Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов был открыт в 1964 году в г. Томск. Перед НИИПП были поставлены задачи разработки технологии выращивания арсенида галлия, изучения его свойств и создания новых классов приборов на его основе. В НИИПП были разработаны процессы получения эпитаксиальных структур широкой номенклатуры для СВЧ изделий (диодов Ганна, смесительных, умножительных, детекторных, импульсных диодов и др.), оптоэлектронных диодов ИК диапазона, интегральных схем. Большинство изделий, которые выпускались и выпускаются сегодня на заводе НИИПП, обеспечивались эпитаксиальными структурами, созданными в отделе материаловедения.
Основные направления производства:
- Дискретные полупроводниковые приборы;
- Излучающие диоды ИК диапазона;
- Коммуникационное оборудование;
- Микросборки;
- Модули СВЧ;
- Монолитные интегральные схемы СВЧ и вспомогательные устройства;
- Светотехнические изделия;
- Изделия промышленной электроники;
- Изделия медицинской техники.