Каталог товаров

Обратная связь
Получить информацию о наличии товара вы можете у наших менеджеров, позвонив по телефону
(812) 565-06-52
Также вы можете написать нам
Ответы на вопросы

IGBT транзисторы

IGBT-транзисторы – биполярные устройства с изолированным затвором, используемые в качестве электронного ключа в системах руководства приводами различных машин и механизмов, импульсных источниках электропитания, инверторных аппаратах.

1-49 из 49 товаров
Сортировка:
Название Цена Дешевле Дороже Наличие: Больше Меньше Больше
PBSS4540X,135 Биполярный транзистор PBSS4540X,135 Nexperia Nexperia
  • Производитель: Nexperia, Netherlands
  • Артикул: B020374
  • Краткое наименование: PBSS4540X,135
В наличии
3990 шт
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 75 — 80,85 ₽/шт
от 76 — 75,08 ₽/шт
от 813 — 69,30 ₽/шт
в избранное
IRGP4063DPBF JSMSEMI IGBT транзистор, 650 В, 100 А, 2.6 мДж, TO-247
Под заказ
4 дня
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 267 — 227,70 ₽/шт
от 268 — 217,98 ₽/шт
от 560 — 214,09 ₽/шт
в избранное
FGA60N65SMD, Биполярный транзистор IGBT, TO3P
290 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 22 — 274,02 ₽/шт
от 23 — 263,87 ₽/шт
от 232 — 243,57 ₽/шт
в избранное
IRGB10B60KDPBF, IGBT транзистор 600В 12А 10-30кГц TO220AB
4 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 20 — 301,30 ₽/шт
от 21 — 290,15 ₽/шт
от 211 — 267,83 ₽/шт
в избранное
IRG4PH40UDPBF, транзистор IGBT, TO247AC
30 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 5 — 1 155,27 ₽/шт
от 6 — 1 112,47 ₽/шт
от 55 — 1 026,90 ₽/шт
в избранное
IKQ75N120CH3XKSA1, транзистор, TO-247
130 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 11 — 508,36 ₽/шт
от 12 — 489,53 ₽/шт
от 125 — 451,88 ₽/шт
в избранное
IRG4PH40UPBF, IGBT транзистор 1200В 21А 5-40кГц ТО247AC
40 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 2 — 2 573,54 ₽/шт
от 3 — 2 478,23 ₽/шт
от 25 — 2 287,60 ₽/шт
в избранное
FGH60N60SMD, транзистор IGBT TO247
750 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 23 — 255,19 ₽/шт
от 24 — 245,74 ₽/шт
от 249 — 226,83 ₽/шт
в избранное
GT50JR22, транзистор IGBT TO-3P(N)
  • Производитель: Toshiba Corporation, Japan
  • Артикул: W2017310193
  • Краткое наименование: GT50JR22
490 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 44 — 138,60 ₽/шт
от 45 — 133,47 ₽/шт
от 458 — 123,21 ₽/шт
в избранное
IHW30N135R5XKSA1, IGBT транзистор,1350В,30А, корпус TO247-3
115 шт 4 дня
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 303 — 200,89 ₽/шт
от 304 — 192,31 ₽/шт
от 635 — 188,87 ₽/шт
в избранное
IRGP4068DPBF, транзистор TO-247AC
290 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 12 — 480,52 ₽/шт
от 13 — 462,72 ₽/шт
от 132 — 427,12 ₽/шт
в избранное
IKW25N120H3FKSA1, транзистор IGBT PG-TO-247-3
390 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 28 — 211,61 ₽/шт
от 29 — 203,78 ₽/шт
от 300 — 188,10 ₽/шт
в избранное
STGB18N40LZT4, D2Pak (TO-263)
  • Производитель: ST Microelectronics, Geneva
  • Артикул: W2017283425
  • Краткое наименование: STGB18N40LZT4
980 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 75 — 80,75 ₽/шт
от 76 — 77,76 ₽/шт
от 785 — 71,78 ₽/шт
в избранное
IKW50N60H3FKSA1, IGBT транзистор Infineon Technologies, 600 В, 100 А, 333 Вт, корпус TO-247-3
105 шт 4 дня
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 274 — 221,93 ₽/шт
от 275 — 212,44 ₽/шт
от 575 — 208,64 ₽/шт
в избранное
IKW50N60DTPXKSA1, Высокоскоростной IGBT транзистор Infineon Technologies, 600В, 80А, 319.2Вт корпус TO-247-3
180 шт 4 дня
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 214 — 283,74 ₽/шт
от 215 — 271,61 ₽/шт
от 450 — 266,77 ₽/шт
в избранное
IKW40N120T2FKSA1, IGBT транзистор Infineon Technologies, 1200 В, 75 А, 480 Вт, корпус TO-247-3
105 шт 4 дня
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 189 — 322,31 ₽/шт
от 190 — 308,54 ₽/шт
от 396 — 303,02 ₽/шт
в избранное
IKW40N120H3FKSA1, IGBT транзистор Infineon Technologies, 1200 В, 80 А, 483 Вт, корпус TO-247-3
85 шт 4 дня
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 256 — 237,68 ₽/шт
от 257 — 227,53 ₽/шт
от 537 — 223,47 ₽/шт
в избранное
IKW30N65H5XKSA1, IGBT транзистор Infineon Technologies, 55А,1.65В,188Вт, 650В, TO-247-3
115 шт 4 дня
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 255 — 238,91 ₽/шт
от 256 — 228,70 ₽/шт
от 534 — 224,61 ₽/шт
в избранное
IKW30N60DTPXKSA1, IGBT транзистор Infineon Technologies , 600В, 30А, 200Вт, корпус TO-247-3
256 шт 4 дня
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 170 — 358,42 ₽/шт
от 171 — 343,10 ₽/шт
от 356 — 336,98 ₽/шт
в избранное
IGW30N60H3FKSA1, IGBT транзистор Infineon Technologies, 600В, 60А, 187Вт, корпус TO-247-3
108 шт 4 дня
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 140 — 435,43 ₽/шт
от 141 — 416,83 ₽/шт
от 293 — 409,37 ₽/шт
в избранное
FF300R12KS4HOSA1, IGBT модуль Infineon Technologies, 1200 В, 370 А, 1950 Вт, корпус Screw Mount Module 62 mm
6 шт 4 дня
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 4 — 13 276,72 ₽/шт
от 5 — 12 709,35 ₽/шт
от 10 — 12 482,39 ₽/шт
в избранное
FF200R12KT4HOSA1, IGBT модуль Infineon Technologies, 1200 В, 320 А, 1100 Вт, корпус Screw Mount Module 62 mm
30 шт 4 дня
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 10 — 5 947,11 ₽/шт
от 11 — 5 692,96 ₽/шт
от 22 — 5 591,30 ₽/шт
в избранное
IRG4BC30KDPBF, IGBT транзистор 600В 28А 8-25кГц TO220AB
160 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 26 — 230,74 ₽/шт
от 27 — 222,20 ₽/шт
от 275 — 205,11 ₽/шт
в избранное
DGC75F65M, Транзистор IGBT 650В 75А 625Вт [TO-247-3L) = RSG75N65HW
180 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 23 — 264,25 ₽/шт
от 24 — 254,47 ₽/шт
от 240 — 234,89 ₽/шт
в избранное
DGG20F65M, IGBT транзистор, 650В, 20А, 28Вт [TO-220] = IKW50N60H3
920 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 98 — 62,18 ₽/шт
от 99 — 59,88 ₽/шт
от 1019 — 55,27 ₽/шт
в избранное
FGH40N60SFDTU, IGBT транзистор 650В 50А TO-247
3 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 14 — 407,44 ₽/шт
от 15 — 392,35 ₽/шт
от 156 — 362,17 ₽/шт
в избранное
DG25X12T2, IGBT - Транзистор, 1200V, 50A
22 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 28 — 217,61 ₽/шт
от 29 — 209,55 ₽/шт
от 292 — 193,43 ₽/шт
в избранное
FGH40N60UFDTU, транзистор TO247
88 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 15 — 398,60 ₽/шт
от 16 — 383,84 ₽/шт
от 159 — 354,31 ₽/шт
в избранное
DGP10N60CTL, IGBT дискрет, 600B, 10A, 110Вт (TO-220)
770 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 72 — 84,56 ₽/шт
от 73 — 81,44 ₽/шт
от 750 — 75,16 ₽/шт
в избранное
FGH60N60SMD, IGBT транзистор 600В 60А TO-247
40 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 10 — 564,75 ₽/шт
от 11 — 543,83 ₽/шт
от 113 — 501,99 ₽/шт
в избранное
FGH40N60UFDTU, IGBT транзистор TO247
10 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 15 — 381,32 ₽/шт
от 16 — 367,20 ₽/шт
от 167 — 338,95 ₽/шт
в избранное
STGB10NB37LZT4, IGBT транзистор 10А 440В D2PAK-3
  • Производитель: ST Microelectronics, Geneva
  • Артикул: W2010077885
  • Краткое наименование: STGB10NB37LZT4
240 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 12 — 480,97 ₽/шт
от 13 — 463,16 ₽/шт
от 132 — 427,54 ₽/шт
в избранное
IRGP4063DPBF, транзистор IGBT TO247AC
490 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 11 — 530,47 ₽/шт
от 12 — 510,83 ₽/шт
от 120 — 471,53 ₽/шт
в избранное
IKP40N65H5XKSA1, IGBT транзистор Infineon Technologies, 650 В, 74 А, 255 Вт, корпус PG-TO220-3
128 шт 4 дня
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 156 — 390,35 ₽/шт
от 157 — 373,66 ₽/шт
от 327 — 366,99 ₽/шт
в избранное
IKW40N65ES5XKSA1, IGBT транзистор Infineon Technologies, 650В, 40А, 230Вт, корпус TO-247-3
290 шт 4 дня
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 422 — 144,36 ₽/шт
от 423 — 138,20 ₽/шт
от 883 — 135,73 ₽/шт
в избранное
IKW50N65ES5XKSA1, IGBT транзистор Infineon Technologies, 650В, 80А, 274Вт, корпус TO-247-3
84 шт 4 дня
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 150 — 405,60 ₽/шт
от 151 — 388,27 ₽/шт
от 315 — 381,34 ₽/шт
в избранное
IKW25N120H3FKSA1, IGBT транзистор Infineon Technologies, 1200 В, 50 А, 326 Вт, корпус TO-247-3
640 шт 4 дня
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 275 — 221,67 ₽/шт
от 276 — 212,19 ₽/шт
от 575 — 208,40 ₽/шт
в избранное
NCE25TD120VT, IGBT транзистор 1200В 25A TO-247
  • Артикул: W2015870972
  • Краткое наименование: NCE25TD120VT
100 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 21 — 290,16 ₽/шт
от 22 — 279,42 ₽/шт
от 219 — 257,93 ₽/шт
в избранное
IHFW40N65R5SXKSA1, IGBT транзистор 650В, 40А, 108Вт до 175гр C TO-247
25 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 17 — 348,96 ₽/шт
от 18 — 336,04 ₽/шт
от 182 — 310,19 ₽/шт
в избранное
IRGIB6B60KDPBF, IGBT транзистор транзистор 600В, 11А TO-220FP
12 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 24 — 247,43 ₽/шт
от 25 — 238,27 ₽/шт
от 257 — 219,94 ₽/шт
в избранное
IKFW40N65ES5XKSA1, IGBT транзистор 650В, 30А, 106Вт до 175гр C TO-247
40 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 13 — 448,75 ₽/шт
от 14 — 432,14 ₽/шт
от 142 — 398,89 ₽/шт
в избранное
FGH60N60SMD, IGBT транзистор ON Semiconductor , 600 В, 120 А, корпус TO-247-3
460 шт 4 дня
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 240 — 253,13 ₽/шт
от 241 — 242,32 ₽/шт
от 504 — 237,99 ₽/шт
в избранное
FGH40N60SMD, IGBT транзистор ON Semiconductor , 600 В, 80 А, корпус TO-247-3
Под заказ
4 дня
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 375 — 162,27 ₽/шт
от 376 — 155,33 ₽/шт
от 786 — 152,56 ₽/шт
в избранное
FGH40N60SFDTU, IGBT транзистор ON Semiconductor , 600 В, 80 А, корпус TO-247-3
Под заказ
4 дня
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 356 — 171,04 ₽/шт
от 357 — 163,74 ₽/шт
от 746 — 160,81 ₽/шт
в избранное
STGW40V60DF, Транзистор IGBT 600В, 80А, 283Вт TO-247
  • Производитель: ST Microelectronics, Geneva
  • Артикул: W2015541215
  • Год выпуска: 2016
  • Краткое наименование: STGW40V60DF
10 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 7 — 830,25 ₽/шт
от 8 — 799,50 ₽/шт
от 77 — 738,00 ₽/шт
в избранное
IRG4BC30KDPBF, IGBT транзистор 600В 28А 8-25кГц TO220AB
100 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 25 — 238,84 ₽/шт
от 26 — 229,99 ₽/шт
от 266 — 212,30 ₽/шт
в избранное
FGP20N60UFD, IGBT транзистор 600В, 20A TO-220
6300 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 40 — 151,68 ₽/шт
от 41 — 146,07 ₽/шт
от 418 — 134,83 ₽/шт
в избранное
IKA10N60TXKSA1, IGBT транзистор Infineon Technologies, 11.7A, 600В, 30Вт, корпус TO-220-3 Full Pack
1229 шт 4 дня
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 592 — 102,92 ₽/шт
от 593 — 98,53 ₽/шт
от 1239 — 96,77 ₽/шт
в избранное
IRG7PH35UPBF, IGBT транзистор 1200В 35А 8-30кГц TO247AC восстановленное лужение выводов
150 шт 1 неделя
{{exploded.vat.integer}}{{decPoint}}{{exploded.vat.fractional}} ₽
В корзину
до 12 — 476,08 ₽/шт
от 13 — 458,44 ₽/шт
от 134 — 423,18 ₽/шт
в избранное

Принцип работы и основные характеристики

IGBT-транзисторы являются гибридом биполярного и полевого транзисторов, благодаря чему это устройство сочетает положительные характеристики обоих компонентов. Принцип его действия заключается в том, что полевой транзистор управляет биполярным. Такая конструкция обеспечивает возможность переключения мощных нагрузок с помощью маломощных управляющих сигналов.

Основные характеристики IGBT-транзисторов:

  • управляющее напряжение;
  • максимально возможная сила тока;
  • напряжение пробоя и насыщения эмиттер-коллектор;
  • ток отсечки эмиттер-коллектор;
  • емкости на входе и выходе;
  • временные промежутки задержки включения и выключения.

Такие транзисторы чаще всего применяют в высоковольтных сетях напряжением до 6,5 кВ для обеспечения безопасности электрооборудования при КЗ, в инверторах, частотно-управляемых приводах, сварочных аппаратах, высокомощных приводах городского электротранспорта.

Ассортимент

В компании «РадиоЭлемент» вы можете купить силовые IGBT-транзисторы с требуемыми параметрами и выбрать наиболее удобный способ получения товара. В ассортименте представлены транзисторы производства:

  • Infineon Technologies AG, Germany – модели на 600 В и 1200 В, рассчитанные на различные токи и частоты сети;
  • ST Microelectronics, Geneva – STGW40NC69WD;
  • Fuji Electric Systems Co. Ltd., FGW50N60HD (600 В, 50 А).

Смотрите также:

Силовые приборы Резисторы Конденсаторы Микросхемы Диоды Стабилитроны Транзисторы Тиристоры Импортные радиодетали Источники питания
X
Заказать обратный звонок Ваше имя: Телефон: Дата: Время звонка: Комментарий:
Ваша заявка отправлена!