , 600 В, 120 А, корпус TO-247-3
581 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 304 — 196,94 ₽/шт
от 305 — 188,53 ₽/шт
от 637 — 185,16 ₽/шт
в избранное
FGH40N60SMD, IGBT транзистор ON Semiconductor , 600 В, 80 А, корпус TO-247-3
FGH40N60SMD, IGBT транзистор ON Semiconductor , 600 В, 80 А, корпус TO-247-3
775 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 352 — 170,42 ₽/шт
от 353 — 163,14 ₽/шт
от 736 — 160,22 ₽/шт
в избранное
FGH40N60SFDTU, IGBT транзистор ON Semiconductor , 600 В, 80 А, корпус TO-247-3
FGH40N60SFDTU, IGBT транзистор ON Semiconductor , 600 В, 80 А, корпус TO-247-3
465 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 249 — 240,55 ₽/шт
от 250 — 230,27 ₽/шт
от 522 — 226,16 ₽/шт
в избранное
STGW40V60DF, Транзистор IGBT 600В, 80А, 283Вт TO-247
STGW40V60DF, Транзистор IGBT 600В, 80А, 283Вт TO-247
  • Производитель: ST Microelectronics, Geneva
  • Артикул: W2015541215
  • Краткое наименование: STGW40V60DF
10 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 7 — 830,26 ₽/шт
от 8 — 799,50 ₽/шт
от 76 — 738,00 ₽/шт
в избранное
IRG4BC30KDPBF, IGBT транзистор 600В 28А 8-25кГц TO220AB
IRG4BC30KDPBF, IGBT транзистор 600В 28А 8-25кГц TO220AB
300 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 24 — 240,60 ₽/шт
от 25 — 231,68 ₽/шт
от 259 — 213,86 ₽/шт
в избранное
FGP20N60UFD, IGBT транзистор 600В, 20A TO-220
FGP20N60UFD, IGBT транзистор 600В, 20A TO-220
6400 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 39 — 152,80 ₽/шт
от 40 — 147,13 ₽/шт
от 408 — 135,82 ₽/шт
в избранное
IKA10N60TXKSA1, IGBT транзистор Infineon Technologies, 11.7A, 600В, 30Вт, корпус TO-220-3 Full Pack
IKA10N60TXKSA1, IGBT транзистор Infineon Technologies, 11.7A, 600В, 30Вт, корпус TO-220-3 Full Pack
1293 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 612 — 97,90 ₽/шт
от 613 — 93,71 ₽/шт
от 1281 — 92,04 ₽/шт
в избранное
IRG7PH35UPBF, IGBT транзистор 1200В 35А 8-30кГц TO247AC восстановленное лужение выводов
IRG7PH35UPBF, IGBT транзистор 1200В 35А 8-30кГц TO247AC восстановленное лужение выводов
150 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 12 — 479,59 ₽/шт
от 13 — 461,82 ₽/шт
от 130 — 426,30 ₽/шт
в избранное

Принцип работы и основные характеристики

IGBT-транзисторы являются гибридом биполярного и полевого транзисторов, благодаря чему это устройство сочетает положительные характеристики обоих компонентов. Принцип его действия заключается в том, что полевой транзистор управляет биполярным. Такая конструкция обеспечивает возможность переключения мощных нагрузок с помощью маломощных управляющих сигналов.

Основные характеристики IGBT-транзисторов:

  • управляющее напряжение;
  • максимально возможная сила тока;
  • напряжение пробоя и насыщения эмиттер-коллектор;
  • ток отсечки эмиттер-коллектор;
  • емкости на входе и выходе;
  • временные промежутки задержки включения и выключения.

Такие транзисторы чаще всего применяют в высоковольтных сетях напряжением до 6,5 кВ для обеспечения безопасности электрооборудования при КЗ, в инверторах, частотно-управляемых приводах, сварочных аппаратах, высокомощных приводах городского электротранспорта.

Ассортимент

В компании «РадиоЭлемент» вы можете купить силовые IGBT-транзисторы с требуемыми параметрами и выбрать наиболее удобный способ получения товара. В ассортименте представлены транзисторы производства:

  • Infineon Technologies AG, Germany – модели на 600 В и 1200 В, рассчитанные на различные токи и частоты сети;
  • ST Microelectronics, Geneva – STGW40NC69WD;
  • Fuji Electric Systems Co. Ltd., FGW50N60HD (600 В, 50 А).

Смотрите также:

Силовые приборы Резисторы Конденсаторы Микросхемы Диоды Стабилитроны Транзисторы Тиристоры Реле Каталог Разъемы, соединители
X
Заказать обратный звонок Ваше имя: Телефон: Дата: Время звонка: Комментарий:
Ваша заявка отправлена!