Каталог товаров

Обратная связь
Получить информацию о наличии товара вы можете у наших менеджеров, позвонив по телефону
(812) 565-06-52
Также вы можете написать нам
Ответы на вопросы

IGBT транзисторы

IGBT-транзисторы – биполярные устройства с изолированным затвором, используемые в качестве электронного ключа в системах руководства приводами различных машин и механизмов, импульсных источниках электропитания, инверторных аппаратах.

1-45 из 45 товаров
Сортировка:
Название Цена Дешевле Дороже Наличие: Больше Меньше Больше
PBSS4540X,135 Биполярный транзистор PBSS4540X,135 Nexperia Nexperia
  • Производитель: Nexperia, Netherlands
  • Артикул: B020374
  • Краткое наименование: PBSS4540X,135
В наличии
3990 шт
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 78 — 78,08 ₽/шт
от 79 — 72,50 ₽/шт
от 842 — 66,93 ₽/шт
в избранное
IRG4PH40UDPBF, транзистор IGBT, TO247AC
60 шт 08.06.2026
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 5 — 1 021,04 ₽/шт
от 6 — 983,23 ₽/шт
от 63 — 907,59 ₽/шт
в избранное
IKW75N65EH5XKSA1, Биполярный транзистор IGBT, TO247
250 шт 08.06.2026
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 25 — 239,93 ₽/шт
от 26 — 231,03 ₽/шт
от 265 — 213,27 ₽/шт
в избранное
IKQ75N120CH3XKSA1, транзистор, TO-247
190 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 14 — 414,68 ₽/шт
от 15 — 399,32 ₽/шт
от 153 — 368,60 ₽/шт
в избранное
IRG4PH40UPBF, IGBT транзистор 1200В 21А 5-40кГц ТО247AC
40 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 2 — 2 351,25 ₽/шт
от 3 — 2 264,16 ₽/шт
от 27 — 2 089,99 ₽/шт
в избранное
GT50JR22, транзистор IGBT TO-3P(N)
  • Производитель: Toshiba Corporation, Japan
  • Артикул: W2017310193
  • Краткое наименование: GT50JR22
500 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 48 — 126,64 ₽/шт
от 49 — 121,94 ₽/шт
от 501 — 112,56 ₽/шт
в избранное
IHW30N135R5XKSA1, IGBT транзистор,1350В,30А, корпус TO247-3
195 шт 4 дня
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 316 — 192,97 ₽/шт
от 317 — 184,72 ₽/шт
от 661 — 181,43 ₽/шт
в избранное
IKW25N120H3FKSA1, транзистор IGBT PG-TO-247-3
420 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 31 — 193,33 ₽/шт
от 32 — 186,17 ₽/шт
от 328 — 171,85 ₽/шт
в избранное
STGB18N40LZT4, D2Pak (TO-263)
  • Производитель: ST Microelectronics, Geneva
  • Артикул: W2017283425
  • Краткое наименование: STGB18N40LZT4
980 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 82 — 73,77 ₽/шт
от 83 — 71,04 ₽/шт
от 859 — 65,58 ₽/шт
в избранное
IKW50N60H3FKSA1, IGBT транзистор Infineon Technologies, 600 В, 100 А, 333 Вт, корпус TO-247-3
175 шт 4 дня
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 288 — 211,47 ₽/шт
от 289 — 202,43 ₽/шт
от 603 — 198,82 ₽/шт
в избранное
IKW50N60DTPXKSA1, Высокоскоростной IGBT транзистор Infineon Technologies, 600В, 80А, 319.2Вт корпус TO-247-3
195 шт 4 дня
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 243 — 250,71 ₽/шт
от 244 — 240,00 ₽/шт
от 509 — 235,70 ₽/шт
в избранное
IKW40N120T2FKSA1, IGBT транзистор Infineon Technologies, 1200 В, 75 А, 480 Вт, корпус TO-247-3
105 шт 4 дня
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 189 — 322,31 ₽/шт
от 190 — 308,54 ₽/шт
от 396 — 303,02 ₽/шт
в избранное
IKW40N120H3FKSA1, IGBT транзистор Infineon Technologies, 1200 В, 80 А, 483 Вт, корпус TO-247-3
320 шт 4 дня
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 283 — 215,38 ₽/шт
от 284 — 206,17 ₽/шт
от 592 — 202,48 ₽/шт
в избранное
IKW30N65H5XKSA1, IGBT транзистор Infineon Technologies, 55А,1.65В,188Вт, 650В, TO-247-3
165 шт 4 дня
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 288 — 211,11 ₽/шт
от 289 — 202,09 ₽/шт
от 604 — 198,48 ₽/шт
в избранное
IKW30N60DTPXKSA1, IGBT транзистор Infineon Technologies , 600В, 30А, 200Вт, корпус TO-247-3
256 шт 4 дня
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 203 — 299,38 ₽/шт
от 204 — 286,59 ₽/шт
от 426 — 281,47 ₽/шт
в избранное
IGW30N60H3FKSA1, IGBT транзистор Infineon Technologies, 600В, 60А, 187Вт, корпус TO-247-3
110 шт 4 дня
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 140 — 435,43 ₽/шт
от 141 — 416,83 ₽/шт
от 293 — 409,37 ₽/шт
в избранное
FF300R12KS4HOSA1, IGBT модуль Infineon Technologies, 1200 В, 370 А, 1950 Вт, корпус Screw Mount Module 62 mm
Под заказ
4 дня
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 4 — 12 673,24 ₽/шт
от 5 — 12 131,66 ₽/шт
от 11 — 11 915,01 ₽/шт
в избранное
FF200R12KT4HOSA1, IGBT модуль Infineon Technologies, 1200 В, 320 А, 1100 Вт, корпус Screw Mount Module 62 mm
30 шт 4 дня
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 10 — 5 863,21 ₽/шт
от 11 — 5 612,65 ₽/шт
от 22 — 5 512,42 ₽/шт
в избранное
IRG4BC30KDPBF, IGBT транзистор 600В 28А 8-25кГц TO220AB
210 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 28 — 210,82 ₽/шт
от 29 — 203,01 ₽/шт
от 301 — 187,39 ₽/шт
в избранное
DGC75F65M, Транзистор IGBT 650В 75А 625Вт [TO-247-3L) = RSG75N65HW
250 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 25 — 242,73 ₽/шт
от 26 — 233,74 ₽/шт
от 261 — 215,76 ₽/шт
в избранное
DGG20F65M, IGBT транзистор, 650В, 20А, 28Вт [TO-220] = IKW50N60H3
920 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 106 — 57,11 ₽/шт
от 107 — 54,99 ₽/шт
от 1110 — 50,76 ₽/шт
в избранное
FGH40N60SFDTU, IGBT транзистор 650В 50А TO-247
3 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 15 — 405,50 ₽/шт
от 16 — 390,49 ₽/шт
от 157 — 360,45 ₽/шт
в избранное
DG25X12T2, IGBT - Транзистор, 1200V, 50A
49 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 30 — 199,90 ₽/шт
от 31 — 192,49 ₽/шт
от 317 — 177,68 ₽/шт
в избранное
FGH40N60UFDTU, транзистор TO247
93 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 16 — 364,17 ₽/шт
от 17 — 350,69 ₽/шт
от 174 — 323,71 ₽/шт
в избранное
DGP10N60CTL, IGBT дискрет, 600B, 10A, 110Вт (TO-220)
790 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 92 — 65,90 ₽/шт
от 93 — 63,46 ₽/шт
от 962 — 58,58 ₽/шт
в избранное
FGH60N60SMD, IGBT транзистор 600В 60А TO-247
40 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 10 — 564,75 ₽/шт
от 11 — 543,83 ₽/шт
от 113 — 501,99 ₽/шт
в избранное
FGH40N60UFDTU, IGBT транзистор TO247
10 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 16 — 358,88 ₽/шт
от 17 — 345,58 ₽/шт
от 177 — 318,99 ₽/шт
в избранное
STGB10NB37LZT4, IGBT транзистор 10А 440В D2PAK-3
  • Производитель: ST Microelectronics, Geneva
  • Артикул: W2010077885
  • Краткое наименование: STGB10NB37LZT4
240 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 13 — 449,55 ₽/шт
от 14 — 432,90 ₽/шт
от 141 — 399,60 ₽/шт
в избранное
IRGP4063DPBF, транзистор IGBT TO247AC
520 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 12 — 484,65 ₽/шт
от 13 — 466,70 ₽/шт
от 131 — 430,79 ₽/шт
в избранное
IKP40N65H5XKSA1, IGBT транзистор Infineon Technologies, 650 В, 74 А, 255 Вт, корпус PG-TO220-3
128 шт 4 дня
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 156 — 390,35 ₽/шт
от 157 — 373,66 ₽/шт
от 327 — 366,99 ₽/шт
в избранное
IKW40N65ES5XKSA1, IGBT транзистор Infineon Technologies, 650В, 40А, 230Вт, корпус TO-247-3
300 шт 4 дня
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 471 — 129,26 ₽/шт
от 472 — 123,73 ₽/шт
от 986 — 121,52 ₽/шт
в избранное
IKW50N65ES5XKSA1, IGBT транзистор Infineon Technologies, 650В, 80А, 274Вт, корпус TO-247-3
106 шт 4 дня
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 222 — 274,61 ₽/шт
от 223 — 262,87 ₽/шт
от 465 — 258,18 ₽/шт
в избранное
IKW25N120H3FKSA1, IGBT транзистор Infineon Technologies, 1200 В, 50 А, 326 Вт, корпус TO-247-3
655 шт 4 дня
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 275 — 221,67 ₽/шт
от 276 — 212,19 ₽/шт
от 575 — 208,40 ₽/шт
в избранное
NCE25TD120VT, IGBT транзистор 1200В 25A TO-247
  • Артикул: W2015870972
  • Краткое наименование: NCE25TD120VT
100 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 23 — 265,09 ₽/шт
от 24 — 255,29 ₽/шт
от 239 — 235,64 ₽/шт
в избранное
IHFW40N65R5SXKSA1, IGBT транзистор 650В, 40А, 108Вт до 175гр C TO-247
25 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 17 — 348,96 ₽/шт
от 18 — 336,04 ₽/шт
от 182 — 310,19 ₽/шт
в избранное
IRGIB6B60KDPBF, IGBT транзистор транзистор 600В, 11А TO-220FP
12 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 24 — 247,43 ₽/шт
от 25 — 238,27 ₽/шт
от 257 — 219,94 ₽/шт
в избранное
IKFW40N65ES5XKSA1, IGBT транзистор 650В, 30А, 106Вт до 175гр C TO-247
40 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 13 — 448,75 ₽/шт
от 14 — 432,14 ₽/шт
от 142 — 398,89 ₽/шт
в избранное
FGH60N60SMD, IGBT транзистор ON Semiconductor , 600 В, 120 А, корпус TO-247-3
520 шт 4 дня
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 240 — 253,11 ₽/шт
от 241 — 242,30 ₽/шт
от 504 — 237,97 ₽/шт
в избранное
FGH40N60SMD, IGBT транзистор ON Semiconductor , 600 В, 80 А, корпус TO-247-3
Под заказ
4 дня
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 379 — 160,82 ₽/шт
от 380 — 153,94 ₽/шт
от 793 — 151,19 ₽/шт
в избранное
FGH40N60SFDTU, IGBT транзистор ON Semiconductor , 600 В, 80 А, корпус TO-247-3
220 шт 4 дня
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 249 — 244,56 ₽/шт
от 250 — 234,12 ₽/шт
от 522 — 229,93 ₽/шт
в избранное
STGW40V60DF, Транзистор IGBT 600В, 80А, 283Вт TO-247
  • Производитель: ST Microelectronics, Geneva
  • Артикул: W2015541215
  • Год выпуска: 2016
  • Краткое наименование: STGW40V60DF
10 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 7 — 830,25 ₽/шт
от 8 — 799,50 ₽/шт
от 77 — 738,00 ₽/шт
в избранное
IRG4BC30KDPBF, IGBT транзистор 600В 28А 8-25кГц TO220AB
100 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 27 — 218,21 ₽/шт
от 28 — 210,13 ₽/шт
от 291 — 193,97 ₽/шт
в избранное
FGP20N60UFD, IGBT транзистор 600В, 20A TO-220
6300 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 44 — 138,58 ₽/шт
от 45 — 133,44 ₽/шт
от 458 — 123,18 ₽/шт
в избранное
IKA10N60TXKSA1, IGBT транзистор Infineon Technologies, 11.7A, 600В, 30Вт, корпус TO-220-3 Full Pack
1239 шт 4 дня
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 670 — 90,91 ₽/шт
от 671 — 87,02 ₽/шт
от 1402 — 85,47 ₽/шт
в избранное
IRG7PH35UPBF, IGBT транзистор 1200В 35А 8-30кГц TO247AC восстановленное лужение выводов
150 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 14 — 434,95 ₽/шт
от 15 — 418,85 ₽/шт
от 146 — 386,63 ₽/шт
в избранное

Принцип работы и основные характеристики

IGBT-транзисторы являются гибридом биполярного и полевого транзисторов, благодаря чему это устройство сочетает положительные характеристики обоих компонентов. Принцип его действия заключается в том, что полевой транзистор управляет биполярным. Такая конструкция обеспечивает возможность переключения мощных нагрузок с помощью маломощных управляющих сигналов.

Основные характеристики IGBT-транзисторов:

  • управляющее напряжение;
  • максимально возможная сила тока;
  • напряжение пробоя и насыщения эмиттер-коллектор;
  • ток отсечки эмиттер-коллектор;
  • емкости на входе и выходе;
  • временные промежутки задержки включения и выключения.

Такие транзисторы чаще всего применяют в высоковольтных сетях напряжением до 6,5 кВ для обеспечения безопасности электрооборудования при КЗ, в инверторах, частотно-управляемых приводах, сварочных аппаратах, высокомощных приводах городского электротранспорта.

Ассортимент

В компании «РадиоЭлемент» вы можете купить силовые IGBT-транзисторы с требуемыми параметрами и выбрать наиболее удобный способ получения товара. В ассортименте представлены транзисторы производства:

  • Infineon Technologies AG, Germany – модели на 600 В и 1200 В, рассчитанные на различные токи и частоты сети;
  • ST Microelectronics, Geneva – STGW40NC69WD;
  • Fuji Electric Systems Co. Ltd., FGW50N60HD (600 В, 50 А).

Смотрите также:

Силовые приборы Резисторы Конденсаторы Микросхемы Диоды Стабилитроны Транзисторы Тиристоры Импортные радиодетали Компенсация реактивной мощности
X
Заказать обратный звонок Ваше имя: Телефон: Дата: Время звонка: Комментарий:
Ваша заявка отправлена!