Каталог товаров

Обратная связь
Получить информацию о наличии товара вы можете у наших менеджеров, позвонив по телефону
(812) 565-06-52
Также вы можете написать нам
Ответы на вопросы

IGBT транзисторы

IGBT-транзисторы – биполярные устройства с изолированным затвором, используемые в качестве электронного ключа в системах руководства приводами различных машин и механизмов, импульсных источниках электропитания, инверторных аппаратах.

1-45 из 45 товаров
Сортировка:
Название Цена Дешевле Дороже Наличие: Больше Меньше Больше
PBSS4540X,135 Биполярный транзистор PBSS4540X,135 Nexperia Nexperia
  • Производитель: Nexperia, Netherlands
  • Артикул: B020374
  • Краткое наименование: PBSS4540X,135
В наличии
3990 шт
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 66 — 91,07 ₽/шт
от 67 — 84,57 ₽/шт
от 722 — 78,06 ₽/шт
в избранное
STGW60H65DFB, IGBT транзистор ST Microelectronics, 650В, 80А, корпус TO-247-3
  • Производитель: ST Microelectronics, Geneva
  • Артикул: A029343
  • Краткое наименование: STGW60H65DFB
Под заказ
4 дня
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 238 — 255,83 ₽/шт
от 239 — 244,90 ₽/шт
от 499 — 240,52 ₽/шт
в избранное
IRGP4063DPBF JSMSEMI IGBT транзистор, 650 В, 100 А, 2.6 мДж, TO-247
225 шт 4 дня
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 258 — 235,89 ₽/шт
от 259 — 225,80 ₽/шт
от 541 — 221,77 ₽/шт
в избранное
FGA60N65SMD, Биполярный транзистор IGBT, TO3P
270 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 23 — 265,22 ₽/шт
от 24 — 255,39 ₽/шт
от 239 — 235,75 ₽/шт
в избранное
IRGB10B60KDPBF, IGBT транзистор 600В 12А 10-30кГц TO220AB
4 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 18 — 333,76 ₽/шт
от 19 — 321,40 ₽/шт
от 190 — 296,68 ₽/шт
в избранное
IKW75N65EH5XKSA1, Биполярный транзистор IGBT, TO247
240 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 21 — 288,82 ₽/шт
от 22 — 278,12 ₽/шт
от 220 — 256,72 ₽/шт
в избранное
IRG4PH40UPBF, IGBT транзистор 1200В 21А 5-40кГц ТО247AC
40 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 2 — 2 850,71 ₽/шт
от 3 — 2 745,13 ₽/шт
от 23 — 2 533,96 ₽/шт
в избранное
GT50JR22, транзистор IGBT TO-3P(N)
  • Производитель: Toshiba Corporation, Japan
  • Артикул: W2017310193
  • Краткое наименование: GT50JR22
480 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 39 — 154,27 ₽/шт
от 40 — 148,55 ₽/шт
от 411 — 137,13 ₽/шт
в избранное
IHW30N135R5XKSA1, IGBT транзистор,1350В,30А, корпус TO247-3
60 шт 4 дня
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 282 — 215,56 ₽/шт
от 283 — 206,35 ₽/шт
от 592 — 202,67 ₽/шт
в избранное
IRGP4068DPBF, транзистор TO-247AC
250 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 13 — 465,13 ₽/шт
от 14 — 447,90 ₽/шт
от 137 — 413,45 ₽/шт
в избранное
IKW25N120H3FKSA1, транзистор IGBT PG-TO-247-3
230 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 26 — 233,76 ₽/шт
от 27 — 225,10 ₽/шт
от 271 — 207,79 ₽/шт
в избранное
STGB18N40LZT4, D2Pak (TO-263)
  • Производитель: ST Microelectronics, Geneva
  • Артикул: W2017283425
  • Краткое наименование: STGB18N40LZT4
710 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 67 — 89,90 ₽/шт
от 68 — 86,57 ₽/шт
от 705 — 79,91 ₽/шт
в избранное
IKW50N60H3FKSA1, IGBT транзистор Infineon Technologies, 600 В, 100 А, 333 Вт, корпус TO-247-3
90 шт 4 дня
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 252 — 241,50 ₽/шт
от 253 — 231,18 ₽/шт
от 528 — 227,05 ₽/шт
в избранное
IKW50N60DTPXKSA1, Высокоскоростной IGBT транзистор Infineon Technologies, 600В, 80А, 319.2Вт корпус TO-247-3
180 шт 4 дня
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 214 — 283,74 ₽/шт
от 215 — 271,61 ₽/шт
от 450 — 266,77 ₽/шт
в избранное
IKW40N120T2FKSA1, IGBT транзистор Infineon Technologies, 1200 В, 75 А, 480 Вт, корпус TO-247-3
95 шт 4 дня
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 186 — 326,70 ₽/шт
от 187 — 312,73 ₽/шт
от 391 — 307,15 ₽/шт
в избранное
IKW40N120H3FKSA1, IGBT транзистор Infineon Technologies, 1200 В, 80 А, 483 Вт, корпус TO-247-3
40 шт 4 дня
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 250 — 243,56 ₽/шт
от 251 — 233,15 ₽/шт
от 524 — 228,98 ₽/шт
в избранное
IKW30N65H5XKSA1, IGBT транзистор Infineon Technologies, 55А,1.65В,188Вт, 650В, TO-247-3
85 шт 4 дня
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 255 — 238,91 ₽/шт
от 256 — 228,70 ₽/шт
от 534 — 224,61 ₽/шт
в избранное
IKW30N60DTPXKSA1, IGBT транзистор Infineon Technologies , 600В, 30А, 200Вт, корпус TO-247-3
256 шт 4 дня
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 170 — 358,42 ₽/шт
от 171 — 343,10 ₽/шт
от 356 — 336,98 ₽/шт
в избранное
IGW30N60H3FKSA1, IGBT транзистор Infineon Technologies, 600В, 60А, 187Вт, корпус TO-247-3
98 шт 4 дня
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 140 — 435,43 ₽/шт
от 141 — 416,83 ₽/шт
от 293 — 409,37 ₽/шт
в избранное
FF300R12KS4HOSA1, IGBT модуль Infineon Technologies, 1200 В, 370 А, 1950 Вт, корпус Screw Mount Module 62 mm
1 шт 4 дня
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 4 — 13 382,00 ₽/шт
от 5 — 12 810,11 ₽/шт
от 10 — 12 581,36 ₽/шт
в избранное
IRG4BC30KDPBF, IGBT транзистор 600В 28А 8-25кГц TO220AB
130 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 23 — 254,91 ₽/шт
от 24 — 245,46 ₽/шт
от 249 — 226,58 ₽/шт
в избранное
DGG20F65M, IGBT транзистор, 650В, 20А, 28Вт [TO-220] = IKW50N60H3
870 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 87 — 69,65 ₽/шт
от 88 — 67,06 ₽/шт
от 910 — 61,90 ₽/шт
в избранное
FGH40N60SFDTU, IGBT транзистор 650В 50А TO-247
3 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 13 — 451,31 ₽/шт
от 14 — 434,60 ₽/шт
от 141 — 401,17 ₽/шт
в избранное
FGH40N60UFDTU, транзистор TO247
84 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 13 — 441,53 ₽/шт
от 14 — 425,18 ₽/шт
от 144 — 392,47 ₽/шт
в избранное
DGP10N60CTL, IGBT дискрет, 600B, 10A, 110Вт (TO-220)
770 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 64 — 94,72 ₽/шт
от 65 — 91,21 ₽/шт
от 669 — 84,19 ₽/шт
в избранное
FGH60N60SMD, IGBT транзистор 600В 60А TO-247
40 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 10 — 564,75 ₽/шт
от 11 — 543,83 ₽/шт
от 113 — 501,99 ₽/шт
в избранное
FGH40N60UFDTU, IGBT транзистор TO247
10 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 14 — 422,39 ₽/шт
от 15 — 406,75 ₽/шт
от 150 — 375,46 ₽/шт
в избранное
STGB10NB37LZT4, IGBT транзистор 10А 440В D2PAK-3
  • Производитель: ST Microelectronics, Geneva
  • Артикул: W2010077885
  • Краткое наименование: STGB10NB37LZT4
240 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 11 — 532,77 ₽/шт
от 12 — 513,05 ₽/шт
от 119 — 473,58 ₽/шт
в избранное
IRGP4063DPBF, транзистор IGBT TO247AC
360 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 11 — 533,65 ₽/шт
от 12 — 513,89 ₽/шт
от 119 — 474,36 ₽/шт
в избранное
IKP40N65H5XKSA1, IGBT транзистор Infineon Technologies, 650 В, 74 А, 255 Вт, корпус PG-TO220-3
120 шт 4 дня
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 156 — 390,35 ₽/шт
от 157 — 373,66 ₽/шт
от 327 — 366,99 ₽/шт
в избранное
IKW40N65ES5XKSA1, IGBT транзистор Infineon Technologies, 650В, 40А, 230Вт, корпус TO-247-3
230 шт 4 дня
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 422 — 144,36 ₽/шт
от 423 — 138,20 ₽/шт
от 883 — 135,73 ₽/шт
в избранное
IKW50N65ES5XKSA1, IGBT транзистор Infineon Technologies, 650В, 80А, 274Вт, корпус TO-247-3
64 шт 4 дня
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 150 — 405,60 ₽/шт
от 151 — 388,27 ₽/шт
от 315 — 381,34 ₽/шт
в избранное
IKW25N120H3FKSA1, IGBT транзистор Infineon Technologies, 1200 В, 50 А, 326 Вт, корпус TO-247-3
615 шт 4 дня
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 271 — 224,47 ₽/шт
от 272 — 214,87 ₽/шт
от 568 — 211,04 ₽/шт
в избранное
NCE25TD120VT, IGBT транзистор 1200В 25A TO-247
  • Артикул: W2015870972
  • Краткое наименование: NCE25TD120VT
100 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 18 — 321,41 ₽/шт
от 19 — 309,50 ₽/шт
от 198 — 285,70 ₽/шт
в избранное
IHFW40N65R5SXKSA1, IGBT транзистор 650В, 40А, 108Вт до 175гр C TO-247
25 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 17 — 348,96 ₽/шт
от 18 — 336,04 ₽/шт
от 182 — 310,19 ₽/шт
в избранное
IRGIB6B60KDPBF, IGBT транзистор транзистор 600В, 11А TO-220FP
12 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 24 — 247,43 ₽/шт
от 25 — 238,27 ₽/шт
от 257 — 219,94 ₽/шт
в избранное
IKFW40N65ES5XKSA1, IGBT транзистор 650В, 30А, 106Вт до 175гр C TO-247
40 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 13 — 448,75 ₽/шт
от 14 — 432,14 ₽/шт
от 142 — 398,89 ₽/шт
в избранное
FGH60N60SMD, IGBT транзистор ON Semiconductor , 600 В, 120 А, корпус TO-247-3
Под заказ
4 дня
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 274 — 221,91 ₽/шт
от 275 — 212,41 ₽/шт
от 575 — 208,62 ₽/шт
в избранное
FGH40N60SMD, IGBT транзистор ON Semiconductor , 600 В, 80 А, корпус TO-247-3
420 шт 4 дня
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 334 — 182,37 ₽/шт
от 335 — 174,57 ₽/шт
от 699 — 171,46 ₽/шт
в избранное
FGH40N60SFDTU, IGBT транзистор ON Semiconductor , 600 В, 80 А, корпус TO-247-3
590 шт 4 дня
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 317 — 192,22 ₽/шт
от 318 — 184,00 ₽/шт
от 664 — 180,72 ₽/шт
в избранное
STGW40V60DF, Транзистор IGBT 600В, 80А, 283Вт TO-247
  • Производитель: ST Microelectronics, Geneva
  • Артикул: W2015541215
  • Краткое наименование: STGW40V60DF
10 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 7 — 830,25 ₽/шт
от 8 — 799,50 ₽/шт
от 77 — 738,00 ₽/шт
в избранное
IRG4BC30KDPBF, IGBT транзистор 600В 28А 8-25кГц TO220AB
76 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 23 — 264,57 ₽/шт
от 24 — 254,77 ₽/шт
от 240 — 235,18 ₽/шт
в избранное
FGP20N60UFD, IGBT транзистор 600В, 20A TO-220
6200 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 36 — 168,02 ₽/шт
от 37 — 161,80 ₽/шт
от 378 — 149,35 ₽/шт
в избранное
IKA10N60TXKSA1, IGBT транзистор Infineon Technologies, 11.7A, 600В, 30Вт, корпус TO-220-3 Full Pack
1209 шт 4 дня
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 592 — 102,92 ₽/шт
от 593 — 98,53 ₽/шт
от 1239 — 96,77 ₽/шт
в избранное
IRG7PH35UPBF, IGBT транзистор 1200В 35А 8-30кГц TO247AC восстановленное лужение выводов
150 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 11 — 527,35 ₽/шт
от 12 — 507,83 ₽/шт
от 121 — 468,76 ₽/шт
в избранное

Принцип работы и основные характеристики

IGBT-транзисторы являются гибридом биполярного и полевого транзисторов, благодаря чему это устройство сочетает положительные характеристики обоих компонентов. Принцип его действия заключается в том, что полевой транзистор управляет биполярным. Такая конструкция обеспечивает возможность переключения мощных нагрузок с помощью маломощных управляющих сигналов.

Основные характеристики IGBT-транзисторов:

  • управляющее напряжение;
  • максимально возможная сила тока;
  • напряжение пробоя и насыщения эмиттер-коллектор;
  • ток отсечки эмиттер-коллектор;
  • емкости на входе и выходе;
  • временные промежутки задержки включения и выключения.

Такие транзисторы чаще всего применяют в высоковольтных сетях напряжением до 6,5 кВ для обеспечения безопасности электрооборудования при КЗ, в инверторах, частотно-управляемых приводах, сварочных аппаратах, высокомощных приводах городского электротранспорта.

Ассортимент

В компании «РадиоЭлемент» вы можете купить силовые IGBT-транзисторы с требуемыми параметрами и выбрать наиболее удобный способ получения товара. В ассортименте представлены транзисторы производства:

  • Infineon Technologies AG, Germany – модели на 600 В и 1200 В, рассчитанные на различные токи и частоты сети;
  • ST Microelectronics, Geneva – STGW40NC69WD;
  • Fuji Electric Systems Co. Ltd., FGW50N60HD (600 В, 50 А).

Смотрите также:

Силовые приборы Резисторы Конденсаторы Микросхемы Диоды Стабилитроны Транзисторы Тиристоры Импортные радиодетали Источники питания
X
Заказать обратный звонок Ваше имя: Телефон: Дата: Время звонка: Комментарий:
Ваша заявка отправлена!